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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SGT080R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+4.43 EUR
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SGT080R70ILBSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
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1+12.34 EUR
10+8.29 EUR
100+6.01 EUR
500+5.63 EUR
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SGT080R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT080R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT080R70ILBSTMicroelectronicsDescription: GANFET N-CH 700V 29A PWRFLAT HV
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2+12.54 EUR
10+8.44 EUR
50+6.66 EUR
100+6.1 EUR
500+5.71 EUR
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SGT080R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.17 EUR
25+9.47 EUR
100+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT080R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT105R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 80 MOHM TYP., 21.7 A, E-M
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.89 EUR
10+7.27 EUR
50+5.71 EUR
100+5.21 EUR
500+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT105R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT105R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 21.7A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT105R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 80 MOHM TYP., 21.7 A, E-M
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT105R70ILBSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.79 EUR
10+9.17 EUR
100+6.94 EUR
500+6.7 EUR
1000+4.88 EUR
3000+4.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT105R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.82 EUR
26+9.01 EUR
100+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT105R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 21.7A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT109
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT10S10Harris CorporationDescription: TRANSIENT SURGE SUPPRESSOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT120R65ALSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT120R65ALSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Technology: GaN
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -10...7V
Kind of package: tape
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 192W
Gate charge: 3nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT120R65ALSTMicroelectronicsGaN FETs 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT120R65ALSTMicroelectronicsDescription: 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT120R65ALSTMN-Channel 650 V 15A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT120R65ALSTMicroelectronicsDescription: 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT1300SCT
auf Bestellung 245000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT140R70ILBSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+6.51 EUR
100+4.9 EUR
500+4.71 EUR
1000+4 EUR
3000+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT140R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT140R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 106 MOHM TYP., 17 A, E-MO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT140R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.42 EUR
35+6.77 EUR
100+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT140R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 17A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT140R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 106 MOHM TYP., 17 A, E-MO
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.73 EUR
10+5.77 EUR
50+4.5 EUR
100+4.08 EUR
500+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT1500SCTSurgector Thyristors For Telecom Protection, DO-214AA Сидактори (сапресори тиристорного типу)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT1500SCT
auf Bestellung 245000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT1544ZD
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT190R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT190R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 11.5A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT190R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 138 MOHM TYP., 11.5 A, E-
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT190R70ILBSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+4.77 EUR
100+3.53 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.98 EUR
3000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT190R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
44+5.38 EUR
100+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT190R70ILBSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 700V 11.5A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT190R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 138 MOHM TYP., 11.5 A, E-
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.38 EUR
10+4.84 EUR
50+3.74 EUR
100+3.39 EUR
500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT1D5R10MEASTMicroelectronicsDescription: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT1D5R10MEASTMicroelectronicsGaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT1D5R10MEASTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 100V 474A 8-Pin En-FCLGA EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT1D5R10MEASTMicroelectronicsDescription: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT217E
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT21B13AHarris CorporationDescription: TRANSIENT SURGE SUPPRESSOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT22B13AHarris CorporationDescription: THYRISTOR 190V 200A TO-202
Packaging: Bulk
Capacitance: 50pF
Package / Case: TO-202 Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Voltage - Breakover: 290V
Voltage - Off State: 190V
Voltage - On State: 2 V
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 130 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 200 A
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
283+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT2300SBT
auf Bestellung 245000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT2300SBTSurgector Thyristors For Telecom Protection, DO-214AA Сидактори (сапресори тиристорного типу)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT2300SCTNEWINORI
auf Bestellung 10700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT23B13
auf Bestellung 5977 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT23B13A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT23B13AHarris CorporationDescription: THYRISTOR 200V 200A TO-202
Packaging: Bulk
Capacitance: 50pF
Package / Case: TO-202 Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Voltage - Breakover: 315V
Voltage - Off State: 200V
Voltage - On State: 2 V
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 130 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 200 A
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT23B13H
auf Bestellung 3230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT23U13Harris CorporationDescription: THYRISTOR 225V 200A TO-202
Current - Peak Pulse (8/20µs): 200 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100 A
Current - Hold (Ih): 130 mA
Part Status: Active
Voltage - On State: 2 V
Voltage - Off State: 225V
Voltage - Breakover: 275V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-202 Short Tab
Capacitance: 90pF
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
199+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT23U13
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT240R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT240R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 165 MOHM TYP., 10 A, E-MO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT240R70ILBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.12 EUR
45+5.22 EUR
100+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT240R70ILBSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 165 MOHM TYP., 10 A, E-MO
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.02 EUR
10+4.58 EUR
100+3.2 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT240R70ILBSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+4.55 EUR
100+3.31 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.76 EUR
3000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT27B13
Produktcode: 44861
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8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT27B13
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT27B13A
auf Bestellung 34300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT27B27Harris CorporationDescription: THYRISTOR 235V 400A TO-202
Voltage - Off State: 235V
