Produkte > IPB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R125CPATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R125CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm | auf Bestellung 3330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V | auf Bestellung 1263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V | auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R145CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R145CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R160C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R160C6 Produktcode: 101086
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPB60R160C6 | Infineon technologies | auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V | auf Bestellung 1965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R160P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM | auf Bestellung 1993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R160P6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V | auf Bestellung 2219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R160P6ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB60R160P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R160P6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R165CP | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R165CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP | auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R165CPATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.165 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R165CPATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.165 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V | auf Bestellung 5804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R165CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 192W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R170CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R170CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 2961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R170CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263-3-2 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R170CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm | auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R170CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.144ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm | auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R170CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 400 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 Produktcode: 152307
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| IPB60R180C7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm | auf Bestellung 1765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 2798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R180C7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm | auf Bestellung 1765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R180P7 Produktcode: 182766
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPB60R180P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 1112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon | IPB60R180P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R180P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 7813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R190C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6 | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R190C6 Produktcode: 100834
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| IPB60R190C6 | Infineon technologies | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6 | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R190C6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R190C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm | auf Bestellung 1053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | auf Bestellung 9460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R190C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R190P6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R190P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R190P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R190P6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R199C | INFINEN | SMB | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R199CP | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R199CP | Infineon Technologies | Description: IPB60R199CP | auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP | auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R199CPA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 16A D2PAK-2 CoolMOS CPA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R199CPAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R199CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET AUTOMOTIVE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R199CPAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP | auf Bestellung 1957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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