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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN009-100P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+5.2 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100WNXP SemiconductorsMOSFET RAIL PWR-MOS
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PSMN009-100WPHILIPS
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN009-100W
Produktcode: 18400
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 100 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Montage: THT
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PSMN009-100W,127NXP SemiconductorsMOSFET RAIL PWR-MOS
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PSMN009-100W,127NXPТранзистори
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PSMN009-100W,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
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PSMN009-100W,127 (TO-247)NXPТранзистори
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PSMN009-100W/BNXPN-channel TrenchMOS, SOT-429 (TO-247) Транзистори
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PSMN010-25YLC,115Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 4030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1924 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-55DPHILIPS03+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-55D,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 7400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.02 EUR
60+3.88 EUR
100+2.7 EUR
500+2.25 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 7400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
500+2.25 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.7 EUR
50+2.03 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 84A
auf Bestellung 3437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.05 EUR
100+1.5 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.07 EUR
1500+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN010-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2258 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 43500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.96 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.55 EUR
10000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFXNexperiaMOSFET 100V N-CH NEXTPOWER IN LFP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 8800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 152W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 4027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+3.26 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 8800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 152W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 4027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.42 EUR
27+8.75 EUR
100+4.61 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2258 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLCNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
917+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 917 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 37A
auf Bestellung 2772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.55 EUR
10+0.95 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
1500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 9900 µohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+2 EUR
230+1.01 EUR
310+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
auf Bestellung 8660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
21+1.01 EUR
50+0.74 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115
Produktcode: 204754
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 9900 µohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+2 EUR
230+1.01 EUR
310+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.43 EUR
4500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 35A
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+2.73 EUR
100+1.83 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.36 EUR
1500+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.00115 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.79 EUR
40+5.84 EUR
100+3.37 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.38 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.00115 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.37 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin LFPAK-D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 60V 61A
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.31 EUR
100+1.14 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 242A; 91W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 242A
Power dissipation: 91W
Gate charge: 37.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 61A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.35mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
50+1.08 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
auf Bestellung 3040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
50+1.05 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 60V 61A
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.2 EUR
100+0.95 EUR
1000+0.73 EUR
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.12 EUR
166+1.4 EUR
211+1.01 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 61A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.6mΩ
auf Bestellung 2109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+1.43 EUR
518+1.27 EUR
1000+1.14 EUR
10000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
117+1.99 EUR
176+1.23 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 83987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+1.43 EUR
518+1.27 EUR
1000+1.14 EUR
10000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.06 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 67 A, 0.011 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
77+3.03 EUR
110+1.96 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115NexperiaMOSFETs PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.04 EUR
1500+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YL,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN012-100YL - N-CHANNEL 100V,
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 760 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YLXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 85A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YSNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS
auf Bestellung 120000 Stücke:
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PSMN012-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
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PSMN012-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
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47+5.34 EUR
73+3.2 EUR
117+1.83 EUR
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PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN012-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN012-100YS/SOT669/LFPAK
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10+2.51 EUR
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PSMN012-100YS,115NXPMOSFET N-CH 100V 60A LFPAK Транзистори
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4500+1 EUR
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4500+1.01 EUR
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