Produkte > TSM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| TSM2N60CP | auf Bestellung 6185 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2N60CPRO | auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 | auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 | auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 187 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor | N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 4909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor | N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 4909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60SCW | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 2Amp N channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60SCW RP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 2Amp N channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 0.6A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N60SCW RPG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A T/R TSM2N60SCW RPG TTSM2n60scw Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2N7000CT | Taiwan Semiconductor | N-канальный ПТ (Vds=60V, Id=0.20A, Rds... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7000CTA3 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2N7000KCT | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 0.2Amp N channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7000KCT A3 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 0.2Amp N Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7000KCT A3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7000KCT A3G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 0.3A Single N-Ch annel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7000KCT B0G | Taiwan Semiconductor | LDO Voltage Regulators 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7000KCT B0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92 Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002AKCU | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002AKCU | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002AKCU RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKCU RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 0.24A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002AKCU RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKCU RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240mA; 298mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 298mW Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002AKCX | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002AKCX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKCX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V | auf Bestellung 3414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKCX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 6222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKCX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 134mA; 71mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 134mA Power dissipation: 71mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.65nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002AKCX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKCX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKDCU6 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002AKDCU6 | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.22A, DUAL N-CHANNEL POWER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002AKDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKDCU6 RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 220mA; 240mW; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.24W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002AKDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.22A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 240mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 220mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.22A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 240mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 220mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 8693 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2N7002AKDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 3904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2N7002ECU | auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2N7002KCU | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KCU | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KCU RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V, 0.24A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KCX | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V 0.2Amp N channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KCX | Taiwan Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 25, Rds = 2 Ом @ 100 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KCX | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KCX | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KCX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 201000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KCX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 201000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KCX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 134mA; 71mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 134mA Power dissipation: 71mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 910pC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KCX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2N7002KCX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 201000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KCX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2N7002KCX RF TSM2N7002KCX RFG TTSM2n7002kcx Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2N7002KDCU6 | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.22A, DUAL N-CHANNEL POWER | auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KDCU6 | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.22A, DUAL N-CHANNEL POWER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N7002KDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2N70CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V 0,8Amp N-Ch Pwr MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2NB60CH | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2NB60CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 2Amp N channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2NB60CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2NB60CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2NB60CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2NB60CP | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2NB60CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 2A, SINGLE N-CHANNEL POWER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2NB60CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.35A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.35A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.4nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2NB60CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2NB60CP ROG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TSM2NB60CP ROG TTSM2nb60cp Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2NB60CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2NB60CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2NB60CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V | auf Bestellung 4403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2NB65CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2NB65CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2X446M035CH641CH493 | KEMET | Description: 44.0UF 35.0V Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2X667M010CH6410H493 | KEMET | Description: CAP TANT SMD STACK LOW ESR Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2X667M010CH641CH493 | KEMET | Description: 660.UF 10.0V Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM300NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM300NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 27A 30mOhm N-Chan Pwr MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM300NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 30 V | auf Bestellung 1841 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM300NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active | auf Bestellung 7488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM300NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 4676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM300NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM300NB06DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6A; 8W; PDFN56 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6A Power dissipation: 8W Case: PDFN56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM300NB06LCV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWER Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 962 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 39W (Tc) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM300NB06LCV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 962 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM300NB06LCV RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V, 24A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM300NB06LDCR | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8PDFNU | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM300NB06LDCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8PDFNU Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM300NB06LDCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 24A, Dual N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 4440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM300NB06LDCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8PDFNU Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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