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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDV301NonsemiMOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 527753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
14+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N
Produktcode: 115435
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1527000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.075 EUR
6000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NONS/FAISOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.39 EUR
881+0.19 EUR
1417+0.11 EUR
1600+0.096 EUR
1819+0.081 EUR
3000+0.061 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 55844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
521+0.17 EUR
603+0.14 EUR
881+0.096 EUR
1053+0.081 EUR
1544+0.055 EUR
1678+0.051 EUR
3000+0.044 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 278639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
87+0.24 EUR
122+0.18 EUR
140+0.15 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 255000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
9000+0.074 EUR
27000+0.07 EUR
51000+0.069 EUR
102000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1040 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1527000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 920687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.064 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 278639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.073 EUR
6000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 65144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
508+0.49 EUR
827+0.29 EUR
1332+0.17 EUR
1806+0.12 EUR
2071+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 508 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 918000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.064 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 107196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6212+0.1 EUR
10000+0.092 EUR
100000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 6212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6212+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N-NB9V005ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N-NLFAIRCHILDSOT-23 0812+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NCT
Produktcode: 121839
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NSOT23-301FAIRCHLD
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): 8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_NB9V005Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_NL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_NLONS/FAISOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Digital
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302Ponsemi / FairchildMOSFETs Digital FET P-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PONS/FAISOT23-3 Транзистори
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P
Produktcode: 105837
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PFairchildP-MOSFET 0.12A 25V 0.35W 10Ω FDV302P TFDV302p
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P-NB8V001ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P-NB8V001onsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P_D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): -8V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P_D87Zonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P_NB8V001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P_NLonsemi / FairchildMOSFET 25V P-CH. FET, 10 O, SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P_Qonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1341000 Stücke:
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3953+0.044 EUR
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FDV303NON-SemiconductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2366 Stücke:
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200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
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8523+0.076 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 680 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 2,3 @ 4,5 В, Rds = 450 мОм @ 500 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,35, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NonsemiMOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 246510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
14+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1341000 Stücke:
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3985+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3985 Stücke
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FDV303NVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2111 Stücke:
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344+0.5 EUR
558+0.3 EUR
770+0.2 EUR
908+0.17 EUR
1372+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 34338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
614+0.38 EUR
885+0.24 EUR
1200+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6873 Stücke:
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843+0.2 EUR
1235+0.14 EUR
3803+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 843 Stücke
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FDV303NON-SemiconductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV303NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.54 EUR
520+0.32 EUR
694+0.23 EUR
848+0.18 EUR
1243+0.12 EUR
3817+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
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FDV303NONS/FAISOT23 Транзистори
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FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 34338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+0.73 EUR
614+0.38 EUR
885+0.24 EUR
1200+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
12000+0.11 EUR
27000+0.11 EUR
51000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON-SemiconductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N
Produktcode: 46231
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FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 В
Drain-Strom Idd, A: 0,68 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,45 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/1,64
Montage: SMD
auf Bestellung: 175 St.
  • 175 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.24 EUR
10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
59+0.36 EUR
82+0.25 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 10929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.35 EUR
341+0.25 EUR
476+0.18 EUR
548+0.15 EUR
746+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
1500+0.09 EUR
3000+0.079 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N-GKGOODWORKDescription: 30V 1A 270m@4.5V SOT-23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N-NL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 25V 0.68A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+0.07 EUR
1000+0.068 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.062 EUR
15000+0.061 EUR
30000+0.058 EUR
75000+0.055 EUR
150000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N/303FAIRCHIL09+
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N_NB9U008onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Digital
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304N
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 123722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+1.17 EUR
404+0.57 EUR
553+0.39 EUR
741+0.29 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 460 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 63 @ 10 В, Qg, нКл = 1,5 @ 4,5 В, Rds = 1,1 Ом @ 500 мA, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3686+0.18 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3686 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON-SemiconductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.42 EUR
554+0.3 EUR
559+0.29 EUR
742+0.2 EUR
935+0.15 EUR
1048+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.73 EUR
367+0.45 EUR
572+0.27 EUR
633+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PonsemiMOSFETs P-Ch Digital
auf Bestellung 154775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON-SemiconductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
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FDV304P
Produktcode: 150596
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