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MOSFETs IFX FET 60V

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1+	5.71 EUR
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IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N06NF2SAKMA1
Produktcode: 202347

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IPP019N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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1000+	2.34 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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97+	1.81 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

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3+	7.66 EUR
50+	3.89 EUR
100+	3.52 EUR
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1000+	2.68 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

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500+	2.37 EUR
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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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45+	3.88 EUR
48+	3.5 EUR
70+	2.33 EUR
100+	2.11 EUR
250+	2.01 EUR
500+	1.76 EUR

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IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP020N03LF2SAKSA1

Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 115 Stücke:

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5+	5.09 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.25 EUR

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IPP020N03LF2SAKSA1

MOSFETs IR FET UP TO 60V

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1+	3.75 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.09 EUR
2000+	1 EUR
5000+	0.96 EUR

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IPP020N03LF2SAKSA1

Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm

auf Bestellung 977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	3.82 EUR
103+	2.26 EUR
154+	1.39 EUR
500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

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IPP020N03LF2SAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Drain current: 125A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 2.05mΩ

auf Bestellung 200 Stücke:

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44+	1.98 EUR
66+	1.3 EUR
85+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

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IPP020N06N

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

auf Bestellung 9 Stücke:

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1+	7.9 EUR
10+	5.26 EUR
100+	4.13 EUR
500+	3.5 EUR
1000+	3.06 EUR
2500+	2.89 EUR

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IPP020N06N Infineon Technologie
Produktcode: 212141

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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 409 Stücke:

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38+	6.62 EUR
48+	4.86 EUR
100+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

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IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP020N06NAKSA1

IPP020N06NAKSA1 IPP020N06N MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 Транзистори

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IPP020N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™

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IPP020N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

auf Bestellung 296 Stücke:

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1+	5.07 EUR
10+	4.94 EUR
25+	3.39 EUR
100+	3.31 EUR
250+	3.28 EUR
500+	3.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1382 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.95 EUR
50+	5.81 EUR
100+	3.22 EUR
200+	2.92 EUR
500+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NAKSA1

N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7800 @ 30, Qg, нКл = 106 @ 10 В, Rds = 2 мОм @ 100 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 143 мкА, Р, Вт = 3, 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Id2 = 120 A,... Транзистори Корпус: PG-TO220
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

verfügbar 268 Stücke:

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IPP020N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.54 EUR
50+	3.88 EUR
100+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP020N06NXKSA1

MOSFETs IFX FET 60V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP020N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

auf Bestellung 376 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.54 EUR
50+	3.88 EUR
100+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NXKSA1

IPP020N06NXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N06NXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Gate charge: 124nC

auf Bestellung 8900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 819 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.69 EUR
10+	9.82 EUR
25+	9.26 EUR
100+	7.94 EUR
250+	7.5 EUR
500+	7.06 EUR
1000+	6.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

auf Bestellung 504 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.57 EUR
50+	6.18 EUR
100+	5.65 EUR
500+	4.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.96 EUR
50+	4.78 EUR
100+	4.64 EUR
500+	4.51 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP020N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 716 Stücke:

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1+	6.78 EUR
10+	6.39 EUR
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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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21+	8.35 EUR
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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

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91+	1.86 EUR
95+	1.71 EUR
500+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

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IPP020N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.04 EUR
30+	7.75 EUR
100+	6.53 EUR
500+	6.4 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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44+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

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IPP020N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP020N08N5XKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP020N08N5XKSA1

IPP020N08N5XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP022N12NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

auf Bestellung 6136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.22 EUR
50+	5.97 EUR
100+	5.47 EUR
500+	4.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP022N12NM6AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 2705 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.63 EUR
25+	6.75 EUR
100+	6.7 EUR
500+	5.45 EUR

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IPP022N12NM6AKSA1

N-channel MOSFET

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP023N03LF2SAKSA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3935 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.67 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1 EUR
2000+	0.94 EUR
5000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP023N03LF2SAKSA1

Description: INFINEON - IPP023N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 121 A, 2350 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP023N03LF2SAKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 121A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.31 EUR
12+	1.82 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPP023N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP023N04NG

infineon

08+

auf Bestellung 10000 Stücke:

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IPP023N04NGHKSA1

MOSFETs MV POWER MOS

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IPP023N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP023N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 497 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.92 EUR
53+	3.28 EUR
100+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.92 EUR
53+	3.2 EUR
100+	2.42 EUR
500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 169000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP023N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP023N04NGXKSA1

MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3

auf Bestellung 3806 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.83 EUR
10+	3.19 EUR
100+	2.76 EUR
250+	2.75 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.26 EUR

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IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.76 EUR
54+	3.19 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

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IPP023N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	2.8 EUR
97+	2.42 EUR
100+	2.2 EUR
500+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

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IPP023N08N5

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.72 EUR
10+	6.41 EUR
100+	5.15 EUR
500+	4.16 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	5.05 EUR
51+	3.38 EUR
100+	3.25 EUR
200+	2.99 EUR
500+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	14.54 EUR
27+	8.84 EUR
100+	6 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPP023N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

auf Bestellung 231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8 EUR
50+	4.12 EUR
100+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N08N5XKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5

auf Bestellung 21500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	5.59 EUR
500+	5.22 EUR

Mindestbestellmenge: 117 Stücke

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IPP023N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IPP023N10N5AKSA1
Produktcode: 215527

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IPP023N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.67 EUR
15+	16.41 EUR
100+	12.42 EUR
500+	10.58 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 814 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	11.42 EUR
500+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

IPP023N10N5AKSA1 MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Транзистори

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	19.15 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 814 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	11.42 EUR
500+	5 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP023N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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