Produkte > BFU
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 29 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 12dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530AVL | NXP | Description: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 12dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530AVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 9791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530AVL | NXP | Description: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP | Description: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 DC-Stromverstärkung hFE: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 450 Verlustleistung: 450 Bauform - Transistor: SOT-143B Bauform - HF-Transistor: SOT-143B Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: BFU530 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 40 Übergangsfrequenz: 11 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 2972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-143B Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 21.5dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530R | NXP | Description: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Verlustleistung: 450 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Bauform - Transistor: SOT-143B Dauer-Kollektorstrom: 40 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530R Produktcode: 99606
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530VL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530VL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 9790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530W,115 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 433MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530W115 | NXP Semiconductors | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530W115 | NXP | Description: NXP - BFU530W115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530WF | NXP | Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530WF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 2101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530WF | NXP | Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 10mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 7242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530WX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | auf Bestellung 24836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 7242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530WX | NXP | Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 18.5dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 8839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530WX | NXP | Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU530XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530XAR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530XR | NXP USA Inc. | Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP | Description: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143R Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU530XR Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP | Description: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143R Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU530XR Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 16.5dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-143R Supplier Device Package: SOT-143R Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V | auf Bestellung 6815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Supplier Device Package: SOT-143R Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Power - Max: 450mW Gain: 16.5dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-143R Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530XRVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU530XVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU530XVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 16.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550215 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550215 | NXP | Description: NXP - BFU550215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550235 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550235 | NXP | Description: NXP - BFU550235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550A215 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550A235 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550AR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550AR | NXP | Description: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 33012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550AR | NXP | Description: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 2981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550AVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 9563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 18979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550R | NXP | Description: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550R Produktcode: 182070
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
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| BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 5129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550R | NXP | Description: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 5129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 24262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550VL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550VL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550VL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550W135 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 8075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70 Supplier Device Package: SC-70 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 450mW Gain: 12dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 9320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550WF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 5603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550WF | NXP | Description: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70 Supplier Device Package: SC-70 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 11GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 450mW Gain: 12dB Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550WF | NXP | Description: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 717543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550WX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | auf Bestellung 2543 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550WX | NXP | Description: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 7039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 7039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFU550WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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