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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTP12N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2MLittelfuseX2-Class Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 17.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2IXYSMOSFETs TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 700V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 700V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 12A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2MIXYSMOSFETs TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.29 EUR
10+7.9 EUR
100+6.12 EUR
500+5.99 EUR
1000+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N065T2IXYSMOSFET 130 Amps 65V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N065T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 65V 130A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.06 EUR
50+5.25 EUR
100+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 67ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N10TIXYSMOSFETs MOSFET Id130 BVdass100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 1446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.9 EUR
50+10.29 EUR
100+9.21 EUR
500+8.13 EUR
1000+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.11 EUR
10+12.26 EUR
50+10.69 EUR
100+9.57 EUR
250+9.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N055T2IXYSMOSFETs 140 Amps 0V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N12T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.73 EUR
50+8.54 EUR
100+7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N12T2IXYSMOSFETs TO220 120V 140A N-CH TRENCH
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.48 EUR
10+10.89 EUR
100+8.79 EUR
500+7.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05TIXYSMOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.74 EUR
10+14.68 EUR
50+8.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Reverse recovery time: 53ns
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±15V
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+10.21 EUR
10+8.64 EUR
50+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.2 EUR
18+13.34 EUR
22+9.91 EUR
50+7.5 EUR
100+7.15 EUR
250+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05TMOSFET P-CH 50V 140A TO-220B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05T
Produktcode: 124450
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.61 EUR
50+9.76 EUR
100+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.34 EUR
50+6.54 EUR
100+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PIXYSMOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.1 EUR
10+6.37 EUR
100+5.57 EUR
500+5.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PMIXYSMOSFETs TO220 600V 7A N-CH POLAR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PMIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 75W; TO220FP; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.59 EUR
25+9.38 EUR
100+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.35 EUR
50+6.03 EUR
100+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTP14N60X2IXYSMOSFETs TO220 600V 14A N-CH X2CLASS
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTP150N15X4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.42 EUR
8+11.23 EUR
10+9.21 EUR
25+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IXTP150N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.17 EUR
50+10.12 EUR
100+9.41 EUR
500+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTP150N15X4IXYSMOSFETs TO220 150V 150A N-CH HIPER
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.98 EUR
10+15.4 EUR
50+9.82 EUR
100+9.38 EUR
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IXTP150N15X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP150N15X4 - MOSFET, N-CH, 150V, 150A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 480
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X4-Class Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTP150N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTP152N085T
Produktcode: 94750
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IXTP152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N50L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.12 EUR
10+13.07 EUR
100+12.21 EUR
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IXTP15N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.81 EUR
10+24.6 EUR
12+19 EUR
50+15.29 EUR
100+14.57 EUR
250+13.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.47 EUR
8+12.1 EUR
10+10.97 EUR
50+8.88 EUR
100+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.56 EUR
50+13.33 EUR
100+12.34 EUR
500+10.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.51 EUR
50+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
50+4.07 EUR
100+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.01 EUR
31+5.68 EUR
50+5.33 EUR
100+5.05 EUR
250+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+4.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.01 EUR
31+5.68 EUR
50+5.33 EUR
100+5.05 EUR
250+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N04T2IXYSMOSFETs 160 Amps 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N075TIXYSMOSFETs MOSFET Id160 BVdass75
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.84 EUR
50+6.85 EUR
100+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TMOSFET N-CH 100V 160A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.76 EUR
50+3.62 EUR
100+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.29 EUR
10+6.68 EUR
100+5.87 EUR
500+5.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.99 EUR
50+4.65 EUR
100+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.88 EUR
50+4.55 EUR
100+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.79 EUR
23+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.92 EUR
50+5.6 EUR
100+5.16 EUR
500+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T
Produktcode: 202698
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.75 EUR
50+3.52 EUR
100+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50PIXYSMOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.1 EUR
10+6.43 EUR
100+5.87 EUR
500+5.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+6.08 EUR
23+3.83 EUR
50+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.34 EUR
50+6.54 EUR
100+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50PMOSFET N-CH 500V 16A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.04 EUR
50+4.49 EUR
100+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.86 EUR
50+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2IXYSMOSFETs 170 Amps 75V
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+4.66 EUR
100+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N13X4IXYSMOSFET IXTP170N13X4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N055TIXYSMOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTP180N10TIXYSMOSFETs MOSFET Id180 BVdass100
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.83 EUR
10+8.27 EUR
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IXTP180N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.03 EUR
50+9.32 EUR
100+8.57 EUR
500+7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18N60PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10TIXYSMOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+3.37 EUR
100+3.01 EUR
500+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10T
Produktcode: 210499
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 3715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.38 EUR
50+3.75 EUR
100+3.39 EUR
500+2.77 EUR
1000+2.58 EUR
2000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP18P10T. - MOSFET, P-CH, 100V, 18A, TO-220
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.65 EUR
39+5.99 EUR
100+3.56 EUR
250+3.27 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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