Produkte > SH8
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SH8J65TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8J65TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8J65TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8J65TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8J66 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SH8J66TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | auf Bestellung 4706 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8J66TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8J66TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8J66TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8J66TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8J66TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8J66TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8J66TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch+Pch -30V -9A MOSFET | auf Bestellung 3350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8JB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8JB5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8JB5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8JB5TB1 | ROHM - Japan | Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SH8JB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | auf Bestellung 1529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8JB5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8JB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8JB5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8JB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8JC5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8JC5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET | auf Bestellung 3961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8JC5TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8JC5TB1 | Rohm | MOSFET PCH+PCH-60V DUAL Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8JC5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active | auf Bestellung 3047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8JC5TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8JC5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 7.5A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8JC5TB1 | ROHM - Japan | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Substitute: SH8JC5TB1; SH8JC5TB1 TSH8JC5TB1 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SH8JE5TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 4.5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8JE5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8JE5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8JE5TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 4.5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8JE5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8JE5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET | auf Bestellung 1342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8JE5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP | auf Bestellung 1998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8K10SGZETB | ROHM Semiconductor | MOSFET 30V NCH / NCH+SBD | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K10SGZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7A/8.5A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K11GZETB | ROHM | Description: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07 Betriebstemperatur, max.: - Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K11GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K11GZETB | ROHM | Description: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07 Betriebstemperatur, max.: - Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K12GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 5A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 3002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K12TB1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SH8K12TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K12TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET | auf Bestellung 2251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8K13GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K13TB1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SH8K14GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K14TB1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SH8K15GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K15GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K15TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K1TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch+Nch 30V 5A MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K1TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K1TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8K1TB1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SH8K2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SH8K22 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SH8K22TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K22TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch+Nch 45V 4.5A MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K22TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K25GZ0TB | Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K25GZ0TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K25GZ0TB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8K25GZ0TB | Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER | auf Bestellung 2431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K25GZ0TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K25GZ0TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8K25GZ0TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K25GZ0TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K25GZ0TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 17463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8K25GZ0TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K25GZ0TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET | auf Bestellung 6013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8K26GZ0TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K26GZ0TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K26GZ0TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K26GZ0TB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K26GZ0TB | ROHM | Description: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K26GZ0TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K26GZ0TB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 6A Power dissipation: 2W Case: SOP8 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.9nC Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 12A Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K26GZ0TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | auf Bestellung 1651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8K26GZ0TB | ROHM | Description: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K26GZ0TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K26GZ0TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET | auf Bestellung 3499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8K26GZ0TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8K26GZ0TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K26GZ0TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K26GZ0TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SH8K26GZ0TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K26GZ0TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K2TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K2TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K2TB1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SH8K2TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K3 | ROHM Semiconductor | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SH8K3 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SH8K32 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8K32GZETB | ROHM | Description: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046 Betriebstemperatur, max.: - Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |