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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK7675-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 20.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 75680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.23 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.77 EUR
10000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 483 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55A,118NexperiaMOSFETs BUK7675-55A/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 3723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.12 EUR
500+0.96 EUR
800+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55A,118NXPТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55A,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14.3A; Idm: 81A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 483 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK767555
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK767555A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.59 EUR
1600+2.42 EUR
2400+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-100E,118NexperiaMOSFETs BUK768R1-100E/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 2782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.53 EUR
10+4.58 EUR
100+3.67 EUR
250+3.45 EUR
500+3.2 EUR
800+2.68 EUR
2400+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.31 EUR
10+4.78 EUR
100+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.69 EUR
1600+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-40E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK768R1-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0072 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-40E,118NexperiaMOSFETs BUK768R1-40E/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+1.98 EUR
500+1.46 EUR
800+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
10+3.31 EUR
50+2.51 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R1-40E118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK768R1-100E - POW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R3-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R3-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK768R3-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 137
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R3-60E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61.5A; Idm: 349A; 137W
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 137W
Gate charge: 43.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 61.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R3-60E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 60V 75A
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.76 EUR
100+2.12 EUR
500+1.96 EUR
800+1.44 EUR
2400+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R3-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
10+3.82 EUR
50+2.92 EUR
100+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R3-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R3-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.3 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK768R3-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.99 EUR
1600+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK769R6-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK769R6-80E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK769R6-80E,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK769R6-80E - 75A, 80V
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
118+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK769R6-80E,118NexperiaMOSFET BUK769R6-80E/D2PAK/REEL 13" Q1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7720-55A
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK772055A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7728-55A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK772855A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7735-55A
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK773555A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK777555A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55PHISOT223
auf Bestellung 51600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55ANexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55APHILIPSSOT223
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A,115NexperiaMOSFET TAPE-7 PWR-MOS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A,135NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CU135NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUFNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUFNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
850+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUFNexperiaMOSFETs SOT223 N-CH 55V 5.5A
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUFNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUFNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUFNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
On-state resistance: 278mΩ
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.58 EUR
232+0.37 EUR
350+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUFNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2600+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK78150-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.128 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+1.04 EUR
351+0.67 EUR
426+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
On-state resistance: 278mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK78150-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.128 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+1.04 EUR
351+0.67 EUR
426+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNexperiaMOSFETs SOT223 N-CH 55V 5.5A
auf Bestellung 51963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.76 EUR
50+0.56 EUR
100+0.49 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK78150-55A115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7815055
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7815055A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK783030
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK784055
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1268+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 7.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
687+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 687 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55/CUFNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55/CUFNexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55/CUFNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55ANexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55A,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55A,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55A/CUXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5A; Idm: 30A; 8W; SC73,SOT223
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 8W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.62 EUR
297+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55A/CUXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
50+0.8 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.3 EUR
2000+0.27 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.36 EUR
2000+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BUK7880-55A/CUXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.08 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.84 EUR
190+1.23 EUR
260+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.64 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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BUK7880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2000+0.3 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BUK7880-55A/CUXNexperiaMOSFETs SOT223 N-CH 55V 7A
auf Bestellung 7551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.7 EUR
100+0.52 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BUK7880-55A/CUXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BUK7880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
482+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 482 Stücke
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BUK7880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BUK7880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 472 Stücke
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BUK7880-55A/CUXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.08 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.88 EUR
187+1.25 EUR
216+1 EUR
255+0.84 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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BUK788055
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