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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
EFC2K103NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 12V 40A 10WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 6V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.54x1.77)
Part Status: Last Time Buy
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC2K107NUZTCGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A 10WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.84x1.96)
auf Bestellung 4697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
14+1.55 EUR
100+1.07 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC2K107NUZTCGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A 10WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.84x1.96)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC3C001NUZTCGonsemiDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 4WLCSP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC3C001NUZTCGON SemiconductorMotor / Motion / Ignition Controllers & Drivers NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC3C001NUZTCGONSEMIDescription: ONSEMI - EFC3C001NUZTCG - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-220F
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC3J018NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.77x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC3J018NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.77x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.8 EUR
10000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC3J018NUZTDGonsemiMOSFETs PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
auf Bestellung 52067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4601-M-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4601-M-TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, EFCP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4580000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8013+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8013 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4601R-M-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4601R-M-TR - NCH 2.5V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8155000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4601R-M-TRON SemiconductorEFC4601R-M-TR
auf Bestellung 6640000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.45 EUR
10000+0.39 EUR
100000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1441 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4601R-M-TRON SemiconductorEFC4601R-M-TR
auf Bestellung 1540000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.45 EUR
10000+0.39 EUR
100000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1441 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4611-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4611-TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, EFCP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1570000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1069+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-S-TRON Semiconductor
auf Bestellung 159970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-S-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-S-TRON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4612R-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 660000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 625000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-TRONN
auf Bestellung 4255 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-W-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-W-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-W-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2420+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2420 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4612R-W-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4612R-W-TR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4615R-TRonsemiMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 4714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.74 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.3 EUR
5000+0.27 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4615R-TRON Semiconductor
auf Bestellung 191390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4615R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4615R-TR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 124925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4615R-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EFCP1515-4CC-037
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4618R-P-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP1818
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP1818-4CC-037
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4618R-P-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4618R-P-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 538171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4618R-P-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP1818
Supplier Device Package: EFCP1818-4CC-037
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4nC @ 4.5V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 538171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1457+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4618R-TRON Semiconductor
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4618R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP1818
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Supplier Device Package: EFCP1818-4CC-037
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4619R-A-TRON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4619R-A-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4619R-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 6290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4619R-TRON Semiconductor
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4619R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4619R-TR - MOSFET, DUAL N-CH, 24VSS, 6A, EFCP
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 148000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4619R-TRON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH EFCP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4621R-A-TRON SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4621R-A-TRON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4621R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP1616
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: EFCP1616-4CE-022
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.43 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4621R-TRONN
auf Bestellung 4360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4621R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4621R-TR - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET, 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4621R-TRON SemiconductorMOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4621R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP1616
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: EFCP1616-4CE-022
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
21+1.05 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4626R-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE
auf Bestellung 4885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4626R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-BGA (1x1)
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4626R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-BGA (1x1)
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
100+0.33 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4626R-TRON Semiconductor
auf Bestellung 7005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4626R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4626R-TR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4627R-A-TRON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4627R-A-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4627R-A-TR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4627R-A-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4627R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4627R-TR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4627R-TRonsemiMOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE S
auf Bestellung 16405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.54 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
8000+0.19 EUR
24000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4627R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 4-EFCP (1.01x1.01)
Part Status: Active
auf Bestellung 5238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4627R-TRONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; N; 12V; 6A; 1.4W; SMD4
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 13.4nC
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 12V
Polarisation: N
Case: SMD4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4627R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 4-EFCP (1.01x1.01)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4630R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A EFCP
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4630R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC4630R-TR - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4630R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A EFCP
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4C002NLTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 8WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (6x2.5)
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4C002NLTDGONN
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4C002NLTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 8WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (6x2.5)
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4C002NLTDGON SemiconductorMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers NCH 30V 30A WLCSP8 DUAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4C012NLTDGonsemiMOSFET NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL N-CHAN
auf Bestellung 4580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+3.01 EUR
100+2.64 EUR
250+2.49 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.31 EUR
5000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4K105NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 22V 25A 10WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 22V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.4x1.96)
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
16+1.33 EUR
100+1.04 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4K105NUZTDGonsemiMOSFET Dual NCH 22V 25A
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.63 EUR
10+1.34 EUR
100+1.05 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.68 EUR
5000+0.65 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4K105NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 22V 25A 10WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 22V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.4x1.96)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4K110NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 25A 10WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.2x2.1)
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+3.4 EUR
100+2.74 EUR
500+2.25 EUR
1000+1.86 EUR
2000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4K110NUZTDGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 25A 10WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.2x2.1)
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4K110NUZTDGonsemiMOSFET Dual NCH 24V 25A
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+3.2 EUR
100+2.57 EUR
250+2.45 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.7 EUR
2500+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4K110NUZTDGON Semiconductor
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6601R-A-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6601R-A-TRON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH EFCP
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6601R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6601R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC6601R-TR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 684263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6601R-TRONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; N; 24V; 13A; 2W; WLCSP6; ESD
Case: WLCSP6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: 12V
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 24V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6601R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6601R-TRON Semiconductor
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6601R-TRonsemiMOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 5081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.52 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6602R-A-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6602R-A-TRON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH EFCP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6602R-TRonsemiMOSFETs Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 5.9 mohm, 18 A, Dual N-Channel
auf Bestellung 3014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6602R-TRONN
auf Bestellung 2089 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6602R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6602R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
auf Bestellung 635000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 826 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6604Ronsemionsemi NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6604R-A-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6604R-A-TRonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6604R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 6EFCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6604R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 6EFCP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46)
auf Bestellung 1221020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1976+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1976 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6604R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC6604R-TR - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-220F
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1126020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6604R-TRON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6605R-TRonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 6EFCP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46)
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 4.5V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6605R-TRONSEMIDescription: ONSEMI - EFC6605R-TR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 590000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6605R-TRonsemiMOSFET NCH+NCH 10A 24V 2.5V DRIVE
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+1 EUR
100+0.75 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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