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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDBD-25P-CTK1(50)Hirose ConnectorD-Sub Standard Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBD-25P-CTK1(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBD-25PF(10)Hirose Electric Co LtdDescription: CONNECTOR
Primary Material: Metal
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Connector Style: D-Sub
Termination: IDC, Ribbon Cable
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Contact Type: Signal
Number of Rows: 2
Number of Positions: 25
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Current Rating (Amps): 1A
Contact Finish: Gold
Connector Type: Plug, Male Pins
Features: Grounding Indents
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBD-25PF(55)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT
Primary Material: Metal
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Contact Finish Thickness: 8.00µin (0.203µm)
Connector Style: D-Sub
Termination: IDC, Ribbon Cable
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Contact Type: Signal
Number of Rows: 2
Number of Positions: 25
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Current Rating (Amps): 1A
Contact Finish: Gold
Connector Type: Plug, Male Pins
Features: Feed Through, Grounding Indents
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBD-25PF(55)Hirose ConnectorD-Sub Standard Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBD-25PF-610A220(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONNECTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBD-25S(55)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN LP D-SUB RCPT PNL MNT
Features: Feed Through
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Contact Finish Thickness: 8.00µin (0.203µm)
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBD-25S(55)Hirose ConnectorD-Sub Standard Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBD-25S-562A260(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONNECTOR
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBD-25S-610A260(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONNECTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBD-25S-610A600(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONNECTOR
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBD-25SS-630A200(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONNECTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBF1006014(SL-20BG)
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBG035AL01+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0065N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0065N40onsemiMOSFETs 40 V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.78 EUR
10+7.2 EUR
100+5.18 EUR
500+4.76 EUR
1000+4.52 EUR
2000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0065N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0065N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.14 EUR
22+7.93 EUR
25+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0065N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
10+6.76 EUR
100+4.84 EUR
500+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 240A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.83 EUR
10+9.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40ONN
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40onsemi / FairchildMOSFETs 40 V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.9 EUR
10+5.9 EUR
100+4.44 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.5 EUR
2000+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 240A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40onsemiMOSFETs 40 V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+5.46 EUR
100+4.61 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60onsemiMOSFETs 60 V N-Channel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60ON SemiconductorFDBL0110N60 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 60V 300A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R Si - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.83 EUR
10+9.34 EUR
100+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 3244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.13 EUR
500+6.99 EUR
1000+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60ON SemiconductorFDBL0110N60 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 60V 300A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R Si - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 3244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.2 EUR
23+10.16 EUR
100+7.13 EUR
500+6.99 EUR
1000+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0120N40ONN
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0120N40ON SemiconductorFDBL0120N40 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 240A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0120N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 25 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.21 EUR
10+5.43 EUR
100+3.86 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0120N40onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET, 40V, 240A, 1.2mohm
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.58 EUR
10+6.85 EUR
100+5.62 EUR
500+4.76 EUR
1000+4.05 EUR
2000+3.81 EUR
4000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0120N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0120N40ON SemiconductorFDBL0120N40 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 240A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0150N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+10.82 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60Fairchild SemiconductorDescription: FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60onsemiMOSFETs Update code D
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.93 EUR
10+12.26 EUR
100+10.09 EUR
500+8.98 EUR
1000+8.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.3 EUR
10+11.82 EUR
100+8.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60onsemi / FairchildMOSFETs Update code D
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.12 EUR
10+10.42 EUR
100+8.16 EUR
1000+7.28 EUR
2000+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
On-state resistance: 4.6Ω
Power dissipation: 429W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 172nC
Kind of channel: enhancement
Case: H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.08 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80ONS/FAIMOSFET N-CH 80V 300A PowerDFN-8 (PSOF-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
auf Bestellung 3042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.52 EUR
10+7.03 EUR
100+5.07 EUR
500+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+7.14 EUR
100+5.15 EUR
500+5.07 EUR
1000+4.82 EUR
2000+4.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.61 EUR
32+7.38 EUR
100+5.08 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80ONN
auf Bestellung 1198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+4.97 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.3 EUR
10000+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100onsemi / FairchildMOSFETs 100 V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+9.13 EUR
100+8.19 EUR
500+8.15 EUR
1000+8.1 EUR
2000+7.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.55 EUR
17+10.32 EUR
25+9.78 EUR
100+7.83 EUR
250+7.37 EUR
500+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.87 EUR
18+13.09 EUR
21+10.54 EUR
50+10.01 EUR
100+9.47 EUR
250+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.55 EUR
17+10.54 EUR
25+10.16 EUR
100+8.27 EUR
250+7.98 EUR
500+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.27 EUR
10+9.48 EUR
100+8.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 429W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Case: H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.87 EUR
18+13.09 EUR
21+10.54 EUR
50+10.01 EUR
100+9.47 EUR
250+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100ONN
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0210N80 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80ON SemiconductorFDBL0210N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80ON SemiconductorFDBL0210N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80ON SemiconductorFDBL0210N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80onsemiMOSFETs Code D IMR
auf Bestellung 3780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.03 EUR
10+8.77 EUR
100+6.37 EUR
500+6.03 EUR
1000+5.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
auf Bestellung 3349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.86 EUR
10+8.68 EUR
100+6.3 EUR
500+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80ON SemiconductorFDBL0210N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.53 EUR
23+7.59 EUR
25+7.08 EUR
100+6 EUR
250+5.71 EUR
500+4.81 EUR
1000+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0240N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 210A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0240N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0028 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.4 EUR
23+10.31 EUR
100+6.91 EUR
500+6.66 EUR
1000+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0240N100onsemiMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1272 Stücke:
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500+6.5 EUR
1000+6.06 EUR
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FDBL0240N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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FDBL0240N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 210A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0240N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0028 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.4 EUR
23+10.31 EUR
100+6.91 EUR
500+6.66 EUR
1000+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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FDBL0240N100ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0240N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
auf Bestellung 6743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.4 EUR
10+8.35 EUR
100+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
auf Bestellung 3670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.89 EUR
10+9.38 EUR
100+6.82 EUR
500+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.34 EUR
22+10.92 EUR
28+7.87 EUR
50+7.24 EUR
100+6.62 EUR
250+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Mounting: SMD
Case: H-PSOF8L
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Gate charge: 83nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.87 EUR
18+13.02 EUR
23+9.56 EUR
50+8.51 EUR
100+7.15 EUR
250+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100onsemiMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.61 EUR
10+8.79 EUR
100+6.7 EUR
500+6.41 EUR
1000+6.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0330N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+9.88 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80onsemi / FairchildMOSFETs TO-leadless MV7 80V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.42 EUR
10+8.34 EUR
100+6.03 EUR
500+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80ON SemiconductorFDBL0330N80 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 220A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80onsemiMOSFETs TO-leadless MV7 80V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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