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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP18N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 8A; Idm: 48A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
79+2.98 EUR
100+2.7 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.22 EUR
50+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+3.14 EUR
100+2.76 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.12 EUR
2000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+4.3 EUR
100+3.42 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.43 EUR
2000+2.26 EUR
5000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.32 EUR
36+6.54 EUR
100+4.18 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60N
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52A
Gate charge: 35nC
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.4 EUR
39+2.23 EUR
60+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
91+2.57 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.66 EUR
50+3.34 EUR
100+3.02 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+3.28 EUR
100+2.83 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDMesh II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.51 EUR
25+6.7 EUR
50+5.58 EUR
100+5.07 EUR
250+4.81 EUR
500+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C; STP18NM80 TSTP18NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.57 EUR
25+6.89 EUR
50+5.87 EUR
100+5.46 EUR
250+5.32 EUR
500+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.35 EUR
25+6.62 EUR
50+5.53 EUR
100+5.02 EUR
250+4.77 EUR
500+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMMOSFET N-CH 800V 17A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.7 EUR
25+6.95 EUR
50+5.9 EUR
100+5.49 EUR
250+5.34 EUR
500+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.24 EUR
50+7.7 EUR
100+7.38 EUR
500+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.45 EUR
25+9.47 EUR
100+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80
Produktcode: 203647
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V MDMesh
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.1 EUR
10+8.54 EUR
100+7.83 EUR
500+7.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18NQ11T
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP190-1580-01PRR2004
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP190N55LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.31 EUR
50+8.16 EUR
100+7 EUR
500+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP190N55LF3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 55V-2.9ohms 120A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP190N55LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP190NF04
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP190NF04STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1950C00STP337
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP196248AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP196248BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N06
auf Bestellung 7886 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N06FI
auf Bestellung 7887 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N06L
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N06LFI
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N06LFP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19N20STMicroelectronicsMOSFET N-channel 200V - 0.15Y - 15A - TO-220, POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NB20STTOP-220
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP19NB20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp
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STP19NB20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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STP19NB20FPSTTO-220F
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STP19NF20STMicroelectronicsMOSFETs N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A
auf Bestellung 829 Stücke:
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1+3.62 EUR
10+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.04 EUR
5000+0.99 EUR
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STP19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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STP19NF20STMSTP19NF20 (IRF640) ,N-кан. MOSFET 200V, 18A, 0.15Ом, 125Вт, TO-220 Транзистори
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STP19NF20
auf Bestellung 2981 Stücke:
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STP19NF20
Produktcode: 4750
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 15 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 78 St.
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1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
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STP19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2398 Stücke:
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55+3.22 EUR
112+1.52 EUR
125+1.31 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STMSTP19NF20 IRF640FP MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP Транзистори
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STP19NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
50+1.73 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.58 EUR
125+1.39 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STTrans MOSFET N-CH 200V 15A STP19NF20 TSTP19NF20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NF20
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.95 EUR
50+4.65 EUR
100+4.24 EUR
500+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP19NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP19NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.52 EUR
42+5.64 EUR
100+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.69 EUR
10+7 EUR
100+5.15 EUR
500+4.57 EUR
1000+4.06 EUR
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STP19NM65N
auf Bestellung 18738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1N105K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.09 EUR
167+1.02 EUR
170+0.96 EUR
182+0.87 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1N105K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1N60
auf Bestellung 7890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2-0000000000Measurement SpecialtiesThick Film Resistors - SMD WIND TUNNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2-0000000000TE ConnectivityRetaining Spring Pliers
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2-0000000000TE Connectivity Measurement SpecialtiesDescription: RETAINING SPRING PLIERS
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200
auf Bestellung 7575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP2000QFPSUN
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP2001
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2001QST
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2001QFPSUN
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2002
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20020FPSUNQFP
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20020FP100-4156-05QFP240
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2002QST
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2002QFPSUN
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2002QFP/100-4156-05
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2003QFPN/A
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP200GX
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N3LLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2150 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 176.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
auf Bestellung 1023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.82 EUR
57+4.08 EUR
100+2.33 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N3LLSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 176.5W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+2.28 EUR
51+1.69 EUR
59+1.45 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 176.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
50+1.99 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N3LLSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 3011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+2.18 EUR
100+1.82 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.33 EUR
5000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N4F3
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N6F3STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V 120 A PAK TO-22
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP200N6F3
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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