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BSS52Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TRANS BIPOLAR POWER
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BSS52Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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BSS53PHI/MOT
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BSS53A
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BSS53B
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BSS54A
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BSS54B
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BSS55PHI/MOT
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BSS5509DENERPAC PRODUCTION AUTOMATIONDescription: SPRING
Packaging: Bulk
Type: Spring
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BSS55B
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BSS56PHI/MOT
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BSS57PHI/MOT
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BSS58PHI/MOT
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BSS58N-02AAVR0NN-0013Pepperl+Fuchs, Inc.Description: ENC ABSLT BINARY USR SELECT CONN
Packaging: Box
Output Type: Binary (Absolute)
Mounting Type: Flange Mount
Orientation: User Selectable
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 29.5V ~ 31.6V
Encoder Type: Absolute
Detent: No
Actuator Type: Hole for Shaft
Built in Switch: No
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BSS59PHI/MOT
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BSS60PH
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BSS606NInfineon TechnologiesMOSFET
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BSS606N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 2.3A SOT-89-3
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3+1.36 EUR
10+0.83 EUR
100+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS606N-PTECH PUBLICTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C~150°C; Substitute: BSS606NH6327XTSA1; BSS606N-P TBSS606N-P TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSS606NH6327Infineon TechnologiesDescription: BSS606 - 250V-600V SMALL SIGNAL
auf Bestellung 350865 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 2035 Stücke
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BSS606NH6327InfineonТранзистори
auf Bestellung 908 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSS606NH6327 InfineonInfineonN-MOSFET 60V 3.2A 60mΩ 1W BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 TBSS606n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 30351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
285+0.81 EUR
315+0.68 EUR
351+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
auf Bestellung 10338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.8 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.29 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT89
On-state resistance: 90mΩ
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.44 EUR
410+0.43 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.06 EUR
50+0.79 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
268+0.87 EUR
318+0.68 EUR
393+0.55 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 60V 3.2A Транзистори
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BSS606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS61PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS62PHILIPS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS62 (Transistor)
Produktcode: 64683
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BSS63onsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSS63ONS/FAISOT-23 Транзистори
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BSS63ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS63 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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BSS63Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 8879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6045+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 6045 Stücke
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BSS63onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/ 100V/ 200mA
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BSS63Fairchild/ON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,35, Uceo, В = 100, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 30 @ 10 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2,5 мA, 25 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BSS63onsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSS63onsemiBipolar Transistors - BJT PNP/ 100V/ 200mA
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BSS63 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE-7
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BSS63 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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BSS63(BMP)
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63(BMS)
auf Bestellung 12050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS63,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS63,215NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 85MHz
Collector current: 0.1A
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BSS63,215NXPTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BSS63.215; BSS63,215 TBSS63 NXP
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
698+0.25 EUR
1122+0.15 EUR
1532+0.11 EUR
1812+0.093 EUR
3000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 698 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215NXP USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 100MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215NexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 11400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1142+0.24 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
128+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5367+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63,215NexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3279 Stücke
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BSS63,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS63-AT
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS63-QRNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS63-QRNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS63-QRNEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS63-QRNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS63-QRNexperiaBipolar Transistors - BJT PNP high-voltage transistor
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BSS63/AT
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS63/BMPPHILIPS
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS63AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
310+0.81 EUR
508+0.45 EUR
807+0.26 EUR
1063+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
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BSS63AHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS63AHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Transistor, Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier , SOT-23
auf Bestellung 6113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1710+0.1 EUR
2500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1710 Stücke
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BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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BSS63AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
310+0.81 EUR
508+0.45 EUR
807+0.26 EUR
1063+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
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BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2137+0.083 EUR
2500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2137 Stücke
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BSS63AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1249+0.14 EUR
1291+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1249 Stücke
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BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
538+0.33 EUR
869+0.2 EUR
1187+0.14 EUR
1357+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 538 Stücke
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BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1132+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1132 Stücke
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BSS63AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSS63AT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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BSS63AT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
auf Bestellung 7350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS63E6327
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS63LT1onsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6666 Stücke
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BSS63LT1GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 100, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 5, hFE = 30 @ 25 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2.5 мA, 25 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16854+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 16854 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON-SemiconductorTransistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3691+0.049 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3691 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3788+0.046 EUR
9000+0.042 EUR
27000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3788 Stücke
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BSS63LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+0.52 EUR
794+0.3 EUR
1299+0.17 EUR
1815+0.12 EUR
2062+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
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BSS63LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 95MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1361+0.13 EUR
2294+0.075 EUR
3664+0.045 EUR
4652+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1361 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3677+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3677 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH