Produkte > BSL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 83470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon | Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000; BSL215CH6327; BSL215CH6327XTSA1 TBSL215c Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 2130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | auf Bestellung 14705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 4969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 1.5/-1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: PG-TSOP-6 On-state resistance: 0.173/0.25Ω Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W | auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL215CL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL215PL6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL215PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL215PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL296SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1.26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL296SNH6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSL296SNH6327XTSA1 - BSL296 250V-600V SMALL SIGNALOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 108300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL296SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1.26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | auf Bestellung 108300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL296SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL302SN | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL302SN H6327 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL302SN L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 7.1A TSOP-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL302SNL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL302SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL302SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL303SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP6-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1697 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL303SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL305SPEH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSL305SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL305SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL306NH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSL306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNALN CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL306NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL306NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL307SP | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSL307SP | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL307SP | Infineon Technologies | MOSFETs P-Channel MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL307SP H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | auf Bestellung 3664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL307SP H6327 Produktcode: 170875
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSL307SP L6327 | INFINEON | TSOP6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL307SP L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs P-Ch -30V 5.5A TSOP-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon | P-MOSFET 30V 5.5A 2W 43mΩ BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327 Infineon TBSL307sp Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | auf Bestellung 4408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm | auf Bestellung 2048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.5A Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Technology: OptiMOS™ P | auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm | auf Bestellung 2048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL307SPL6327 | INF | 07+; | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL307SPL6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSL307SPL6327HTSA1 - BSL307 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 197289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL307SPL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL307SPL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 663189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL307SPL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 665189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL307SPT | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL308C | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL308C H6327 | Infineon | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSL308C H6327 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL308C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N and P-Ch 30V 2.3A, -2A TSOP-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.3/-2A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 67/88mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 | auf Bestellung 3098 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 18463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 5940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 18463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | auf Bestellung 67994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 12264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308CL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSL308PEH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 4842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 1303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 Produktcode: 163576
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| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | auf Bestellung 18378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 5945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 17943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 1303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 4282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSL308PEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
