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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
5000+0.69 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
121+1.93 EUR
168+1.27 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
5000+0.68 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.63 EUR
100+1.15 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.83 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
121+1.93 EUR
168+1.27 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4012LDVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVW-13Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.16W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.4 EUR
15000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.16W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 219000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.46 EUR
9000+0.45 EUR
15000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 220781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVWQ-13Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 222000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+1.24 EUR
100+0.84 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.16W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.54 EUR
4000+0.49 EUR
6000+0.46 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVWQ-7Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LDVWQ-7Diodes Zetex40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVW-7Diodes ZetexDMTH4014LFVW-7
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-13Diodes Zetex40V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T and R 3K
auf Bestellung 2921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+1.02 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
21+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-13Diodes Zetex40V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+1.05 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.39 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-7Diodes Zetex40V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.02 EUR
100+0.68 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 107508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4014LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 43.6 A, 43.6 A, 0.0118 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 43.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 43.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0118ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0118ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.34 EUR
129+1.81 EUR
203+1.06 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 107500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
7500+0.55 EUR
12500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4014LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 43.6 A, 43.6 A, 0.0118 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 43.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 43.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0118ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0118ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.34 EUR
129+1.81 EUR
203+1.06 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.83 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 2406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.4W (Ta), 42.8W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014LPSWQ-13Diodes Zetex40V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014SPSWQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.25 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4014SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 46.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M2SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.18 EUR
10+4.31 EUR
100+3.43 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M2SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M2SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M2SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.03 EUR
10+4.61 EUR
100+3.36 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.84 EUR
2500+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M2SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11085 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+4.55 EUR
100+3.68 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+3.31 EUR
100+2.67 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.82 EUR
2500+1.69 EUR
5000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
63+3.74 EUR
100+2.44 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 210A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 210A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.32 EUR
10000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.03W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.96 EUR
100+2.07 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.4 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 2491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+3.08 EUR
100+2.48 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.57 EUR
5000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 210A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.33 EUR
10000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.03W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
64+3.67 EUR
100+2.4 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.48 EUR
100+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.75 EUR
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
141+1.65 EUR
152+1.4 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
141+1.65 EUR
152+1.4 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 1743000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
155+1.51 EUR
164+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
155+1.51 EUR
164+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 31V40V
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.94 EUR
100+1.51 EUR
500+1.25 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.92 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2737 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2737 pF @ 20 V
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.69 EUR
4000+0.63 EUR
6000+0.61 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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