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FDS8449_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.6A Automotive 8-Pin SOIC T/R
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FDS8449_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
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FDS8449_NL
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FDS8521LFAIRCHILD07+ SO-8
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FDS8560FSC09+ MSOP-8
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FDS8588FSC00+ SOP
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FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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FDS86106onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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2+2.84 EUR
10+1.92 EUR
100+1.34 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS86106onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.99 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.89 EUR
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FDS86106onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 8878 Stücke:
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1+4.08 EUR
10+2.59 EUR
100+1.74 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.19 EUR
5000+1.14 EUR
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FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86106onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
auf Bestellung 33396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDS86106ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86140onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86140ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS86140
Produktcode: 179302
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86140ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10 EUR
50+6.15 EUR
100+4.01 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDS86140ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.2A; Idm: 50A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.2A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS86140onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.28 EUR
10+2.89 EUR
100+2.78 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.62 EUR
2500+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86140onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
10+5.43 EUR
50+4.22 EUR
100+3.83 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86140ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.61 EUR
57+3.05 EUR
60+2.78 EUR
100+2.37 EUR
250+2.25 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86140Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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FDS86140onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 10997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+5.68 EUR
100+4.24 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.28 EUR
2500+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86140ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.01 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 20250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+3.72 EUR
100+2.75 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.71 EUR
5000+1.63 EUR
10000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.74 EUR
67+2.59 EUR
69+2.4 EUR
73+2.2 EUR
105+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.42 EUR
72+2.31 EUR
100+2.19 EUR
250+2.08 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
auf Bestellung 5025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.57 EUR
100+2.48 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.99 EUR
94+1.88 EUR
122+1.4 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.59 EUR
51+4.59 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.82 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 23870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+2.75 EUR
100+2.48 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.34 EUR
82+2.09 EUR
84+1.96 EUR
86+1.86 EUR
112+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.58 EUR
5000+1.55 EUR
10000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.02 EUR
10+4.11 EUR
100+3.31 EUR
500+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
auf Bestellung 7713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
10+5.25 EUR
50+4.07 EUR
100+3.7 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.5 A, 0.0173 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.67 EUR
40+5.91 EUR
100+3.86 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 16081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.51 EUR
10+4.3 EUR
25+4.27 EUR
100+3.12 EUR
500+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+3.56 EUR
500+3.21 EUR
1000+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86240ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86242onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 929886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
909+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
10000+0.58 EUR
100000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 909 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.57 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86242onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 26683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+1.92 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.57 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86242onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.64 EUR
50+1.23 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86242ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
909+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 909 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86252ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.5A; Idm: 20A; 5W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.5A
Gate charge: 10.6nC
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86252onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.25 EUR
10+2.07 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.89 EUR
5000+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86252onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+1.23 EUR
100+1.08 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 75 V
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
11+2.06 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PonsemiMOSFETs PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet
auf Bestellung 6578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+2.26 EUR
100+1.82 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.255 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
auf Bestellung 3681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.5 EUR
67+3.47 EUR
100+2.17 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.15 EUR
78+2.23 EUR
106+1.56 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.4 EUR
250+1.48 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; Idm: -34A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -34A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.255 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
auf Bestellung 3681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.17 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.13 EUR
78+2.26 EUR
107+1.61 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86267PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
50+2.24 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
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121+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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FDS8638ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 18, Ciss, пФ @ Uds, В = 5680 @ 15, Qg, нКл = 86, Rds = 4,3 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FDS8638onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.55 EUR
50+1.93 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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335+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8638ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.09 EUR
50+4.69 EUR
100+3.37 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 497 Stücke:
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108+1.65 EUR
121+1.42 EUR
122+1.36 EUR
139+1.15 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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FDS8638onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8638onsemi / FairchildMOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench
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2+2.43 EUR
10+1.94 EUR
100+1.54 EUR
250+1.48 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8638ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86540ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.0037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.32 EUR
42+5.59 EUR
100+4.15 EUR
500+3.99 EUR
2500+3.8 EUR
5000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86540onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 30 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.69 EUR
10+5.74 EUR
50+4.47 EUR
100+4.06 EUR
500+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS86540onsemi / FairchildMOSFET 60V/20V NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+5.19 EUR
25+5.05 EUR
100+4.21 EUR
250+4.06 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.2 EUR
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