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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDB016N04AL7onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 230-234 Tag (e)
1+9.64 EUR
100+8.68 EUR
500+7.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0170N607LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.37 EUR
10+6.24 EUR
100+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0170N607LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1620A; 250W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1620A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0170N607LonsemiMOSFETs 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
auf Bestellung 9400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.22 EUR
10+6.81 EUR
100+4.88 EUR
500+4.3 EUR
800+4.11 EUR
4800+4.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0170N607LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.53 EUR
1600+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0170N607LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807LonsemiMOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
auf Bestellung 5235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.79 EUR
10+8.69 EUR
100+6.47 EUR
500+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.22 EUR
10+8.91 EUR
100+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807Lonsemi / FairchildMOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+5.76 EUR
100+5.4 EUR
500+5.3 EUR
800+4.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: Power Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.25 EUR
31+5.34 EUR
100+4.45 EUR
250+4.2 EUR
500+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N04AL7onsemi / FairchildMOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+10.36 EUR
25+9.81 EUR
100+8.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.34 EUR
27+6.22 EUR
28+5.93 EUR
50+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 1361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.2 EUR
10+7.9 EUR
25+7.25 EUR
100+6.07 EUR
500+5.97 EUR
800+5.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 162A
Pulsed drain current: 916A
Power dissipation: 246W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.83 EUR
10+7.22 EUR
100+5.19 EUR
500+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+4.65 EUR
500+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB024N08BL7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+4.65 EUR
500+4.36 EUR
1000+4 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
10+7.35 EUR
100+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.5 EUR
10+7.72 EUR
100+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807LonsemiMOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.2 EUR
25+9.42 EUR
100+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807LON Semiconductor
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; Idm: 1110A; 214W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1110A
Power dissipation: 214W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+14.57 EUR
100+11.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.33 EUR
25+8.98 EUR
100+8.64 EUR
250+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 84nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.49 EUR
12+20.08 EUR
15+15.18 EUR
50+13.92 EUR
100+12.64 EUR
250+12.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007LonsemiMOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.4 EUR
10+13.83 EUR
100+11.13 EUR
500+10.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.13 EUR
25+8.65 EUR
100+8.18 EUR
250+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.49 EUR
12+20.08 EUR
15+15.18 EUR
50+13.92 EUR
100+12.64 EUR
250+12.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB029N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB029N06onsemi / FairchildMOSFET NCH 60V 2.9Mohm
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.85 EUR
10+10.09 EUR
25+9.73 EUR
100+8.76 EUR
250+8.68 EUR
500+8.07 EUR
800+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB029N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB029N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB029N06ONS/FAIMOSFET N-Ch, 60V, 120A, D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB029N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
auf Bestellung 16133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0300N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.09 EUR
10+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0300N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0300N1007LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB0300N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.7
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0300N1007LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0300N1007LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.77 EUR
19+9.16 EUR
25+8.4 EUR
100+6.96 EUR
250+5.11 EUR
500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0300N1007LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0300N1007Lonsemi / FairchildMOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.63 EUR
10+6.64 EUR
25+6.59 EUR
100+5.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB031N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB031N08onsemiMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB031N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB031N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB031N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 5655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.34 EUR
10+8.29 EUR
100+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.72 EUR
21+8.5 EUR
25+8.23 EUR
100+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
auf Bestellung 6090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.35 EUR
10+8.31 EUR
100+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.62 EUR
10+7.5 EUR
100+5.74 EUR
500+5.63 EUR
800+5.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.72 EUR
21+8.32 EUR
25+7.93 EUR
100+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.62 EUR
16+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
auf Bestellung 61429600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
auf Bestellung 29600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06AD
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06AOFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035NNS06+ SIP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.61 EUR
30+7.79 EUR
100+5.16 EUR
500+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.45 EUR
10+6.96 EUR
100+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AON Semiconductor
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+4.52 EUR
500+4.22 EUR
1000+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 15022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.58 EUR
10+7.06 EUR
100+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.14 EUR
40+4.03 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 856A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AONSEMIDescription: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.16 EUR
500+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.7 EUR
1600+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.06 EUR
50+4.7 EUR
250+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.14 EUR
40+4.19 EUR
100+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB039N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB039N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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