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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDT457Nonsemi / FairchildMOSFETs SOT-223 N-CH 30V
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.52 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.79 EUR
4000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 7638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
145+1.61 EUR
250+1.08 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
auf Bestellung 9521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
15+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT457NonsemiMOSFETs SOT-223 N-CH 30V
auf Bestellung 7395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458Ponsemi / FairchildMOSFET 30V P-Ch PowerTrench
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 991-995 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+1.32 EUR
100+0.9 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.48 EUR
8000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458PONSEMIDescription: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 3145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
196+1.19 EUR
261+0.82 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458PONSEMIDescription: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 3145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
196+1.19 EUR
261+0.82 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT459FSC09+
auf Bestellung 138018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT459NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT459NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT459NON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT459NFAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT461NFAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT461NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 540mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 47000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
497+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 497 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT4N50NZUonsemiMOSFETs UNIFET II 3OHM SOT223
auf Bestellung 4788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.32 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.9 EUR
8000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.45 EUR
91+2.57 EUR
130+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
auf Bestellung 15453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
11+2.05 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.62 EUR
107+2.18 EUR
137+1.57 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT506OmegaDescription: FDT506
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT506-DINOmegaDescription: FDT506-DIN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT506-ROmegaDescription: FDT506-R
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT506-R-DINOmegaDescription: FDT506-R-DIN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT506-R-DIN-AOmegaDescription: FDT506-R-DIN-A
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT5060FAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT5312712NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/2" WIDTH
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT55AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT6315812NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 5/8" WIDTH
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT7024L35PFI
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT71B74-S10Y
auf Bestellung 1324 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT74FCT240ATSOFDT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT8325415NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1" WIDTH -
Part Status: Active
Type: Buckle
Size / Dimension: 2.264" L x 1.476" W (57.50mm x 37.50mm)
Color: Silver
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.51 EUR
118+1.46 EUR
139+1.21 EUR
200+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 7438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
151+1.54 EUR
212+1.01 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.51 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 46mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 6.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 32021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.84 EUR
25+2.4 EUR
100+1.73 EUR
250+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.58 EUR
113+1.52 EUR
139+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
151+1.54 EUR
212+1.01 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.51 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 7775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
124+1.87 EUR
250+1.29 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.81 EUR
111+1.52 EUR
113+1.44 EUR
139+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.56 EUR
4000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FDT86102LZ.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 / REEL 08AK6006
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.11 EUR
250+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.26 EUR
4000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDT86106LZ
Produktcode: 133317
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.49 EUR
92+1.87 EUR
132+1.27 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86106LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86106LZFairchildTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86106LZonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.2 EUR
4000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 25248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.78 EUR
79+1.08 EUR
86+0.99 EUR
105+0.81 EUR
115+0.75 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.84 EUR
4000+0.77 EUR
8000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZONS/FAIMOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
140+1.67 EUR
250+1.12 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.52 EUR
100+1.11 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.12 EUR
188+0.89 EUR
194+0.83 EUR
223+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.7 EUR
8000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.93 EUR
194+0.88 EUR
223+0.75 EUR
250+0.73 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
111+2.09 EUR
250+1.29 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3763 Stücke:
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778+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 778 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86244ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.9nC
On-state resistance: 128mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 150V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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FDT86244MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
114+2.05 EUR
159+1.36 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.68 EUR
5000+0.6 EUR
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FDT86244onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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2+2.51 EUR
10+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1190 Stücke:
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175+1 EUR
207+0.81 EUR
239+0.68 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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208+0.84 EUR
240+0.71 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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209+0.83 EUR
210+0.82 EUR
244+0.69 EUR
250+0.68 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
100+1.18 EUR
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FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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209+0.81 EUR
210+0.77 EUR
244+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
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FDT86244MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
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100+2.75 EUR
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FDT86244onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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2+2.12 EUR
10+1.44 EUR
100+1.07 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.71 EUR
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 29016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
778+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
10000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 778 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86246FairchildTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86246 TFDT86246
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.89 EUR
107+1.61 EUR
200+1.43 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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FDT86246onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.23 EUR
100+1.49 EUR
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