Produkte > BSS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 22929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1; BSS205N; PT2302B; BSS205NH6327XTSA1 TBSS205n Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2725 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS205NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS205NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS209PW | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89.9 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS209PW | INF | 07+; | auf Bestellung 9065 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS209PW | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89.9 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS209PW H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS209PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V 580mA SOT-323-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS209PW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89.9 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS209PWH6327XTSA1 Produktcode: 185997
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 29260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS209PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 140344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS209PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.63A Power dissipation: 0.3W Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 29260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS209PWL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS21 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS214N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 2784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS214N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 57343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS214NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 40214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1686000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 192000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS214NH6327XTSA1; BSS214NH6327; PT2302B; BSS214NH6327XTSA1 TBSS214n Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Drain current: 1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: SOT23 On-state resistance: 0.25Ω Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 | auf Bestellung 1367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1686000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 40214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon | N-CH, MOSFET, Uds=20V, Id=1.5A, SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 192837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 56559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS214NL6327 | INFINEON | 09+ MSOP10 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NW H6327 | Infineon | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS214NW H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS214NWH6327 | Infineon Technologies | Description: BSS214 - 250V-600V SMALL SIGNAL Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327-HXY HXY MOSFET | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 2A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS214NW L6327; BSS214NWH6327XTSA1; BSS214NWH6327 TBSS214nw HXY Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω | auf Bestellung 10232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 153000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3 | auf Bestellung 87949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS214NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 185992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 143 @ 10, Qg, нКл = 0,8 @ 5 В, Rds = 140 мОм @ 1.5 А, 4.5 В, Ugs(th) = 1,2 @ 3,7 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 33914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 89546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS214NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 185992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 89546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON | Infineon | Transstor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS214NW L6327; BSS214NWH6327XTSA1; BSS214NWH6327XTSA1 TBSS214nw Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS214NWL6327XT | Infineon technologies | auf Bestellung 2613 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS215P | Infineon | 09+ SOP-8 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS215P H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: SOT23-3 Power dissipation: 0.5W Drain current: -1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V | auf Bestellung 8912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 421 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS215P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 11340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS215P H6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS215PH6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 16211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm | auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 32612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Drain current: -1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P2 | auf Bestellung 3005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 41896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm | auf Bestellung 10604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 41896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS215PL6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS215PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS215PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS22 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS223PW H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3 | auf Bestellung 9808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V 390mA SOT-323-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 11700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 43478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 33782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm | auf Bestellung 16506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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