Produkte > IRF

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 154 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 198 220 223  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFR2307ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZPBF
Produktcode: 42438
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 75 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2190/50
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.13 EUR
10+1.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.41 EUR
10+2.2 EUR
100+1.49 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.13 EUR
3000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
auf Bestellung 7703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.7 EUR
10+2.38 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+1.54 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR230BFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR230BTM/NFP001
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR230BTM_AM002ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR234BFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.71 EUR
50+2.88 EUR
100+2.08 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.37 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405
Produktcode: 20910
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.24 EUR
73+1.94 EUR
81+1.68 EUR
88+1.49 EUR
100+1.36 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 56 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2430 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 16 мОм @ 34 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405PBF
Produktcode: 39791
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 0,016 A
Ciss, pF/Qg, nC: 2430/70
JHGF: SMD
auf Bestellung 85 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405PBFInternational RectifierD-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405PBFInfineon (IRF)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 16mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 16mOhm; 56A; 110W; -55°C ~ 175°C; IRFR2405 smd TIRFR2405
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRUMWDescription: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.92 EUR
10+1.87 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.59 EUR
6000+0.56 EUR
9000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC
auf Bestellung 2632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.12 EUR
10+2.02 EUR
100+1.37 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.59 EUR
6000+0.55 EUR
9000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
433+1.27 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 433 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+1.31 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.85 EUR
4000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+1.31 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.35 EUR
128+1.1 EUR
130+1.05 EUR
155+0.85 EUR
250+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInternational RectifierD-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.14 EUR
130+1.11 EUR
155+0.91 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
auf Bestellung 35426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
auf Bestellung 5842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+1.97 EUR
100+1.31 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.94 EUR
4000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.48 EUR
86+1.69 EUR
120+1.18 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.77 EUR
4000+0.69 EUR
6000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2407
Produktcode: 20911
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-PAK
Uds,V: 75
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.026
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/74
JHGF: SMD
verfügbar: 5 St.
    1+0.98 EUR
    10+0.81 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407IR07+ TO-252
    auf Bestellung 7500 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 42A DPAK Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Packaging: Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 42A 26mOhm 74nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFR2407TRLPBF
    auf Bestellung 60000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    396+1.38 EUR
    500+1.23 EUR
    1000+1.11 EUR
    10000+0.97 EUR
    Mindestbestellmenge: 396 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
    Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 1097 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    396+1.38 EUR
    500+1.23 EUR
    1000+1.11 EUR
    Mindestbestellmenge: 396 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 42000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2000+0.79 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 42 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2400 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 26 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 833 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    62+2.39 EUR
    98+1.48 EUR
    132+1.07 EUR
    500+0.89 EUR
    Mindestbestellmenge: 62 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 1493 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    171+0.86 EUR
    174+0.81 EUR
    176+0.77 EUR
    179+0.73 EUR
    250+0.69 EUR
    500+0.65 EUR
    1000+0.62 EUR
    Mindestbestellmenge: 171 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 75V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 42A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 110W
    Bauform - Transistor: TO-252AA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    auf Bestellung 641 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 42000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2000+0.79 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
    Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
    auf Bestellung 4340 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    6+3.01 EUR
    10+1.92 EUR
    100+1.3 EUR
    500+1.03 EUR
    1000+0.97 EUR
    Mindestbestellmenge: 6 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2000+0.78 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC
    auf Bestellung 4413 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.27 EUR
    10+1.92 EUR
    100+1.33 EUR
    500+1.09 EUR
    1000+0.99 EUR
    2000+0.95 EUR
    4000+0.92 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2000+0.78 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 75V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 42A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 110W
    Bauform - Transistor: TO-252AA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    auf Bestellung 641 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 75V
    Drain current: 42A
    Power dissipation: 110W
    Case: DPAK
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 1493 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    174+0.84 EUR
    176+0.82 EUR
    179+0.79 EUR
    250+0.76 EUR
    500+0.74 EUR
    1000+0.72 EUR
    Mindestbestellmenge: 174 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
    Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2000+0.85 EUR
    4000+0.79 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: D-Pak
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR2407TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
    Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N10DVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V DPAK
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15D
    Produktcode: 20912
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DIR07+ TO-252
    auf Bestellung 7500 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 95mOhms 30nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DPBFInternational RectifierN-кан. PowerMosfet 150V, 24A, TO-252 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR24N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 150
    Dauer-Drainstrom Id: 24
    Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Verlustleistung Pd: 140
    Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
    Anzahl der Pins: 3
    Produktpalette: -
    Wandlerpolarität: n-Kanal
    Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095
    Betriebstemperatur, max.: 175
    Schwellenspannung Vgs: 5
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14A, 10V
    Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DTR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 115mOhm; 20A; 72,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR24N15D; IRFR24N15DTR; SP001564950; SP001578104; IRFR24N15DTR-ML MOSLEADER TIRFR24n15d MOS
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 75 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+1.22 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR24N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 150V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 24A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 140W
    Bauform - Transistor: TO-252AA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    auf Bestellung 872 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14A, 10V
    Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
    auf Bestellung 7858 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    7+2.89 EUR
    10+1.84 EUR
    100+1.24 EUR
    500+0.98 EUR
    1000+0.92 EUR
    Mindestbestellmenge: 7 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 6000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2000+0.78 EUR
    4000+0.76 EUR
    6000+0.74 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 150V
    Drain current: 24A
    Power dissipation: 140W
    Case: DPAK
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 6000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2000+0.78 EUR
    4000+0.74 EUR
    6000+0.71 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR24N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 150V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 24A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 140W
    Bauform - Transistor: TO-252AA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    auf Bestellung 872 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DTRPBFInternational RectifierMOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC, TO-252-3 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR24N15DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14A, 10V
    Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
    auf Bestellung 6000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2000+0.8 EUR
    4000+0.75 EUR
    6000+0.74 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 154 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 198 220 223  Nächste Seite >> ]