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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PMGD175XNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 16851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD175XNEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 29499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
41+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115NexperiaMOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+1.09 EUR
410+0.57 EUR
672+0.32 EUR
715+0.3 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.55A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.4W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 0.66Ω
Gate charge: 0.89nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.29 EUR
334+0.25 EUR
397+0.21 EUR
439+0.19 EUR
477+0.18 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115NexperiaMOSFETs PMGD280UN/SOT363/SC-88
auf Bestellung 174569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
50+0.4 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115NXPTransistor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,55A; 400mW; SOT363; PMGD280UN,115 PMGD280UN NEXPERIA TPMGD280un
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+1.09 EUR
410+0.57 EUR
672+0.32 EUR
715+0.3 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD280UN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
30000+0.11 EUR
75000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290UCEA/DG/B2115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290UCEAHNexperia PMGD290UCEA/SOT363/SC-88
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290UCEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290UCEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD290UCEAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 725mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 725mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 21755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+1.39 EUR
295+0.79 EUR
463+0.46 EUR
618+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290UCEAXNexperiaTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.725A/0.5A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290UCEAXNexperiaMOSFETs SOT363 NPCH 20V .725A
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290UCEAXNexperiaPMGD290UCEAX MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290UCEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290UCEAXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 450/-320mA
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.99W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 380/850mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.48 EUR
242+0.36 EUR
345+0.25 EUR
459+0.19 EUR
506+0.17 EUR
550+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XNNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XNNexperiaDual N-Channel 20 V 350 mOhm 0.41 W 0.72 nC Surface Mount TrenchMOS - SOT-363 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 31010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 8088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1443+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4609+0.14 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4609 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115
Produktcode: 127291
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 52908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.62 EUR
1500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
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PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 8088 Stücke:
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1443+0.14 EUR
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PMGD290XN,115NexperiaMOSFETs SOT363 2NCH 20V .86A
auf Bestellung 108908 Stücke:
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6+0.61 EUR
10+0.38 EUR
100+0.21 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD290XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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PMGD290XN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 52908 Stücke:
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131+1.92 EUR
295+0.79 EUR
338+0.63 EUR
500+0.62 EUR
1500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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PMGD370XNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD370XNPHILIPSSOT363 06+
auf Bestellung 17871 Stücke:
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PMGD370XN T/RNXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD370XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 740mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD370XN,115NexperiaMOSFET N-CH TRENCH DL 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD370XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 740mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD400UNNXP2N-MOSFET 710mA 30V 410mW Obsolete PMGD400UN SOT363 TPMGD400un
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PMGD400UNNexperiaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD400UNNXP2N-MOSFET 710mA 30V 410mW Obsolete PMGD400UN SOT363 TPMGD400un
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD400UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD400UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SNNexperiaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+0.44 EUR
555+0.31 EUR
660+0.25 EUR
812+0.2 EUR
1205+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
21000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+1.31 EUR
402+0.58 EUR
622+0.35 EUR
633+0.33 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115NexperiaMOSFETs PMGD780SN/SOT363/SC-88
auf Bestellung 31889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.44 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 23286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
55+0.39 EUR
100+0.23 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+1.31 EUR
402+0.58 EUR
622+0.35 EUR
633+0.33 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+0.54 EUR
406+0.42 EUR
454+0.36 EUR
607+0.26 EUR
708+0.21 EUR
854+0.17 EUR
1185+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115
auf Bestellung 29688 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN.115
Produktcode: 167956
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PMGD8000LN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD8000LN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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