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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 231000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.095 EUR
9000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.4 EUR
881+0.19 EUR
1417+0.12 EUR
1600+0.099 EUR
1819+0.083 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 531000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 255000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.082 EUR
9000+0.076 EUR
27000+0.074 EUR
51000+0.071 EUR
102000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 21530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 940 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 66224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
508+0.49 EUR
827+0.29 EUR
1332+0.17 EUR
1806+0.12 EUR
2071+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 508 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N
Produktcode: 115435
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1527000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 920687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.067 EUR
6000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 66224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
508+0.49 EUR
827+0.29 EUR
1332+0.17 EUR
1806+0.12 EUR
2071+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 508 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 918000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.067 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 532927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
82+0.26 EUR
114+0.18 EUR
132+0.15 EUR
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NonsemiMOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 492352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
18+0.18 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N UMWUMWTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N TFDV301n UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 107196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6212+0.11 EUR
10000+0.094 EUR
100000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 6212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6212+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N-NB9V005ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N-NLFAIRCHILDSOT-23 0812+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NCT
Produktcode: 121839
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301NSOT23-301FAIRCHLD
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_NB9V005Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_NL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_NLONS/FAISOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Digital
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302Ponsemi / FairchildMOSFETs Digital FET P-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PONS/FAISOT23-3 Транзистори
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P
Produktcode: 105837
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PFairchildP-MOSFET 0.12A 25V 0.35W 10Ω FDV302P TFDV302p
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P-NB8V001ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P-NB8V001onsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P_D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P_D87Zonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P_NB8V001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV302P_NLonsemi / FairchildMOSFET 25V P-CH. FET, 10 O, SOT23
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV302P_Qonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
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FDV303NON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 680 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 2,3 @ 4,5 В, Rds = 450 мОм @ 500 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,35, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NonsemiMOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 405637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
12+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDV303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
847+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 847 Stücke
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FDV303NON-SemiconductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 54361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
770+0.3 EUR
885+0.24 EUR
1201+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8523+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 8523 Stücke
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FDV303N
Produktcode: 46231
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FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 В
Drain-Strom Idd, A: 0,68 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,45 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/1,64
Montage: SMD
auf Bestellung: 173 St.
  • 173 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+0.24 EUR
10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
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FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
27000+0.12 EUR
51000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NONS/FAISOT23 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 54361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+0.73 EUR
770+0.3 EUR
885+0.24 EUR
1201+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3969+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3969 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON-SemiconductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3969+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3969 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
58+0.37 EUR
80+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.56 EUR
519+0.33 EUR
692+0.24 EUR
846+0.19 EUR
1241+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N ChinaVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N SHIKUESSHIKUESTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 80mOhm; 2A; Equivalent: FDV303N Onsemi; SK303N TFDV303n SHK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N UMWUMWTransistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N-GKGOODWORKDescription: 30V 1A 270m@4.5V SOT-23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N-NL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 25V 0.68A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+0.07 EUR
1000+0.068 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.062 EUR
15000+0.061 EUR
30000+0.058 EUR
75000+0.055 EUR
150000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N/303FAIRCHIL09+
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N_NB9U008onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Digital
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304N
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304P
Produktcode: 150596
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON-SemiconductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 118177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+1.17 EUR
486+0.48 EUR
553+0.39 EUR
741+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 22767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3686+0.18 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3686 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PonsemiMOSFETs P-Ch Digital
auf Bestellung 202145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.42 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON-SemiconductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
auf Bestellung 84055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.58 EUR
50+0.43 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PONS/FAIMOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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FDV304PON-SemiconductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
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FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
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