Produkte > DMG
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V | auf Bestellung 50533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UW-7 | Diodes | MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1013UW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Mounting: SMD Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: -540mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 915000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 28787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet | auf Bestellung 30779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 915000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UW-7 | DIODES/ZETEX | Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1013UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 32462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | auf Bestellung 592235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 4890000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) FET Type: P-Channel Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 580000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW Mounting: SMD Gate charge: 622.4pC Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -3A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Kind of package: 13 inch reel; tape Drain current: -540mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1013UWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1013UWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 310mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3059 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) FET Type: P-Channel | auf Bestellung 2313 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Mounting: SMD Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±6V Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: -540mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3059 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1013UWQ-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1013UWQ-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 207000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016UDW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT363 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.85/-1.07A Power dissipation: 0.53W On-state resistance: 0.45/0.75Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape | auf Bestellung 632 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair | auf Bestellung 84321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 261000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016UDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 16090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 261000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016UDW-7 | auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMG1016UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016UDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 8849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 414000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016UDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1016UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 414000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016UDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363 Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 330mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1016UDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 19975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 195000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 530mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 530mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 | auf Bestellung 251478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 1463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 530mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 530mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016VQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016VQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1016VQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016VQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016VQ-13-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta), 640mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016VQ-13-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016VQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016VQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016VQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 171000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1016VQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016VQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1016VQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 195000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016VQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1016VQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 530mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 173455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1023UV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 471267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET P-CHANNEL | auf Bestellung 5829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1023UV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET x2 Mounting: SMD Case: SOT563 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.68A On-state resistance: 25Ω Power dissipation: 0.53W Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 471000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1023UV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1023UV-7-52 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1023UV-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6224nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1023UVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 480000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG1023UVQ-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG1023UVQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG1023UVQ-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |