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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLHS6342TR2
Produktcode: 99534
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN2*2
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1019/11
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
5+0.24 EUR
10+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 11nC
auf Bestellung 6235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.67 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.48 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 129316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
31+0.69 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.7A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
auf Bestellung 124000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.7A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TR2
Produktcode: 99535
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN2*2
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 2,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,63 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/2,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
3+0.5 EUR
10+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N-Ch 30V 63mOhm 2.5V cpbl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
361+0.48 EUR
413+0.4 EUR
428+0.37 EUR
485+0.32 EUR
489+0.3 EUR
543+0.26 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
224+1.04 EUR
320+0.67 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
50+0.75 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.4 EUR
485+0.35 EUR
489+0.33 EUR
543+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
auf Bestellung 17901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.86 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
4000+0.36 EUR
24000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
224+1.04 EUR
320+0.67 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
393+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 393 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2203NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2203NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2505Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 58A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2505GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2910Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2910PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 27A 26mOhm 93.3nC LogLvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3215
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3215-033
auf Bestellung 8270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3215PBFIRTO-220 02+
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3615 (Transistor)
Produktcode: 73366
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,085 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/140
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3615(94-3212)
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3615HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3705GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3705NInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 55V 52A 58W 0.01Ω IRLI3705N TIRLI3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl
auf Bestellung 2201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+4.4 EUR
100+4.16 EUR
4000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3705NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLI3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.01 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.62 EUR
48+4.89 EUR
100+4.28 EUR
500+4.2 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3705NPBFINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+11.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3705NPBFInternational RectifierTO220-ISO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3705NPBF
Produktcode: 118152
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3803Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3803IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI3803PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI510ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLI520GPBF
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IRLI520GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 7.2A N-CH MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520NHRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLI520NHRInfineon / IRInfineon
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IRLI520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.71 EUR
350+0.64 EUR
700+0.58 EUR
1050+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520NPBFInternational RectifierTO220-ISO Транзистори
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IRLI520NPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLI520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 27
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 27
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520NPRFMD(94-5705)
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLI530
Produktcode: 14597
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Montage: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLI530GPBF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GInternational RectifierТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530G(94-5587)
auf Bestellung 21800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530G-LF33
Produktcode: 14598
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530G-LF33(94-5751)
auf Bestellung 16450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
50+2.81 EUR
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NInternational RectifierТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NIR09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv
auf Bestellung 3455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NPBF
Produktcode: 86337
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.06 EUR
99+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540GPBFVishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds +/-10V Vgs Single 9.4nC Qgs
auf Bestellung 2557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+3.47 EUR
100+2.78 EUR
250+2.67 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.02 EUR
2000+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540NInternational RectifierHEXFET® Power MOSFET TO-220 FULLPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540NPBFInfineonТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 20A 44mOhm 49.3nC LogLvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540NPBFInternational RectifierHEXFET® Power MOSFET TO-220 FULLPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540NPBFJSMSEMIMOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI610ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1902+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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