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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPT0010G33RHoneywell AerospaceDescription: SENS PRESSURE MOD 10PSIG GAUGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT0020A33RHoneywell AerospaceDescription: SENS PRESSURE MODULE 20PSIA ABS
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT0020D33RHoneywell Microelectronics & Precision SensorsDescription: SENS PRESSURE MODULE 20PSID DIFF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT0020G33RHoneywell Microelectronics & Precision SensorsDescription: SENS PRESSURE MOD 20PSIG GAUGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.56 EUR
10+6.91 EUR
100+5.09 EUR
500+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
auf Bestellung 1144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.69 EUR
500+5.7 EUR
1000+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.15 EUR
10+8.15 EUR
50+6.44 EUR
100+5.88 EUR
500+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.82 EUR
28+6.06 EUR
100+4.3 EUR
500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
auf Bestellung 1144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.88 EUR
50+9.04 EUR
100+6.69 EUR
500+5.7 EUR
1000+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.83 EUR
28+5.93 EUR
100+4.14 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1InfineonMOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 4003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.94 EUR
10+6.34 EUR
100+5.81 EUR
500+5.38 EUR
1000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT004N03LATMA1
Produktcode: 161359
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT0050A33RHoneywell AerospaceDescription: SENSOR 50PSIA 0.26" 24BIT
Maximum Pressure: 150PSI (1034.21kPa)
Port Style: Barbless
Applications: Board Mount
Port Size: Male - 0.26" (6.71mm) Tube
Voltage - Supply: 4V ~ 12V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Accuracy: ±0.04%
Pressure Type: Absolute
Operating Pressure: 50PSI (344.74kPa)
Output: 24 b
Output Type: SPI
Package / Case: Module
Features: Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT0050D33RHoneywell Microelectronics & Precision SensorsDescription: SENS PRESSURE MODULE 50PSID DIFF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT0050G33RHoneywell Microelectronics & Precision SensorsDescription: SENS PRESSURE MOD 50PSIG GAUGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 8467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.67 EUR
10+8.48 EUR
100+6.83 EUR
500+6.07 EUR
1000+5.74 EUR
2000+5.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06N
Produktcode: 193411
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.13 EUR
30+5.65 EUR
100+5.08 EUR
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 26614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.9 EUR
10+6.68 EUR
100+6.12 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1
Produktcode: 180783
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.09 EUR
30+5.76 EUR
100+5.26 EUR
500+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
auf Bestellung 90745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.76 EUR
10+8.57 EUR
50+6.78 EUR
100+6.21 EUR
500+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 3081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.67 EUR
50+9.45 EUR
100+7.65 EUR
500+6.99 EUR
1000+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8-1 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 3081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.67 EUR
50+9.45 EUR
100+7.65 EUR
500+6.99 EUR
1000+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
auf Bestellung 3443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.79 EUR
24+9.79 EUR
100+7.01 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.85 EUR
23+7.53 EUR
50+5.95 EUR
100+5.21 EUR
500+4.77 EUR
2000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.23 EUR
22+7.63 EUR
50+5.93 EUR
100+5.11 EUR
500+4.56 EUR
2000+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.44 EUR
10+8.35 EUR
50+6.6 EUR
100+6.03 EUR
500+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
auf Bestellung 3443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.79 EUR
24+9.79 EUR
100+7.01 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.41 EUR
500+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 5735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.23 EUR
10+8.21 EUR
100+5.95 EUR
500+5.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.09 EUR
26+9.03 EUR
100+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 4069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+7.72 EUR
100+5.57 EUR
500+5.43 EUR
1000+5.24 EUR
2000+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.57 EUR
10+8.01 EUR
100+5.96 EUR
500+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6Infineon Technologies IFX FET > 60-80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.4 EUR
14+17.59 EUR
17+13.26 EUR
50+11.84 EUR
100+10.44 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Id, A = 43 (Ta), 425 (Tc), Udss, В = 80, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 40, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 150 А, 10 В, Ugs(th) = 3,5 @ 278 мкА, Р, Вт = 3,8 (Ta), 375 (Tc), Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпу
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.4 EUR
14+17.59 EUR
17+13.26 EUR
50+11.84 EUR
100+10.44 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.33 EUR
10+10.12 EUR
100+9.51 EUR
1000+8.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.64 EUR
10+12.79 EUR
50+10.29 EUR
100+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N10NM8Infineon Technologies IFX FET >80 - 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT009N10NM8ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesPower -Transistor, 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesPower -Transistor, 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT009N10NM8ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesPower -Transistor, 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A14-19PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A14-19PCPG13.5GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A14-19PCPHM11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A14-19PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A14-19PF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A14-19PN0GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A14-19PN0F11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A14-19PN0F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A14-19PN0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A14-19PSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A14-5PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00A16-26SCPG16B0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00E22-55PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00M12-8PCB0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00M22-41PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT00SE20-39PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5Infineon Technologies IFX FET > 60-80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.88 EUR
19+9 EUR
100+7.01 EUR
500+6.72 EUR
1000+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.24 EUR
10+10.32 EUR
50+8.21 EUR
100+7.53 EUR
500+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 425A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 425A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 3364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.93 EUR
10+8.08 EUR
100+7.41 EUR
500+6.76 EUR
1000+5.89 EUR
2000+5.71 EUR
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IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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17+10.28 EUR
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT010N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 1050 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
auf Bestellung 2645 Stücke:
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14+17.95 EUR
21+11.16 EUR
100+8.29 EUR
500+7.37 EUR
1000+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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