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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSS4130T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS42PHI/MOT
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS43PHI/MOT
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS44onsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS44Semelab (TT electronics)Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS44STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS44PHI/MOT
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS44STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 5A TO39
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
Power - Max: 870 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS44Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TRANS BIPOLAR POWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS44 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS44 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 65Vcbo PNP 60Vceo 6.0Vebo 5.0A 5.0W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS44 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 65Vcbo PNP 60Vceo 6.0Vebo 5.0A 5.0W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS45PHI/MOT
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS46PHI/MOT
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS47PHI/MOT
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS48PHI/MOT
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS49PHI/MOT
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS50PHI
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bss500HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 500mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.500MXP; 179020.0,5; 0034.1513 Fuse: fast-acting; 500mA Bss500
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bss500HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 500mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.500MXP; 179020.0,5; 0034.1513 Fuse: fast-acting; 500mA Bss500
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS51PHILIPS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS5130AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS5130AHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PCH 30V 1A AMP TRANS
auf Bestellung 3953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS5130AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS5130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
271+0.86 EUR
422+0.51 EUR
603+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS5130AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
30+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS5130AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS5130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
271+0.86 EUR
422+0.51 EUR
603+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS5130AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS5130AT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Pch -30V -1A Amplification Transistor
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS5130AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
33+0.65 EUR
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS5130T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS5130T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS52Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.65 EUR
10+58.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS52PHILIPS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS52Semelab (TT electronics)BSS52
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS52Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TRANS BIPOLAR POWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS53PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS53A
auf Bestellung 11560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS53B
auf Bestellung 11689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS54PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS54A
auf Bestellung 5557 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS54B
auf Bestellung 5625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS55PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS5509DENERPAC PRODUCTION AUTOMATIONDescription: SPRING
Packaging: Bulk
Type: Spring
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS55A
auf Bestellung 5689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS55B
auf Bestellung 5667 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS56PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS57PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS58PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS58N-02AAVR0NN-0013Pepperl+Fuchs, Inc.Description: ENC ABSLT BINARY USR SELECT CONN
Packaging: Box
Output Type: Binary (Absolute)
Mounting Type: Flange Mount
Orientation: User Selectable
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 29.5V ~ 31.6V
Encoder Type: Absolute
Detent: No
Actuator Type: Hole for Shaft
Built in Switch: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS59PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS60PH
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NInfineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 2.3A SOT-89-3
auf Bestellung 5514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.83 EUR
100+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606N-P 603N.TECH PUBLICTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C~150°C; Substitute: BSS606NH6327XTSA1; BSS606N-P TBSS606N-P TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327InfineonТранзистори
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327Infineon TechnologiesDescription: BSS606 - 250V-600V SMALL SIGNAL
auf Bestellung 350865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2035 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327Infineon technologies
auf Bestellung 18996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 60V 3.2A 60mΩ 1W BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 Infineon TBSS606n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
268+0.87 EUR
318+0.68 EUR
393+0.55 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.45 EUR
2000+0.42 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+0.98 EUR
143+0.6 EUR
196+0.44 EUR
223+0.38 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.43 EUR
410+0.42 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 60V 3.2A Транзистори
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
auf Bestellung 10338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.8 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.29 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
268+0.87 EUR
318+0.68 EUR
393+0.55 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.02 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BSS61PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS62PHILIPS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS62 (Transistor)
Produktcode: 64683
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BSS63Fairchild/ON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,35, Uceo, В = 100, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 30 @ 10 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2,5 мA, 25 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BSS63onsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4 Stücke:
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BSS63onsemiBipolar Transistors - BJT PNP/ 100V/ 200mA
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BSS63ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS63 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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BSS63PHILIPSSOT23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS63onsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSS63ONS/FAISOT-23 Транзистори
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BSS63Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 8879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6045+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 6045 Stücke
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BSS63onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/ 100V/ 200mA
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BSS63 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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BSS63 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE-7
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BSS63(BMP)
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS63(BMS)
auf Bestellung 12050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS63,215NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 85MHz
Collector current: 0.1A
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BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
698+0.25 EUR
1122+0.15 EUR
1532+0.11 EUR
1812+0.09 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 698 Stücke
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BSS63,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS63,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSS63,215NXP USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 100MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1142+0.24 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1142 Stücke
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BSS63,215NexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 11400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5367+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5367 Stücke
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BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3279 Stücke
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BSS63,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
128+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215 BM.NXPTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BSS63.215; BSS63,215 TBSS63 NXP
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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BSS63-AT
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63-QRNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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