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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS89141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.2 EUR
50+6.2 EUR
100+4.24 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141ONS/FAIMOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.63 EUR
73+2.42 EUR
74+2.34 EUR
100+2.07 EUR
250+2.03 EUR
500+2 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141onsemi / FairchildMOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+4.44 EUR
100+3.12 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.24 EUR
52+3.31 EUR
83+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+3.53 EUR
5000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.48 EUR
5000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Power dissipation: 31W
Gate charge: 4.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.56 EUR
5000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+2.08 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161FairchildTransistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 176mOhm; 2,7A; 31W; -55°C ~ 150°C; FDS89161 TFDS89161
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161onsemiMOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+2.39 EUR
100+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.95 EUR
104+1.67 EUR
105+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.95 EUR
104+1.7 EUR
105+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 16991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
10+3.39 EUR
50+2.58 EUR
100+2.32 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161DYMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDS89161DY - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+1.39 EUR
275+0.84 EUR
426+0.5 EUR
565+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161LZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.25 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89161LZ - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.4 EUR
62+3.78 EUR
100+2.51 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161LZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161LZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+2.78 EUR
50+2.11 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161LZonsemiMOSFETs PT5 100V Logic Level with Zener
auf Bestellung 10793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.87 EUR
100+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS89161LZ - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8925AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8926Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
296+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8926AONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8926AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8926AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8926Aonsemi / FairchildMOSFET SO8,DUAL NCH ENHANCEMENT MODEL FIELD EFFECT TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8926A_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8928FSCSO-8
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8928Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 COMP N-P-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8928AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8928AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A/4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
609+1.09 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 609 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8928AONS/FAIДвойной N & P-канальный полевой транзистор Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8928AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8928A-NL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8928A..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8928A.. - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS8928ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8928A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V 1/2 BR N/P, 0.03/0.055 O,
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS8929AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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FDS8934
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8934AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 52862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
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FDS8934ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8934A_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8935ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8935 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.1 A, 0.148 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8935ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+3.12 EUR
5000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS8935onsemi / FairchildMOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS8935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8935ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8935 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.1 A, 0.148 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS8935ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+3.12 EUR
5000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8936FDSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8936AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8936A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 75856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
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FDS8936AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 75856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
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FDS8936A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8936A_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 4878 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8936MXFSC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8936SFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8936S-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8938AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8945FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8947FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8947AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8947AFAIRCHILDFDS8947A
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+4 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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FDS8947AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
145+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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FDS8947Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS8947AFAIRCHILDFDS8947A
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+4 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8947A-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.82 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
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FDS8949ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS8949onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 20279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
50+1.33 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949onsemiMOSFETs 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
auf Bestellung 58347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.14 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
115+2.02 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.76 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
771+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 771 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
115+2.02 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
771+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 771 Stücke
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FDS8949
Produktcode: 162449
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FDS8949-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 2807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS8949-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS8949DYMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDS8949DY - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FDS8949NLFAIRCHILD
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FDS8949_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A Automotive 8-Pin SOIC T/R
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FDS8949_NLFAIRCHILD
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FDS8958onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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FDS8958onsemiMOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
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FDS8958FDSSOP-8
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FDS8958AUMWDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
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3000+0.38 EUR
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