Produkte > NVH

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVH660S75L4SPFConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct - Single Side Cooling 6-Pack Power Module with Flat Baseplate for Automotive 750V, 660A 6-Pack 750V 660A Press-Fit Flat Plate Power Integrated Module with Long Power Terminals
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1165.89 EUR
12+1128.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH680S75L4SPConsemiDescription: IGBT MOD 750V 680A 800W SSDC33
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.58V @ 15V, 800A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 680 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH820S75L4SPBonsemiIGBT Modules 750V, 820A SSD
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1093.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH820S75L4SPConsemiDescription: AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
Current - Collector (Ic) (Max): 820 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1176.17 EUR
12+1140.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH820S75L4SPCON SemiconductorAutomotive AEC-Q101 IGBT Module Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH820S75L4SPConsemiPower Management Specialised - PMIC AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH820S75L4SPMonsemiIGBT Modules AUTOMOTIVE 750V, 820A SSDC POWER MODULE SPM
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1184.49 EUR
12+1146.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH950S75L4SPBonsemiIGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Short Tabs 6-Pack 750V 950A Press-Fit Pin Fin Power Integrated Module with Short Power Terminals
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1449.93 EUR
12+1446.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH950S75L4SPBonsemiDescription: AUTOMOTIVE 750V, 950A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 950 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH950S75L4SPConsemiIGBT Modules VE-Trac Direct: High Performance Single Side Direct Cooling Three-Phase 6-Pack Power Module for Automotive, 750V, 950A, Long Tabs
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1465.5 EUR
12+1465.47 EUR
100+1461.72 EUR
252+1460.57 EUR
500+1454.69 EUR
1000+1446.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH950S75L4SPConsemiDescription: AUTOMOTIVE 750V, 950A SSDC POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SSDC33
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 950 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1325 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 12V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.23 EUR
10+52.86 EUR
50+45.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL015N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 115A; Idm: 484A; 321W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 484A
Power dissipation: 321W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 283nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.06 EUR
10+52 EUR
120+51.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+51.62 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N090SC1onsemiSiC MOSFETs 20MOHM 900V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.33 EUR
10+44.01 EUR
120+42.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.5 EUR
30+40.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+51.62 EUR
100+48.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 77850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+39.57 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.88 EUR
30+65.16 EUR
60+63.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+69.47 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 535
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+60.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+60.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+102.82 EUR
5+100.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL020N120SC1onsemiSiC MOSFETs 20MW 1200V
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+96.65 EUR
10+73.39 EUR
120+71.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.15 EUR
10+21.3 EUR
120+16.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL023N065M3SONS/FAISIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.67 EUR
10+21.63 EUR
50+17.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+29.93 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.91 EUR
10+38.14 EUR
120+36.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.81 EUR
10+40.04 EUR
50+33.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.52 EUR
30+25.07 EUR
60+23.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N65S3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; Idm: 300A; 595W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+21.32 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N65S3ON Semiconductor
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL025N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.16 EUR
10+27.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.82 EUR
10+25.93 EUR
120+25.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+21.43 EUR
120+20.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.48 EUR
30+25.61 EUR
60+24.06 EUR
120+22.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+21.43 EUR
120+20.91 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL027N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0274 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 595W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.36 EUR
6+40.67 EUR
10+31.87 EUR
50+22.3 EUR
100+19.73 EUR
250+18.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+51.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.46 EUR
30+32.42 EUR
120+28.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.2 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+47.92 EUR
10+37.68 EUR
50+36.37 EUR
100+35.07 EUR
250+33.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.2 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1
Produktcode: 190306
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.61 EUR
10+36.76 EUR
120+32.93 EUR
510+32.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+51.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N60S5FonsemiMOSFETs SUPERFET5 FRFET 40MOHM TO-247-3
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.42 EUR
10+12.09 EUR
120+11.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 7.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6318 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.34 EUR
10+14.8 EUR
50+12.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.82 EUR
10+13.95 EUR
120+13.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.23 EUR
30+14.05 EUR
60+12.97 EUR
120+12.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3FON Semiconductor
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0338
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.19 EUR
10+17.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.66 EUR
30+17.67 EUR
60+16.36 EUR
120+15.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOHM TO-247-3
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.88 EUR
10+15.77 EUR
120+15.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N65S3HFonsemiDescription: SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.3 EUR
30+15.42 EUR
60+14.24 EUR
120+13.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.37 EUR
10+30.68 EUR
25+29.4 EUR
100+25.91 EUR
450+23.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.28 EUR
10+23.73 EUR
120+21.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.85 EUR
10+13.97 EUR
120+13.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3FONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.25 EUR
30+14.08 EUR
60+12.98 EUR
120+12.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HFonsemiMOSFETs SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 50MOHM TO-247-3
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.2 EUR
10+10.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.27 EUR
30+11.48 EUR
60+10.56 EUR
120+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL050N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.041 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 403W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.65 EUR
28+8.59 EUR
100+7.76 EUR
500+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL055N60S5FonsemiMOSFETs SUPERFET5 FRFET 55MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL055N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.02 EUR
10+10.96 EUR
450+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.01 EUR
10+17.42 EUR
120+17.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.51 EUR
10+21.53 EUR
50+17.7 EUR
450+14.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 75150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+17.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 59563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.86 EUR
75+19.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.97 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 75150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+17.55 EUR
150+16.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL060N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3  [ Nächste Seite >> ]