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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP18N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.01 EUR
10+3.01 EUR
100+2.75 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.14 EUR
2000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.18 EUR
50+3.21 EUR
100+2.9 EUR
500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2
Produktcode: 145124
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.59 EUR
39+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 280mOhm; 13A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP18N60M2-VB; STP18N60M2 TSTP18N60M2
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMMOSFET N-CH 600V 13A TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
112+2.08 EUR
113+1.9 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+2.81 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.64 EUR
50+2.8 EUR
100+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+3.14 EUR
100+2.76 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.12 EUR
2000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.22 EUR
10+4.05 EUR
50+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 8A; Idm: 48A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
79+2.98 EUR
100+2.7 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.32 EUR
36+6.54 EUR
100+4.18 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.41 EUR
10+4.86 EUR
50+3.75 EUR
100+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+3.28 EUR
100+2.83 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.06 EUR
10+4.59 EUR
50+3.53 EUR
100+3.2 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52A
Gate charge: 35nC
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.4 EUR
39+2.23 EUR
60+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
91+2.57 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60N
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDMesh II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.32 EUR
25+6.54 EUR
50+5.46 EUR
100+4.95 EUR
250+4.7 EUR
500+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.45 EUR
25+9.47 EUR
100+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.37 EUR
25+6.74 EUR
50+5.72 EUR
100+5.33 EUR
250+5.2 EUR
500+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMMOSFET N-CH 800V 17A TO-220 Транзистори
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STP18NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V MDMesh
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.1 EUR
10+8.54 EUR
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500+7.22 EUR
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STP18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.24 EUR
50+7.7 EUR
100+7.38 EUR
500+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.16 EUR
25+6.46 EUR
50+5.41 EUR
100+4.91 EUR
250+4.66 EUR
500+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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STP18NM80
Produktcode: 203647
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.5 EUR
25+6.79 EUR
50+5.76 EUR
100+5.37 EUR
250+5.22 EUR
500+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP18NM80STTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C; STP18NM80 TSTP18NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NQ11T
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP190-1580-01PRR2004
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP190N55LF3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 55V-2.9ohms 120A
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP190N55LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.31 EUR
50+8.16 EUR
100+7 EUR
500+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP190N55LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP190NF04STMicroelectronicsMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP190NF04
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1950C00STP337
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP196248AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP196248BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N06
auf Bestellung 7886 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N06FI
auf Bestellung 7887 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N06L
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N06LFI
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N06LFP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N20STMicroelectronicsMOSFET N-channel 200V - 0.15Y - 15A - TO-220, POWER MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NB20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NB20STTOP-220
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NB20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NB20FPSTTO-220F
auf Bestellung 96135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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STP19NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20
Produktcode: 4750
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 15 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 75 St.
  • 75 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STMSTP19NF20 IRF640FP MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
50+1.77 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STTrans MOSFET N-CH 200V 15A STP19NF20 TSTP19NF20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.15 EUR
112+1.49 EUR
125+1.29 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STMicroelectronicsMOSFETs N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.04 EUR
5000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.55 EUR
125+1.37 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STMSTP19NF20 (IRF640) ,N-кан. MOSFET 200V, 18A, 0.15Ом, 125Вт, TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.15 EUR
10+5.32 EUR
100+4.65 EUR
500+4.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP19NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.52 EUR
42+5.64 EUR
100+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.95 EUR
50+4.65 EUR
100+4.24 EUR
500+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM65N
auf Bestellung 18738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1N105K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1N105K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
167+1 EUR
170+0.94 EUR
182+0.84 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1N60
auf Bestellung 7890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2-0000000000TE Connectivity Measurement SpecialtiesDescription: RETAINING SPRING PLIERS
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2-0000000000Measurement SpecialtiesThick Film Resistors - SMD WIND TUNNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2-0000000000TE ConnectivityRetaining Spring Pliers
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200
auf Bestellung 7575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2000QFPSUN
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2001
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2001QST
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2001QFPSUN
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2002
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20020FPSUNQFP
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20020FP100-4156-05QFP240
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2002QST
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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