Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IPD5019-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 19V 2.63A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD5019-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 19V 2.63A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD5019-760 | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 19V 2.6A Class I / Level VI | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD5019-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 49W Packaging: Box Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Voltage - Output: 19V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 2.6A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 49 W | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD5019-760S | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 19V 2.63A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD5019-760S | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 19V 2.6A 2.1x5.5 connector | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD5019-760S | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 49W Power (Watts): 49 W Part Status: Active No Load Power Consumption: 100mW (Max) Region Utilized: North America Input Connector: IEC 320-C14 Current - Output (Max): 2.6A Efficiency: Level VI Form: Desktop (Class I) Approval Agency: CE, cTUVus Input Type: Cord (Sold Separately) Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Cord Length: 48" (1.22m) Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Polarization: Positive Center Voltage - Output: 19V Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Packaging: Box | auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD5019-760S | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 19V 2.63A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD5024-760 | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 24V 2.1A Class I / Level VI | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD5024-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 50W Packaging: Box Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Voltage - Output: 24V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 2.1A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 50 W | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD5024-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 24V 2.08A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD5024-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 24V 2.08A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD5024-760S | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 24V 2.08A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD5024-760S | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 24V 2.1A 2.1x5.5 connector | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD5024-760S | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 50W Packaging: Box Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Voltage - Output: 24V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 2.1A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 50 W | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD5024-760S | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 24V 2.08A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N03S2-07 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS | auf Bestellung 7429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N03S2-07 | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 19407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N03S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS | auf Bestellung 1743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4312 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N03S2L06ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm | auf Bestellung 4002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N03S2L06ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm | auf Bestellung 4002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N03S4L-06 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 3520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N03S4L06ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50N03S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 56W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm | auf Bestellung 1569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N03S4L06ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 56W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Power dissipation: 56W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 4.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N03S4L06ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50N03S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 56W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm | auf Bestellung 1569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S3-08 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T | auf Bestellung 2128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N04S3-09 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 117554 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 242500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 137085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S308ATMA1-INF | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 70201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 78069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S4-08 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 16154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N04S4-08 | Infineon Technologies | Description: IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S4-08 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S4-10 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 4854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 46W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm | auf Bestellung 29059 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 81689 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 11920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 5349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 46W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm | auf Bestellung 28379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 562 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S408ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 47A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 47A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 46W Case: PG-TO252-3-313 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS® -T2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S410ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 50A; 41W; DPAK; automotive industry Power dissipation: 41W Gate charge: 18.2nC Polarisation: N Technology: MOSFET Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 20V Case: DPAK On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S410ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm | auf Bestellung 6309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S410ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 41W; DPAK,TO252 Power dissipation: 41W Gate charge: 18.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S410ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm | auf Bestellung 6309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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