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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4431BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
auf Bestellung 6891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.7 EUR
100+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4431BDY-T1-GE3 - P CH MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431BDY-TI-E3
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
13+1.65 EUR
100+1.11 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-E3VISHAY08NOPB
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-E3
Produktcode: 179028
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IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3SiliconixP-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 TSI4431cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 30219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
16+1.38 EUR
100+0.99 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.49 EUR
136+1.29 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 6397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+1.95 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CI
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DT-TI-E3
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DYVISHAYSOP8
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1304+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DYonsemi / FairchildMOSFETs SO8 PCH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4431DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 7A 2.5W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DYFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 8458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
865+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 865 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DY-E1
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DY-T1VISHAY
auf Bestellung 8690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DY-TI
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DYSOP-8
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432 wireless module
Produktcode: 84546
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Modulare Elemente > IC Radiomodule
Funktionsbeschreibung: Empfänger bis 1000 Meter Modul; 240-960mhz; Frequency Range: 433.92M; Sensitivity up to-121dBm; Data transfer rate: 0.123-256kbps;
Versorgung, V: 1,8 ... 3,6 V
Verbindungsart: RF
Frequenz: 433 MHz
Schnittstelle: FIFO
auf Bestellung 4 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+7.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-A0-FMSilicon LabsRF Transceiver Tranceivers - IA4432
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FM
Produktcode: 104636
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

8542399000
8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.68 EUR
10+17.86 EUR
25+16.21 EUR
100+14.28 EUR
490+12.47 EUR
980+11.5 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.77 EUR
10+17.39 EUR
25+15.89 EUR
100+14.11 EUR
490+12.54 EUR
980+11.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMSilicon LabsSI4432-B1-FM SI4432
Anzahl je Verpackung: 91 Stücke
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.34 EUR
10+18.23 EUR
25+17.17 EUR
100+15.74 EUR
490+14.33 EUR
980+13.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.77 EUR
10+17.01 EUR
25+15.29 EUR
100+13.36 EUR
490+11.58 EUR
980+10.57 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMSkyworks SolutionsCategory: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 256kbps; 1.8÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN20; 450nA
Type of integrated circuit: RF transceiver
Mounting: SMD
Case: QFN20
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: integrated voltage regulator; PoR; RSSI
Quiescent current: 450nA
DC supply current: 85mA
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Transmitter output power: 20dBm
Data transfer rate: 256kbps
Interface: SPI
Frequency: 240...930MHz
TX/RX buffer size: 64 B/64 B
Kind of modulation: FSK; GFSK; OOK
Communictions protocol: ISM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.77 EUR
10+17.01 EUR
25+15.29 EUR
100+13.36 EUR
490+11.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO TRANSCEIVER (REV B1) SI4432
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4.b
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Frequenzgang HF, max.: 930MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 240MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4.b
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Frequenzgang HF, max.: 930MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 240MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-ZM2Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-B1-ZM2RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-MODUL-868MHzHXJМодуль Бездротові модулі та аксесуари для частоти 2,4ГГц
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-V2-FMSilicon LabsSI4432-V2-FM SI4432
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-V2-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-V2-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -118dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 27mA ~ 80mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-V2-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-V2-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-V2-FMR
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432-V2-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432B1FMR
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4432V2FMRSilicon LabsSI4432-V2-FMR SI4432
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4433
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4433BM
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4433DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4433DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4433DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434SISOP-8
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 4402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4434ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.1 A, 0.125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 4110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4434ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.1 A, 0.125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 4110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
10+4.4 EUR
100+3.14 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.5 EUR
10+4.94 EUR
100+3.49 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-E3
Produktcode: 164124
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+4.44 EUR
25+4.21 EUR
100+3.61 EUR
250+3.42 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.5 EUR
10+4.94 EUR
100+3.49 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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