Produkte > IPP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R090CFD7 | Infineon | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP60R090CFD7 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 4V; 90mOhm; 25A; 125W; -50°C ~ 150°C; Substitute: IPP60R090CFD7XKSA1; IPP60R090CFD7 INFINEON TIPP60r090cfd7 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R090CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R090CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099C6 Produktcode: 88984
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Power dissipation: 278W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C6 Drain current: 37.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099C6XKSA1 | Infineon | IPP60R099C6XKSA1 IPP60R099C6 37.9A 600V TO-220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 1429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C7 Drain current: 22A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099CPA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CPA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R099CPAAKSA1 - IPP60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099CPXK | Infineon | IPP60R099CPXK IPP60R099CP MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099CPXK | Infineon | IPP60R099CPXK IPP60R125C6XKSA1 MOSFET 600V 30A TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Power dissipation: 255W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 31A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3-1 | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 255W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm | auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099CS | INF | 07+; | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P6 | Infineon | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Power dissipation: 278W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P6 Drain current: 37.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099P7 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Power dissipation: 117W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 117W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | auf Bestellung 1111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 21 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 106 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS CFD7 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon | auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.103 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R120P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP60R120P7 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.12OHM, N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
