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Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMP3018SFV-13

Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V

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DMP3018SFV-7

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DMP3018SFV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

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10+	0.93 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.46 EUR
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DMP3018SFV-7

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMP3018SFV-7

Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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169+	1.38 EUR
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500+	0.75 EUR
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DMP3018SFV-7

Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V

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4000+	0.4 EUR
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14000+	0.36 EUR
20000+	0.35 EUR

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DMP3018SFV-7

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMP3018SFV-7

Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 5770 Stücke:

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169+	1.38 EUR
259+	0.83 EUR
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1000+	0.7 EUR

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DMP3018SFVQ-13

Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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DMP3018SFVQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 8437 Stücke:

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DMP3018SFVQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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DMP3018SFVQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 3451 Stücke:

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DMP3018SSS-13

Description: DIODES INC. - DMP3018SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0087 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2100 Stücke:

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500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR

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DMP3018SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V

auf Bestellung 2810 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.88 EUR
18+	1.18 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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DMP3018SSS-13

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	1.45 EUR
206+	1.13 EUR
299+	0.71 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 173 Stücke

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DMP3018SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMP3018SSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K

auf Bestellung 2761 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.3 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.54 EUR
2500+	0.45 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3018SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMP3020LSS

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3020LSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1802 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3020LSS-13

MOSFETs P-Channel 2.5W

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.51 EUR
10+	1.36 EUR
100+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3020LSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1802 pF @ 15 V

auf Bestellung 4906 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.36 EUR
22+	0.99 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V

auf Bestellung 22890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.3 EUR
20+	1.11 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SFVW-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.23 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.42 EUR
10000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SFVWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

auf Bestellung 2949 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.34 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.5 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SFVWQ-13

Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SFVWQ-13

Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1028 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.78 EUR
18+	1.23 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SFVWQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2363 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.51 EUR
14+	1.57 EUR
25+	1.32 EUR
50+	1.17 EUR
100+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SFVWQ-7

Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm

auf Bestellung 1568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	3.7 EUR
140+	1.67 EUR
198+	1.08 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 68 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SFVWQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SFVWQ-7

Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm

auf Bestellung 1568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.7 EUR
140+	1.67 EUR
198+	1.08 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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DMP3021SFVWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

auf Bestellung 1757 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.44 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.63 EUR
2000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SPDW-13

Description: MOSFET 2P-CH 30V 10A PWRDI50
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 39A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.7W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 52.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.56 EUR
10+	1.37 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.68 EUR
2500+	0.58 EUR
5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SSS-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SSS-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SSS-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.99 EUR
16+	1.37 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3021SSS-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3025LK3-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3025LK3-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3025LK3-13-01

Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3025LK3-13-01

MOSFET 30V P-Ch Enh FET 25mOhm -16.1A

auf Bestellung 2185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDE-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 4888 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.31 EUR
5000+	0.3 EUR
10000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDE-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 59440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.38 EUR
25+	0.86 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDE-13

Diodes

MOSFET P-CH 30V 10.4A UDFN2020-6 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDE-13

Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDE-13

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.27 EUR
20000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDE-7

Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.27 EUR
15000+	0.26 EUR
21000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDE-7

Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDE-7

Description: DIODES INC. - DMP3026SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDE-7

Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V

auf Bestellung 62258 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.38 EUR
25+	0.86 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 2320 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.27 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.35 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDE-7

Description: DIODES INC. - DMP3026SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDF-13

Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6675 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

164+	1.52 EUR
264+	0.88 EUR
405+	0.52 EUR
532+	0.4 EUR
1000+	0.31 EUR
5000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 164 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDF-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 7710 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.27 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.33 EUR
5000+	0.32 EUR
10000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDF-13

auf Bestellung 6675 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

164+	1.52 EUR
264+	0.88 EUR
405+	0.52 EUR
532+	0.4 EUR
1000+	0.31 EUR
5000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 164 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDF-13

Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDF-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1204 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDF-7

auf Bestellung 1749 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.44 EUR
24+	0.89 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3026SFDF-7

Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

140+	1.8 EUR
225+	1.04 EUR
347+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.42 EUR

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DMP3026SFDF-7

Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMP3026SFDF-7

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DMP3026SFDF-7

Description: DIODES INC. - DMP3026SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1660 Stücke:

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140+	1.8 EUR
225+	1.04 EUR
347+	0.62 EUR
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DMP3026SFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 5797 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.27 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.35 EUR
6000+	0.29 EUR

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DMP3027LFDE-13

MOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 10K

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DMP3027LFDE-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3027LFDE-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMP3027LFDE-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3027LFDE-7

MOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3027LFDEQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3027LFDEQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3027LFDF-7

Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3027LFDF-7

Description: IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1142 pF @ 15 V

auf Bestellung 1844 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.24 EUR
28+	0.75 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-13

Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 660mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

auf Bestellung 2605 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1.65 EUR
233+	1 EUR
365+	0.58 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-13

MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A

auf Bestellung 989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.5 EUR
10+	1.01 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.38 EUR
2500+	0.36 EUR
5000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-13

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V

auf Bestellung 17468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-13

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-13

Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 660mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

auf Bestellung 2605 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1.65 EUR
233+	1 EUR
365+	0.58 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-13

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241 pF @ 15 V

auf Bestellung 17468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.52 EUR
23+	0.94 EUR
27+	0.79 EUR
50+	0.69 EUR
100+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-7

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.6A; Idm: -40A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-7

Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

auf Bestellung 3045 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

162+	1.55 EUR
265+	0.88 EUR
405+	0.52 EUR
532+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 162 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-7

auf Bestellung 1299 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.4 EUR
24+	0.88 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-7

Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

auf Bestellung 3045 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

162+	1.55 EUR
265+	0.88 EUR
405+	0.52 EUR
532+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 162 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-7

MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A

auf Bestellung 6734 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.39 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-7

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-7-W

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.38 EUR
25+	0.86 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-7-W

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDE-7-W

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR
9000+	0.29 EUR
15000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDEQ-13

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDEQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDEQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDEQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3028LFDEQ-7