Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL1404PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404PBF Produktcode: 57532
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 160 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/140 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | erwartet: 30 St.
auf Bestellung: 9 St.
|
| ||||||||||||
| IRL1404PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404PBF-INF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V | auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404S | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404SPBF | Infineon / IR | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 160A 4mOhm 93.3nC Log Lvl | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZPBF Produktcode: 219024
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| VBSemi | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В Drain-Strom Idd, A: 160 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/110 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | auf Bestellung: 100 St.
|
| ||||||||||||
| IRL1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZPBF | International Rectifier | TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZPBF Produktcode: 34998
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 160 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/110 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | auf Bestellung: 10 St.
|
| ||||||||||||
| IRL1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC LogLvAB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZS | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 75nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZSPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZSPBF Produktcode: 27885
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В Drain-Strom Idd, A: 120 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,1 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5080/75 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V | auf Bestellung 3247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 790A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl | auf Bestellung 4648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 220100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL1N12L | HAR | TO-39; | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203 | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203N | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRL2203N TIRL2203n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL2203N | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203N(Transistor) Produktcode: 46039
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRL2203N-029 | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203N-029HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 116A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 116A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL2203NPBF - IRL2203 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 357361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL2203NPBF | International Rectifier HiRel Products | IRL2203NPBF | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL2203NPBF Produktcode: 74311
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 116 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3290/60 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | auf Bestellung: 491 St.
|
| ||||||||||||
| IRL2203NPBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NPBF-INF | Infineon Technologies | Description: HEXFET POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSPBF Produktcode: 1761
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRL2203NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTR | auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRL2203NSTRL | auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRL2203NSTRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 116A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTRLPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTRR | IR | 0310+ | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203NSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203S | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203STRL | Vishay / Siliconix | MOSFET Discrete Semiconductor Products | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203STRR | Vishay | Vishay | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2203STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2230NS | IR | auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRL2505 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 55V 104A 200W 0.008Ω IRL2505 TIRL2505 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRL2505L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 104A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |