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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TW03BLK12ApemThumbwheel Switches & Pushwheel Switches THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW03BLU1ApemJoysticks TW SERIES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW03GRY1ApemInput Devices TW SERIES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW03RED1ApemInput Devices TW SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW04
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+5.32 EUR
50+5.06 EUR
100+4.43 EUR
500+4.31 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW045N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.98 EUR
10+19.81 EUR
120+17.03 EUR
510+13.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW045N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.37 EUR
30+30.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW045N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.059 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 182W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+60.75 EUR
6+45.67 EUR
10+32.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW045N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 40A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW045N120CS1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW045Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.36 EUR
10+50.29 EUR
30+34.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW045Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.67 EUR
30+28.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW045Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 182W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+64.15 EUR
5+52.72 EUR
10+38 EUR
50+35.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW048N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.47 EUR
10+21.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW048N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW048N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+43.68 EUR
7+33.76 EUR
10+24.68 EUR
50+24.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW048N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 40A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW048N65CS1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW048U65C,RQToshibaSiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, VDSS= 650 V, PD=132W, TOLL, 3rd Gen.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW048Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.62 EUR
10+24.61 EUR
120+22.98 EUR
510+22.6 EUR
1020+22.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW048Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.34 EUR
30+20.85 EUR
120+19.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW048Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.16 EUR
8+29.63 EUR
10+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW05Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.47 EUR
10+61.62 EUR
25+57.79 EUR
50+53.93 EUR
100+51.98 EUR
250+49.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW05Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 58.93MMX41.66MM 10/PK
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Frequency: 48 MHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Current - Supply (Max): 15mA
Voltage - Supply: 1.8V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+6.59 EUR
50+6.28 EUR
100+5.5 EUR
500+5.34 EUR
1000+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Frequency: 48 MHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Current - Supply (Max): 15mA
Voltage - Supply: 1.8V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW054V65C,LQToshibaSiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.41 EUR
10+37.22 EUR
100+37.01 EUR
1000+36.99 EUR
2500+36.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0556WA7230TSTDescription: 125/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0556WA7230TSTDescription: 125/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0580WA7230TSTDescription: 156.25/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0580WA7230TSTDescription: 156.25/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0597ATSTDescription: 32.768/20/15/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Standby (Power Down)
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -30°C ~ 95°C
Frequency Stability: ±20ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Ratings: AEC-Q200
Current - Supply (Max): 30mA
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.043" (1.10mm)
Frequency: 32.768 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW06Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER 10P SIP 10/PK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW06Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW060N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.36 EUR
10+29.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW060N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.09 EUR
30+28.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW060N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.13 EUR
10+29.9 EUR
50+29.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW060N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW060N120CS1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW060Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW060Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.76 EUR
10+38.7 EUR
30+27.48 EUR
120+27.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW060Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.55 EUR
6+43.41 EUR
10+32.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0628WA7230TSTDescription: 100/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0628WA7230TSTDescription: 100/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW07Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 31.12MMX19.43MM 10/PK
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW07Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.01 EUR
10+35.83 EUR
25+33.72 EUR
50+31.61 EUR
100+29.79 EUR
250+28.36 EUR
500+27.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0702WA7230TSTDescription: 212.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0702WA7230TSTDescription: 212.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0708WA7230TSTDescription: 148.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0708WA7230TSTDescription: 148.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW070J120B,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 20V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.8V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW070J120B,S1QToshibaMOSFET SIC-MOSFET TO-3PN V=1200
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.76 EUR
10+53.99 EUR
25+49.66 EUR
50+49.22 EUR
100+43.41 EUR
250+43.4 EUR
1000+43.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0720WA7230TSTDescription: 75/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0720WA7230TSTDescription: 75/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0723WA7230TSTDescription: 200/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW0723WA7230TSTDescription: 200/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW08-PE1STwin IndustriesDescription: EXTENDER CARTD PCI EXPRESS X1
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.45 EUR
10+26.13 EUR
30+24.69 EUR
120+24.19 EUR
270+23.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.31 EUR
10+13.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083N65C,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+25.3 EUR
10+23.7 EUR
25+22.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083N65C,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 30A; 111W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 111W
Case: TO247
On-state resistance: 113mΩ
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083N65C,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+30.7 EUR
10+29.12 EUR
20+27.7 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083N65CS1F(SToshibaSiC MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083U65C,RQToshibaSiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, VDSS=650 V, PD=111W, TOLL, 3rd Gen.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083U65C,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083U65C,RQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.124 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+29.07 EUR
11+20.78 EUR
50+19.12 EUR
100+19.09 EUR
250+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083U65C,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083U65C,RQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.124 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 111W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.08 EUR
8+29.07 EUR
11+20.78 EUR
50+19.12 EUR
100+19.09 EUR
250+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.26 EUR
10+19.65 EUR
120+18.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.24 EUR
10+17.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW083Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 111W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+33.9 EUR
11+21.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW08BLK12APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW08BLK12ApemThumbwheel Switches & Pushwheel Switches THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW09Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW09Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER DIP 10/PK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW092V65C,LQToshibaSiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.15 EUR
10+29.16 EUR
100+28.86 EUR
2500+26.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW09BLK12Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW09BLK12ApemThumbwheel Switches & Pushwheel Switches THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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