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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF3709ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3709ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3709ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+1.98 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3709ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3709ZSTRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 87A; 79W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 87A
Power dissipation: 79W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3709ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.78 EUR
67+2.57 EUR
100+1.81 EUR
500+1.51 EUR
800+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3709ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3709ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.45 EUR
1000+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3709ZSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg
auf Bestellung 15108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.05 EUR
500+1.74 EUR
800+1.54 EUR
2400+1.45 EUR
4800+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710
Produktcode: 23683
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.9 EUR
10+0.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710BFJRCTO220
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710LPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710LPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.43 EUR
72+2.33 EUR
100+1.62 EUR
114+1.37 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.25 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 41900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.51 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.43 EUR
72+2.39 EUR
100+1.69 EUR
114+1.44 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4 EUR
66+2.57 EUR
94+1.73 EUR
109+1.43 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.63 EUR
96+1.81 EUR
111+1.52 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 571954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.51 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
10000+1.06 EUR
100000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.38 EUR
54+4.37 EUR
100+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 11302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.89 EUR
44+1.95 EUR
55+1.56 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.25 EUR
2000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 44050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.51 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF
Produktcode: 43009
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3130/130
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 348 St.
  • 348 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
100+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+2.82 EUR
50+2.13 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF 101D324.1 750Infineon TechnologiesDescription: IRF3710 - 100V N-Channel Power M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF 101D324.1 750Infineon TechnologiesDescription: IRF3710 - 100V N-CHANNEL POWER M
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SIRTO-263
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SPBF
Produktcode: 43364
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 40
Bemerkung: 200
Montage: SMD
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5 St.
  • 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.67 EUR
10+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
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IRF3710SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
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IRF3710STRLUMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF3710STRLInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF3710STRLHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710STRLPBF
Produktcode: 191831
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
52+4.47 EUR
59+3.67 EUR
100+3.19 EUR
250+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.67 EUR
100+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.44 EUR
2400+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.06 EUR
41+2.09 EUR
50+1.75 EUR
100+1.63 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 13016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.78 EUR
10+4.44 EUR
100+3.09 EUR
500+2.39 EUR
800+2.37 EUR
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IRF3710STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3710STRLPBF
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.37 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710STRLPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF3710STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.19 EUR
250+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.05 EUR
54+3.19 EUR
100+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IRF3710STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 7847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.91 EUR
10+4.51 EUR
50+3.49 EUR
100+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF3710STRR
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3710STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710STRRPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF3710STRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3710STRRPBF
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3710STRRPBF - IRF3710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 321 Stücke
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IRF3710STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRRPBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 82nC
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZLTRPBFIR0742+ TO262
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 3441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
78+3 EUR
107+2.01 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.45 EUR
101+1.71 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 4070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.33 EUR
100+2.28 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.67 EUR
2000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.5 EUR
75+2.28 EUR
103+1.63 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954
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JSMICROTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 60 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3968/146
Montage: THT
auf Bestellung: 23 St.
  • 23 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.76 EUR
10+1.58 EUR
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IRF3710ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 59 A, Ptot, Вт = 160, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 18 мОм @ 35 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.96 EUR
71+2.39 EUR
100+1.63 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 4402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
10+3.38 EUR
50+2.57 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF3710ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.81 EUR
45+1.9 EUR
51+1.67 EUR
61+1.42 EUR
100+1.26 EUR
200+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.61 EUR
100+1.7 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 59 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 18 мОм
Montage: THT
auf Bestellung: 1 St.
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1+1.94 EUR
10+1.75 EUR
100+1.56 EUR
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IRF3710ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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