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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDBL0330N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5805 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.53 EUR
19+9.16 EUR
25+8.4 EUR
100+7.24 EUR
250+6.66 EUR
500+5.9 EUR
1000+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.67 EUR
23+10.28 EUR
100+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.53 EUR
19+9.37 EUR
25+8.73 EUR
100+7.64 EUR
250+7.21 EUR
500+6.57 EUR
1000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.29 EUR
10+7.98 EUR
100+6.03 EUR
1000+5.95 EUR
2000+5.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5805 pF @ 75 V
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.74 EUR
10+9.28 EUR
100+6.75 EUR
500+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.67 EUR
23+10.28 EUR
100+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150onsemiMOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 2256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.48 EUR
10+8.69 EUR
100+6.62 EUR
500+6.34 EUR
1000+5.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085onsemiMOSFETs PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 11428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.48 EUR
10+10.22 EUR
100+7.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 429W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Case: H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.47 EUR
18+13.65 EUR
21+10.22 EUR
50+9.08 EUR
100+7.95 EUR
250+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085onsemi / FairchildMOSFETs PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 11163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.2 EUR
10+10 EUR
100+8.19 EUR
500+7.77 EUR
1000+7.41 EUR
2000+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085ONN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.07 EUR
10+11.2 EUR
100+9.34 EUR
500+8.23 EUR
1000+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.47 EUR
18+13.65 EUR
21+10.22 EUR
50+9.08 EUR
100+7.95 EUR
250+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86062-F085AWonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063onsemiMOSFETs FET 100V 2.6MOHM H PSOF8L
auf Bestellung 1731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.43 EUR
10+10.5 EUR
100+7.71 EUR
500+7.31 EUR
1000+7.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
auf Bestellung 1812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.52 EUR
10+13.11 EUR
100+10.86 EUR
500+9.46 EUR
1000+8.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063-F085ON SemiconductorN Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86063-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.08 EUR
10+10.25 EUR
100+7.51 EUR
500+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063-F085onsemiMOSFETs NMOS TOLL 100V 2.0 MOHM
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.83 EUR
10+9.7 EUR
100+7.46 EUR
1000+7.41 EUR
2000+6.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063-F085AWonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86063_F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.77 EUR
10+5.81 EUR
100+4.12 EUR
500+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085ONN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
auf Bestellung 7066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.66 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.08 EUR
40+4.28 EUR
42+3.94 EUR
100+3.27 EUR
250+2.96 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085onsemiMOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+3.61 EUR
100+3.53 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.17 EUR
2000+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.05 EUR
47+3.61 EUR
48+3.38 EUR
100+2.95 EUR
250+2.74 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
auf Bestellung 7066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.82 EUR
38+6.18 EUR
100+4.66 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085
Produktcode: 203129
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.19 EUR
500+3 EUR
1000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085AWonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86210Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86210-F085onsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A
auf Bestellung 8778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.84 EUR
10+7.25 EUR
100+5.99 EUR
1000+5.65 EUR
2000+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86210-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.4 EUR
26+9.03 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86210-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5805 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.76 EUR
10+8.59 EUR
100+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86210-F085ONN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86210-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.4 EUR
26+9.03 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86210-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5805 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0014 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
auf Bestellung 3818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.4 EUR
26+9.03 EUR
100+6.13 EUR
500+6.06 EUR
1000+6 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085onsemi / FairchildMOSFETs 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.16 EUR
10+7.33 EUR
100+5.99 EUR
1000+5.59 EUR
2000+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085onsemiMOSFETs 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 9583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.92 EUR
10+8.71 EUR
100+6.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0014 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
auf Bestellung 3818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.4 EUR
26+9.03 EUR
100+6.13 EUR
500+6.06 EUR
1000+6 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.76 EUR
10+8.6 EUR
100+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 429W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86361-F085AWonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
auf Bestellung 7176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.07 EUR
38+6.18 EUR
100+4.84 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.52 EUR
10+5.87 EUR
100+4.46 EUR
1000+4.44 EUR
2000+4.02 EUR
4000+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085ONN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
10+6.93 EUR
100+5.6 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085onsemiMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 3965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+6.62 EUR
100+4.96 EUR
500+4.46 EUR
1000+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
auf Bestellung 7176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.84 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085AWonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085onsemiMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 2677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
10+5.32 EUR
100+3.8 EUR
500+3.22 EUR
1000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085ONN
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.003 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 387518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
10+5.02 EUR
100+3.64 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.003 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.22 EUR
50+4.71 EUR
100+3.08 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 2086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+3.14 EUR
100+2.93 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.84 EUR
2000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 386000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86366-F085AWonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.82 EUR
10+8.62 EUR
100+6.25 EUR
500+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085onsemiMOSFETs 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.13 EUR
10+8.15 EUR
100+5.89 EUR
500+5.49 EUR
1000+5.3 EUR
2000+5.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86561-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 6312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.29 EUR
28+8.45 EUR
100+5.72 EUR
500+5.62 EUR
1000+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085ONN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86561-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 6312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.29 EUR
28+8.45 EUR
100+5.72 EUR
500+5.62 EUR
1000+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86561-F085onsemi / FairchildMOSFETs 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.81 EUR
10+7.52 EUR
100+5.51 EUR
500+5.49 EUR
1000+5.34 EUR
2000+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86563-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.34 EUR
10+8.28 EUR
100+5.99 EUR
500+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86563-F085onsemiMOSFETs 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench
auf Bestellung 3440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+7.52 EUR
100+5.63 EUR
500+5.21 EUR
1000+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86563-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86563-F085onsemi / FairchildMOSFETs 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+6.68 EUR
100+5.21 EUR
1000+4.71 EUR
2000+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86566-F085onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+4.02 EUR
100+3.53 EUR
500+3.28 EUR
1000+2.98 EUR
2000+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86566-F085ONS/FAIMOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86566-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86566-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.5 EUR
10+4.49 EUR
100+3.28 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86566-F085onsemiMOSFETs 60V N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+4.58 EUR
100+3.77 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86566-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDBL86566-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
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FDBL9401-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
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FDBL9401-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) H-PSOF T/R
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FDBL9401-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) H-PSOF T/R
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FDBL9401-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
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FDBL9401-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET TO-leadless, PT8,40V 300A, 0.76mOhm
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FDBL9401-F085T6onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF
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