Voltage - Breakover: 345V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-202 Short Tab
Capacitance: 80pF
Packaging: Bulk
Current - Peak Pulse (8/20µs): 400 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 200 A
Current - Hold (Ih): 270 mA
Supplier Device Package: TO-202 Modified
Voltage - On State: 2 V
auf Bestellung 47047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
94+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT27B27
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT27B27BHarris CorporationDescription: THYRISTOR 235V 400A TO-202
Current - Peak Pulse (8/20µs): 400 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 200 A
Current - Hold (Ih): 270 mA
Supplier Device Package: TO-202 Modified
Voltage - On State: 2 V
Voltage - Off State: 235V
Voltage - Breakover: 375V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-202 Short Tab
Capacitance: 80pF
Packaging: Bulk
auf Bestellung 11785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
198+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT27S10
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT27S23
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT28B13
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT2900SBT
auf Bestellung 245000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT2900SCT
auf Bestellung 245000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT3100SBTLittelfuse Inc.Description: THYRISTOR 275V 50A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance: 30pF
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Voltage - Breakover: 350V
Voltage - Off State: 275V
Voltage - On State: 5 V
Supplier Device Package: DO-214AA
Current - Hold (Ih): 150 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT3100SCTHAR
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT350R70GTKSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 270 MOHM TYP., 6 A, E-MOD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT350R70GTKSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT350R70GTK - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 6 A, 0.35 ohm, 1.5 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT350R70GTKSTMicroelectronicsGaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+3.27 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.5 EUR
5000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT350R70GTKSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SGT350R70GTK - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 6 A, 0.35 ohm, 1.5 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
65+3.57 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT350R70GTKSTMicroelectronicsDescription: 700 V, 270 MOHM TYP., 6 A, E-MOD
auf Bestellung 1658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.32 EUR
100+2.27 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT40N60FD2P7SILANIGBT TRANSISTOR; TO-247-3L Single IGBTs SGT40N60FD2P7 TO-247-3L SILAN TSGT40N60FD2P7 SIL
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT40N60FD2PNSILANTransistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 380W; 4,0V~6,5V; 100nC; -55°C~150°C; SGT40N60FD2PN TO-3P SILAN TSGT40N60FD2PN SIL
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT5100BV231MOTOROLA
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT5100BV231BMOTOROLA04+ BGA
auf Bestellung 2035 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT5100BV231RMOTBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT5100BV231R2FREESCAL
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT60N60FD1PNSilan600V, 60A, TO-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT65R65ALSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH GaN 650V 25A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT65R65ALSTMicroelectronicsDescription: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
Voltage - Test: 400 V
Voltage - Rated: 650 V
Power - Output: 5W
Configuration: N-Channel
Current Rating (Amps): 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: GaN HEMT
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT65R65ALSTMRF MOSFET Transistors 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT65R65ALSTMicroelectronicsDescription: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
Voltage - Test: 400 V
Voltage - Rated: 650 V
Power - Output: 5W
Configuration: N-Channel
Current Rating (Amps): 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: GaN HEMT
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT65R65ALSTMicroelectronicsGaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT7650500Celduc Inc.Description: SSR RELAY 3PST-NO 50A 24-520V
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: AC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 4 ~ 30VDC
Circuit: 3PST-NO (3 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Load Current: 50 A
Approval Agency: CE, cURus, EAC, UKCA
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Part Status: Active
Voltage - Load: 24 V ~ 520 V
On-State Resistance (Max): 7.5 MOhms
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+431.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT7690500Celduc Inc.Description: SSR RELAY 3PST-NO 125A 24-520V
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: AC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 4 ~ 30VDC
Circuit: 3PST-NO (3 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Load Current: 125 A
Approval Agency: CE, cURus, EAC, UKCA
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Part Status: Active
Voltage - Load: 24 V ~ 520 V
On-State Resistance (Max): 2 MOhms
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+678.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT7690500CELDUCCategory: Three Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 125A; Uswitch: 24÷520VAC; 3-phase; IP20; SGT7
Switching method: instantaneous switching
IP rating: IP20
Caution!: Maximal load current with use of suitable heatsink
Type of relay: solid state
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 76.5x100x34.7mm
Control voltage: 4...30V DC
Max. operating current: 125A
Switched voltage: 24...520V AC
Relay variant: 3-phase
Manufacturer series: SGT7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT769390EAltechSolid State Relays - SSRs Three Phase Solid State Relay
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT8638500CELDUCCategory: Three Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 35A; Uswitch: 24÷520VAC; 3-phase; IP20; SGT8
Caution!: Maximal load current with use of suitable heatsink
Type of relay: solid state
IP rating: IP20
Switching method: zero voltage switching
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 76.5x100x34.7mm
Max. operating current: 35A
Control voltage: 24...255V AC
Switched voltage: 24...520V AC
Relay variant: 3-phase
Manufacturer series: SGT8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT8638500Celduc Inc.Description: SSR RELAY SPST-NO 35A 24-520V
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: AC, Zero Cross
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 24 ~ 255VAC/DC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Load Current: 35 A
Approval Agency: CE, cURus, EAC, UKCA
Part Status: Active
Voltage - Load: 24 V ~ 520 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+436.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT8650810CELDUCCategory: Three Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 50A; Uswitch: 24÷520VAC; 3-phase; IP20; SGT8
Manufacturer series: SGT8
IP rating: IP20
Caution!: Maximal load current with use of suitable heatsink
Switching method: zero voltage switching
Type of relay: solid state
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 76.5x100x34.7mm
Control voltage: 4...30V DC
Switched voltage: 24...520V AC
Max. operating current: 50A
Relay variant: 3-phase
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+326.18 EUR
5+260.94 EUR
10+244.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT8658500Celduc Inc.Description: SSR RELAY 3PST-NO 50A 24-520V
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Approval Agency: CE, cURus, EAC, UKCA
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
On-State Resistance (Max): 7.5 MOhms
Voltage - Load: 24 V ~ 520 V
Part Status: Active
Load Current: 50 A
Circuit: 3PST-NO (3 Form A)
Voltage - Input: 24 ~ 255VAC/DC
Mounting Type: Chassis Mount
Output Type: AC, Zero Cross
Package / Case: Module
Packaging: Box
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+429.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT8658502Celduc Inc.Description: ZC THREE PHASE SSR CONTACTORS 3X
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+418.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGT8670500Celduc Inc.Description: ZC THREE PHASE SSR 3X75A/24-520V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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