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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI2318A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2318A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 6946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
39+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 40V 4.3A
auf Bestellung 181052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.5A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 2.9nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 42mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2318CDS-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
auf Bestellung 56022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
33+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.9 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 5.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 35mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.6 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
21000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3
Produktcode: 148867
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.9 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 126486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+1.3 EUR
362+0.64 EUR
553+0.39 EUR
565+0.38 EUR
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SI2318DS-T1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N CHAN 40V
auf Bestellung 72024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+0.87 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.88 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-E3VishayTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 58mOhm; 3A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS TSI2318ds
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 58mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2318DS-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.73 EUR
242+0.96 EUR
266+0.81 EUR
295+0.73 EUR
332+0.64 EUR
371+0.58 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SI2318DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3Vishay SiliconixN-Channel 40V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V
auf Bestellung 27371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.88 EUR
100+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DWFVishay / SiliconixMOSFETs N-CH 30-V (D-S) FAST SWITCHING WFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318HDS-T1-GE3VishaySI2318HDS-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318HDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.5A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 2.9nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 42mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318HDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318HDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319-TPMicro Commercial ComponentsP-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 548 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
auf Bestellung 3058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319AUMWDescription: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319AUMWDescription: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S
auf Bestellung 31059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.86 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.63 EUR
459+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
auf Bestellung 3772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 267303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
210+1.11 EUR
323+0.67 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 44109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+0.71 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
auf Bestellung 15041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1GE3MOSFET 40V 4.4A (20A pulse), P Channel SOT-23-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
312+0.75 EUR
503+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+1.06 EUR
332+0.7 EUR
532+0.4 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 22598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.88 EUR
201+1.15 EUR
288+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
auf Bestellung 194600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.33 EUR
15000+0.32 EUR
21000+0.31 EUR
30000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 22613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.88 EUR
201+1.15 EUR
288+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
auf Bestellung 194962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
21+1 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 23261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.02 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.39 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DSVISHAY
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1
auf Bestellung 76900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 40V
auf Bestellung 27774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.25 EUR
100+0.83 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.54 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
auf Bestellung 35590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.43 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.39 EUR
106+0.81 EUR
117+0.73 EUR
132+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3Vishay SiliconixSI2319DS-T1-E3 MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.082 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
auf Bestellung 250573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
151+1.55 EUR
216+0.99 EUR
500+0.79 EUR
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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