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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLL110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110PBF
Produktcode: 22278
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLL110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 250 @ 25, Qg, нКл = 6,1 @ 5 В, Rds = 540 мОм @ 900 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110PBF : IRLL110TRPBFVishay SiliconixIRLL110PBF : IRLL110TRPBF IRLL110PBF SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 76mOhm; 1,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLL110; IRLL110TR; IRLL110TR-BE3 IRLL110TR UMW TIRLL110 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 760mOhm; 1,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLL110; IRLL110TR; IRLL110TR-BE3 IRLL110 TIRLL110
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRUMWIRLL110TR IRLL110PBF MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 760mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 6.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.93A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBF
Produktcode: 119073
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 250 @ 25, Qg, нКл = 6.1 @ 5, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 27W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 1.5 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 27W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 6.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.93A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBF-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - IRLL110TRPBF-BE3. - MOSFET, N-CH, 100V, 1.5A, SOT-223
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL1503Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL1503TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SOT223
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: SOT-223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL1905TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703IRSOT-223
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703PBFInternational RectifierMOSFET N-Channel 3,9 A 30V SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703PBFIRLL2703PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 9.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703PBF
Produktcode: 32443
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 3,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 530/9,3
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.7 EUR
10+0.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703TRInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 30V 3.9A 1W 0.045Ω IRLL2703 TIRLL2703
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703TRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2703TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 5.5A 45mOhm 9.3nC Log Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=5.2A@T=25C, Id=3.0A@T=70C, Rds=0.04 R, P=2.1W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705
Produktcode: 1514
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 3,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 870/32
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 8 St.
  • 8 St. - stock Köln
1+0.92 EUR
10+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL2705 smd TIRLL2705
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705 PBF
Produktcode: 20389
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 3,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 870/32
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.43 EUR
10+0.39 EUR
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 3.8A SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=5.2A@T=25C, Id=3.0A@T=70C, Rds=0.04 R, P=2.1W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 80 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705PBF
Produktcode: 22279
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.58 EUR
10+0.45 EUR
100+0.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1760 Stücke
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IRLL2705TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL2705 smd TIRLL2705
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRIR09+ QFP48
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.7 EUR
2501+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 82681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
14+1.57 EUR
50+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.24 EUR
207+0.84 EUR
326+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBF
Produktcode: 175747
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 4466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
131+1.77 EUR
195+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 11961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.76 EUR
150+1.15 EUR
211+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.5 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: SOT223
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.34 EUR
99+0.86 EUR
134+0.63 EUR
151+0.56 EUR
200+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineonTrans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Pb free Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 11961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.76 EUR
150+1.13 EUR
211+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.38 EUR
7500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.65 EUR
7500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInternational RectifierТранзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,8А; 2,1Вт; SOT223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 345000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.81 EUR
137+1.24 EUR
143+1.14 EUR
207+0.76 EUR
326+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 3.8 А, Ptot, Вт = 1, Vdss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Vds, В = 870 @ 25, Qg,нКл = 48 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 3.8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Vgs(th) = 2 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 80 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 4466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
131+1.77 EUR
195+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 345000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.46 EUR
7500+0.44 EUR
12500+0.42 EUR
17500+0.36 EUR
25000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl
auf Bestellung 11646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.62 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2705TRPBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL2803TRIRSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL3303Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 640 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL3303
Produktcode: 182615
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 4,6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,031 Ом
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.34 EUR
10+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL3303International RectifierN-MOSFET HEXFET 30V 4.6A 1W 0.031Ω IRLL3303 TIRLL3303
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+9.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL3303HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL3303PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
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IRLL3303TR
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IRLL3303TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRLL3303TRHRInfineon / IRInfineon
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IRLL3303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL3303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.031 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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IRLL3303TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 4.6A 31mOhm 34nC Log Lvl
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IRLL3303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRLL3303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL3303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.031 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRLL3303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
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IRLL3303TRPBFInternational RectifierSOT-223 Транзистори
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IRLL3303TRPBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор полевой N канальный, Vdss=30V, Id=4.6A, Rds(on)=0.031 Ohm, HEXFET® Power MOSFET, SOT-223... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 80 Stücke
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