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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STL7DN6LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.39 EUR
6000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN65K5AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN65K5AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
auf Bestellung 5586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7 EUR
10+3.53 EUR
100+3.2 EUR
500+2.64 EUR
3000+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN65K5AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 79W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN65K5AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.1 EUR
10+4.64 EUR
50+3.59 EUR
100+3.25 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.75 EUR
3000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7LN80K5STMSTL7LN80K5 MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
103+2.27 EUR
154+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ 7 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.61 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.73 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
auf Bestellung 6551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
14+1.61 EUR
100+1.25 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.84 EUR
103+2.27 EUR
154+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+1.51 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.86 EUR
9000+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 67W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 67W
Case: PowerFLAT 5x5
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 8.8nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 5925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
208+1.12 EUR
322+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 5925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
208+1.12 EUR
322+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 0.019 Ohm typ 7 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 17013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.17 EUR
100+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6LF3STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+1.59 EUR
100+1.26 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
6000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.19 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6LF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL7N6LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
72+3.22 EUR
117+1.84 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N6LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL7N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL7N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 14A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 42W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 13.4nC
Produkt ist nicht verfügbar
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STL7N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
auf Bestellung 8567 Stücke:
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4+5.63 EUR
10+3.64 EUR
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100+2.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STL7N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
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1+4.3 EUR
10+2.75 EUR
100+2.26 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.87 EUR
3000+1.78 EUR
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STL7NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL7NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 5.8A 0.805 Second Gen MDmesh
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STL7NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT
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STL80N10WF7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 60A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL80N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL80N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30V 0.0046 Ohm 21A STripFET VI Deep
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STL80N4LL
auf Bestellung 29 Stücke:
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STL80N4LLF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL80N75F6STMMOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56 Транзистори
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STL80N75F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 80A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL80NF3LL
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL81005ZInfineon TechnologiesDescription: LOW POWER 1550 NM FP LASER
Power (Watts): 50mW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Wavelength: 1550nm
Current Rating (Amps): 120mA
Voltage - Input: 1.5V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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STL8100GCH300
auf Bestellung 3973 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL8100GCH438
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL8100GCL270
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8100GCL3002005
auf Bestellung 28600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL8100PCL270
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8100PNL300
auf Bestellung 15000 Stücke:
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STL8110-0GNL160
auf Bestellung 2514 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL8110GCH270SENTELIC08+ SOT-23
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL8110GCH300SENTELIC08+ SOT-23
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL8110GCL232
auf Bestellung 1800 Stücke:
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STL8110GCL270
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL8110GCL300STSOT23
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL8110GCL438SENTELIC08+ SOT-23
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL8110GNL463SENTELIC08+ SOT-23
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8110PCH270SEMTECHSOT-23
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL8110PCH300
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8110PCL270SENTELIC08+ROHS SOT-23
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL8110PCL300
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL85N6F3
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL85N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL86N3LLH6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL86N3LLH6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL86N3LLH6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL86N3LLH6AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 60W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN10LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 70W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
10+3.36 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN10LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL8DN10LF3STMicroelectronicsMOSFETs Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III
auf Bestellung 5851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+3.31 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.7 EUR
3000+1.65 EUR
6000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN10LF3STMicroelectronicsCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 20A; Idm: 31.2A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 31.2A
Power dissipation: 70W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN10LF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL8DN10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.09 EUR
64+3.67 EUR
100+2.49 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN10LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 70W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.56 EUR
6000+1.46 EUR
9000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.13 EUR
166+1.04 EUR
167+0.99 EUR
175+0.9 EUR
250+0.87 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3STMicroelectronicsMOSFETs Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
auf Bestellung 3249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.73 EUR
100+1.73 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.62 EUR
10+3.63 EUR
100+2.5 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.08 EUR
167+1.05 EUR
175+0.98 EUR
250+0.95 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3STMicroelectronicsCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 20A; Idm: 31.2A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 31.2A
Power dissipation: 65W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.27 EUR
59+3.99 EUR
100+2.81 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
67+3.5 EUR
107+2.01 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+1.71 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1 EUR
6000+0.93 EUR
9000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AGSTMicroelectronicsCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 55W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 2847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.5 EUR
107+2.01 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 50W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL8N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.017 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 3626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
83+2.81 EUR
133+1.62 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
13+1.73 EUR
50+1.29 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL8N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.017 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 3626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
133+1.62 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
auf Bestellung 37307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8N10LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH