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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLHS6242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 9.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
289+0.81 EUR
376+0.57 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
auf Bestellung 30370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
50+0.98 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6276TR2
Produktcode: 99533
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN2*2
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 310/3,1
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
1+0.5 EUR
10+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6276TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6276TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6276TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
auf Bestellung 7995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.24 EUR
100+0.8 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.44 EUR
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6276TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6276TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6276TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6276TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.83 EUR
222+1.05 EUR
343+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6276TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6276TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2
Mounting: SMD
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Case: PQFN2X2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TR2
Produktcode: 99534
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN2*2
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1019/11
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.7A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 129316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
31+0.69 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.7A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
auf Bestellung 124000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 11nC
auf Bestellung 6235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.67 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.48 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TR2
Produktcode: 99535
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN2*2
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 2,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,63 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/2,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.5 EUR
10+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N-Ch 30V 63mOhm 2.5V cpbl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
224+1.04 EUR
320+0.67 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
auf Bestellung 17901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.86 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
4000+0.36 EUR
24000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
21+1.04 EUR
50+0.76 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
361+0.49 EUR
413+0.42 EUR
428+0.38 EUR
485+0.32 EUR
489+0.31 EUR
543+0.26 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.42 EUR
485+0.36 EUR
489+0.35 EUR
543+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
224+1.04 EUR
320+0.67 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
393+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 393 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2203NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2203NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI2505Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 58A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRLI2505GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLI2910Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRLI2910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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IRLI2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLI2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLI2910PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 27A 26mOhm 93.3nC LogLvl
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IRLI3215
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLI3215-033
auf Bestellung 8270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLI3215PBFIRTO-220 02+
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLI3615 (Transistor)
Produktcode: 73366
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,085 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/140
Montage: THT
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IRLI3615(94-3212)
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLI3615HRInfineon / IRInfineon
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IRLI3705GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLI3705NInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 55V 52A 58W 0.01Ω IRLI3705N TIRLI3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRLI3705NPBF
Produktcode: 118152
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLI3705NPBFInternational RectifierTO220-ISO Транзистори
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IRLI3705NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLI3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.01 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.62 EUR
48+4.89 EUR
100+4.28 EUR
500+4.2 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl
auf Bestellung 2201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+4.4 EUR
100+4.16 EUR
4000+2.2 EUR
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IRLI3705NPBFINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+11.58 EUR
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IRLI3803Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRLI3803IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLI3803PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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IRLI510ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLI520GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
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IRLI520GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLI520GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLI520GPBF
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IRLI520GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLI520GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 7.2A N-CH MOSFET
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IRLI520NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
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IRLI520NHRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLI520NHRInfineon / IRInfineon
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IRLI520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.73 EUR
350+0.65 EUR
700+0.6 EUR
1050+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRLI520NPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRLI520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLI520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 27
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 27
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520NPBFInternational RectifierTO220-ISO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI520NPRFMD(94-5705)
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLI530
Produktcode: 14597
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLI530GPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530G(94-5587)
auf Bestellung 21800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530G-LF33
Produktcode: 14598
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530G-LF33(94-5751)
auf Bestellung 16450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
50+2.81 EUR
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530GPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLI530NIR09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NPBF
Produktcode: 86337
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.11 EUR
99+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI530NPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI540GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
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IRLI540GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
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