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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS8870NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8870_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8870_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8874fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8874Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990 pF @ 15 V
auf Bestellung 2011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
513+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8874-NL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8874NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8874_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8875FDSSOP-8
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8876FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8876ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 91A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 14.1mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 91A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8876onsemi / FairchildMOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.78 EUR
100+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8876ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8876ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
auf Bestellung 577941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
654+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8876-F40onsemiDescription: 30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8876-NLFDS
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1427+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1427 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.3 EUR
17500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
332+0.54 EUR
386+0.45 EUR
387+0.44 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 314804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1427+0.46 EUR
10000+0.4 EUR
100000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1427 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1427+0.46 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1427 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1427+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1427 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.62 EUR
329+0.51 EUR
332+0.49 EUR
386+0.4 EUR
387+0.39 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.88 EUR
100+0.63 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
auf Bestellung 6544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.32 EUR
12500+0.31 EUR
17500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1427+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1427 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878
Produktcode: 61968
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878-F123onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CHAN 10.2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878-F123onsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
727+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 727 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878-F123ON SemiconductorFDS8878-F123
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1095+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1095 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878-F123ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8878-F123 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878-GON SemiconductorFDS8878-G
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1527+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1527 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878-NLFAIRCHILDSOP8 0849+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878NLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8878_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
auf Bestellung 7102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
16+1.31 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.17 EUR
211+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
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25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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103+1.71 EUR
153+1.12 EUR
214+0.76 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.42 EUR
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FDS8880onsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
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2+2.12 EUR
10+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.55 EUR
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FDS8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8880ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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50+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDS8880-NLFairchild
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FDS8880NLFAI
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FDS8880_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 54500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8880_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,11.6A,10 OHMS, NCH, POWER TRENCH MOSFET
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FDS8882ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDS8882ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8882 - MOSFET, N CH, 30V, 0.0132OHM, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8882onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8882FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8884FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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FDS8884ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.68 EUR
341+0.51 EUR
344+0.5 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
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FDS8884UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDS8884
Produktcode: 34721
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS8884ONS/FAIMOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Транзистори
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FDS8884onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PwrTrench MOSFET
auf Bestellung 7238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.93 EUR
100+0.65 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.87 EUR
258+0.65 EUR
260+0.63 EUR
341+0.46 EUR
344+0.44 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884-NLFAIRCHILD09+ SOP-8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884NLFAIRCHILD
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.61 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896
Produktcode: 104417
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896onsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.69 EUR
1036+0.63 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
auf Bestellung 13730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
18+1.18 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.69 EUR
1036+0.63 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+1.32 EUR
100+0.9 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.69 EUR
1036+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896FAIRCHILD09+
auf Bestellung 25018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896S-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8912FAIRCHIL04+ SOP
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141onsemi / FairchildMOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+4.44 EUR
100+3.12 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.59 EUR
73+2.39 EUR
74+2.31 EUR
100+2.05 EUR
250+2.01 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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