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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.28 EUR
27+6.57 EUR
50+6.09 EUR
100+5.64 EUR
500+5.52 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 19854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.89 EUR
10+8.95 EUR
100+7.5 EUR
500+6.51 EUR
1000+5.93 EUR
2000+5.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Gate charge: 216nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.05 EUR
4000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
auf Bestellung 85800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.86 EUR
10+9.35 EUR
100+6.81 EUR
500+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.84 EUR
50+10.58 EUR
100+7.63 EUR
500+7.28 EUR
1000+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8-1 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+8.13 EUR
100+6.24 EUR
500+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.45 EUR
26+6.64 EUR
32+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
auf Bestellung 85800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.57 EUR
18+9.64 EUR
100+7.26 EUR
500+6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.45 EUR
26+6.5 EUR
32+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT007N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.84 EUR
50+10.58 EUR
100+7.63 EUR
500+7.28 EUR
1000+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
auf Bestellung 3823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.77 EUR
20+11.88 EUR
100+8.27 EUR
500+8.08 EUR
1000+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.89 EUR
10+11.45 EUR
100+8.37 EUR
500+7.06 EUR
1000+7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
auf Bestellung 3823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.77 EUR
20+11.88 EUR
100+8.27 EUR
500+8.08 EUR
1000+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.01 EUR
10+11.27 EUR
100+9.12 EUR
500+8.08 EUR
1000+7.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.82 EUR
10+7.94 EUR
100+5.71 EUR
500+5.62 EUR
1000+5.43 EUR
2000+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.57 EUR
10+8.01 EUR
100+5.96 EUR
500+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.79 EUR
25+9.42 EUR
100+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6Infineon Technologies IFX FET > 60-80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Id, A = 43 (Ta), 425 (Tc), Udss, В = 80, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 40, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 150 А, 10 В, Ugs(th) = 3,5 @ 278 мкА, Р, Вт = 3,8 (Ta), 375 (Tc), Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпу
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.33 EUR
10+12.59 EUR
100+9.51 EUR
1000+8.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT009N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
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2+18.11 EUR
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IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT009N10NM8ATMA1
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IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL
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IPT009N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT009N10NM8ATMA1
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IPT00A14-19PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00A14-19PCPG13.5GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00A14-19PCPHM11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00A14-19PCSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00A14-19PF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00A14-19PN0GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00A14-19PN0F11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00A14-19PN0F2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00A14-19PN0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00A14-19PSRGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00A16-26SCPG16B0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00M12-8PCB0F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00M22-41PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT00SE20-39PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT010N08NM5Infineon Technologies IFX FET > 60-80V
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IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
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IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
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10+11.77 EUR
100+9.7 EUR
500+8.65 EUR
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IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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17+10.4 EUR
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IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
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24000+7.44 EUR
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IPT010N08NM5ATMA1InfineonN-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 Транзистори
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IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
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2000+6.54 EUR
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IPT010N08NM5ATMA1
Produktcode: 220375
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPT010N08NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 425A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 425A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT010N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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13+13.84 EUR
50+9.53 EUR
100+8.45 EUR
200+6.59 EUR
500+6.34 EUR
1000+5.21 EUR
2000+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPT010N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 1050 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.47 EUR
18+13.02 EUR
100+9.1 EUR
500+8.94 EUR
1000+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.02 EUR
20+12.21 EUR
25+10.31 EUR
100+9.34 EUR
500+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.38 EUR
10+6.24 EUR
100+4.44 EUR
500+3.92 EUR
2000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1Infineon Technologies60V Power-Transistor
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.23 EUR
10+8.92 EUR
100+6.49 EUR
500+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.02 EUR
20+12.21 EUR
25+10.31 EUR
100+9.34 EUR
500+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5InfineonIPT012N08N5ATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5Infineon
auf Bestellung 40050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5VBSEMIТранзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.94 EUR
25+11.26 EUR
50+10.6 EUR
100+10.01 EUR
250+9.56 EUR
500+9.16 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5TokmasТранзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
auf Bestellung 16900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.09 EUR
24+7.22 EUR
100+6.07 EUR
500+5.39 EUR
1000+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Gate charge: 178nC
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.4 EUR
12+7.56 EUR
100+7 EUR
500+6.68 EUR
1000+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8
auf Bestellung 6658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.98 EUR
10+8.69 EUR
100+6.37 EUR
500+6.01 EUR
1000+5.82 EUR
2000+5.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.09 EUR
24+7.39 EUR
100+6.31 EUR
500+5.69 EUR
1000+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
auf Bestellung 17322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.23 EUR
10+8.91 EUR
100+6.47 EUR
500+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.79 EUR
50+12.26 EUR
100+9.13 EUR
500+8.14 EUR
1000+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 56A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT012N08NF2SInfineonIPT012N08NF2SATMA1 MOSFET N-Channel 80 V 39A PG-HSOF-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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IPT012N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.86 EUR
10+7.25 EUR
100+5.2 EUR
500+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+4.4 EUR
7200+3.99 EUR
10800+3.65 EUR
14400+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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IPT012N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.75 EUR
10+7.77 EUR
100+5.65 EUR
500+4.86 EUR
1000+4.32 EUR
1800+4.11 EUR
3600+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFInfineon TechnologiesDescription: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFInfineon TechnologiesDescription: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.52 EUR
20+11.77 EUR
100+8.27 EUR
500+8.01 EUR
1000+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT013N08NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
auf Bestellung 3211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.77 EUR
10+10.01 EUR
100+7.33 EUR
500+7.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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