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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N6515 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 250Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6515RLRMonsemiDescription: TRANS NPN 250V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6515RLRMGON Semiconductor
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6515RLRMGonsemiDescription: TRANS NPN 250V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6516 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6516 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N6516 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N6516 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6516 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6516 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N6517Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N6517onsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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2N6517DC ComponentsTO-92 Транзистори
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2N6517On SemiconductorTO-92 Транзистори
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2N6517onsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 350V NPN
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2N6517YFWNPN 500mA 350V 620mW 2N6517 T2N6517
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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2N6517 (LEGACY FAIRCHILD)onsemi NPN/350V/0.5A/30-200
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2N6517 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 2361
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MotorolaTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 200 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 350 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 350 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 A
Montage: THT
verfügbar: 140 St.
  • 140 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1778 St.
  • 1778 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.27 EUR
10+0.24 EUR
100+0.21 EUR
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2N6517 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.63 EUR
100+0.67 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N6517 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
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2N6517 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
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2N6517 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N6517 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350Vcbo 350Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6517BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.75 EUR
544+0.43 EUR
863+0.25 EUR
1223+0.18 EUR
1311+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 8974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4465+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517BUVishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517BUONS/FAITRANS NPN 350V 0.5A TO92-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517BUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 8698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517BUonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517BUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 20...200
auf Bestellung 3580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
940+0.092 EUR
980+0.087 EUR
1040+0.083 EUR
2000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 940 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517CBUonsemiDescription: TRANS NPN 400V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517CTAONS/FAITO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517CTAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 461024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8265+0.08 EUR
10000+0.07 EUR
100000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 8265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517CTAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517CTAonsemiDescription: TRANS NPN 400V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 500mA; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Case: TO92
Mounting: THT
Power: 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2N6517GOn SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2N6517RLRAGON Semiconductor
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6517RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2N6517RLRPonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2N6517RLRPToshibaBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517RLRPGonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517TAONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.43 EUR
280+0.31 EUR
348+0.25 EUR
494+0.17 EUR
615+0.14 EUR
716+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
2000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2N6517TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.11 EUR
4000+0.11 EUR
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N6517TAonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.14 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N6517TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.61 EUR
472+0.36 EUR
593+0.27 EUR
751+0.21 EUR
783+0.19 EUR
1011+0.14 EUR
1389+0.1 EUR
3000+0.087 EUR
6000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
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2N6517TAONS/FAITO-92 Транзистори
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2N6517TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6517TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+0.73 EUR
553+0.42 EUR
878+0.25 EUR
1187+0.18 EUR
1386+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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2N6517TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.24 EUR
783+0.23 EUR
1011+0.17 EUR
1389+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 751 Stücke
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2N6517TA
auf Bestellung 9080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517TAonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 6196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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2N6517TAonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 7618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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2N6518onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6518 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 250Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N6518 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6518 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6518BUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 0.5A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6518TAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 250V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 11620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3620+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3620 Stücke
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2N6518TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6518TA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6411+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6518TAON Semiconductor2N6518TA
auf Bestellung 11540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5455+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5455 Stücke
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2N6519onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6519 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6519 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 5.0V 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6519 TIN/LEADCentral SemiconductorSilicon Complementary High Voltage Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6519 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6519 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N6519-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6519BUonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6519RLRAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 9041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3040+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3040 Stücke
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2N6519RLRAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6519RLRA - 2N6519RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6519RLRAonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 9041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2019+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2019 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6519TAonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N651AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N652MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6520
auf Bestellung 19706 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6520Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N6520DC ComponentsТранзистори
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2N6520 (bipolarer PNP-Transistor)
Produktcode: 1117
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
Spannung Uce, V: 350 V
Spannung Ucb, V: 350 V
Strom Ic, A: 0,5 A
Stromverstärkung h21, max: 200
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2N6520 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6520 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6520 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 350V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6520 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6520 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 350V 0.5A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
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2N6520 PBFREECentral SemiconductorCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...200
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
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2N6520 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
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