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Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1223 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.28 EUR
15+	1.48 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPD50R650CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.58 EUR
5000+	0.52 EUR
10000+	0.48 EUR
12500+	0.45 EUR
25000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50R650CEAUMA1

Description: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1873 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	2.36 EUR
129+	1.81 EUR
201+	1.07 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 106 Stücke

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IPD50R650CEBTMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 760 Stücke

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IPD50R650CEBTMA1

MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2

auf Bestellung 2516 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPD50R650CEBTMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 760 Stücke

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IPD50R650CEBTMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 760 Stücke

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IPD50R800CE

Description: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD50R800CE

MOSFET N-Ch 500V 5A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD50R800CEATMA1

Description: MOSFET N CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD50R800CEATMA1

MOSFET N-Channel 500V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори

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IPD50R800CEAUMA1

Description: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2303 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

163+	1.54 EUR
192+	1.21 EUR
278+	0.77 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 163 Stücke

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IPD50R800CEAUMA1

MOSFETs N

auf Bestellung 1465 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.18 EUR
10+	1.34 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.52 EUR
5000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD50R800CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50R800CEAUMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

auf Bestellung 5199 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.43 EUR
17+	1.24 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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IPD50R800CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50R800CEAUMA1

auf Bestellung 2303 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.69 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R800CEAUMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50R800CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD50R800CEBTMA1

MOSFETs N-Ch 500V 5A DPAK-2

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.07 EUR
10+	1.27 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.58 EUR
2500+	0.5 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD50R800CEBTMA1

Description: MOSFET N CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CE

MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE

auf Bestellung 589 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CEATMA1

MOSFET N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CEAUMA1

Description: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CEAUMA1

Description: CONSUMER
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V

auf Bestellung 1214 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.21 EUR
22+	0.95 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CEAUMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.17 EUR
10+	1.04 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.5 EUR
2500+	0.45 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CEBTMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD50R950CEBTMA1

MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE

auf Bestellung 866 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 21A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3 G

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.99 EUR
100+	1.88 EUR
250+	1.76 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.58 EUR
2500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.45 EUR
122+	1.42 EUR
152+	1.11 EUR
200+	1.07 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	1.02 EUR
2000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 121 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 419 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

129+	1.36 EUR
250+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 129 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2417 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

86+	2.93 EUR
124+	1.88 EUR
152+	1.42 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 86 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 129 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GATMA1
Produktcode: 182945

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V

auf Bestellung 3396 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.69 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.74 EUR
101+	1.7 EUR
128+	1.32 EUR
250+	1.27 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	2.14 EUR
100+	1.68 EUR
101+	1.59 EUR
128+	1.21 EUR
250+	1.15 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 82 Stücke

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IPD530N15N3GATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

auf Bestellung 6449 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.62 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.25 EUR
2500+	1.14 EUR
5000+	1.12 EUR

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IPD530N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD530N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2687 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.3 EUR
112+	2.07 EUR
143+	1.51 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD530N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD530N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD530N15N3GATMA1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GBTMA1

MOSFETs MV POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD530N15N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5N03LAG

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD5N03LAG

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD5N25S3-430

auf Bestellung 5000 Stücke:

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IPD5N25S3-430

MOSFETs N-Ch 250V 5A DPAK-2

auf Bestellung 4086 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.37 EUR
10+	1.74 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.05 EUR
2500+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5N25S3430ATMA1

Description: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.81 EUR
123+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5N25S3430ATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.71 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5N25S3430ATMA1

Description: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	4.72 EUR
83+	2.81 EUR
123+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD5N25S3430ATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.05 EUR
5000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3 G

auf Bestellung 526 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3 G

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	5.36 EUR
50+	5.08 EUR
100+	4.81 EUR
250+	4.56 EUR
500+	4.37 EUR
1000+	4.19 EUR
2500+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3 G

MOSFET N-Ch 250V 25A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3 G

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	5.36 EUR
50+	5.08 EUR
100+	4.81 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.92 EUR
52+	3.34 EUR
100+	2.86 EUR
2000+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 18375 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.77 EUR
50+	3.81 EUR
100+	3.49 EUR
500+	3.01 EUR
1000+	2.78 EUR
2000+	2.65 EUR
5000+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

MOSFETs IFX FET >150 - 400V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.75 EUR
47+	3.61 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

auf Bestellung 3770 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	7.77 EUR
50+	4.74 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.75 EUR
47+	3.69 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GBTMA1

MOSFET N-Ch 250V 25A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD600N25N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60N10S412ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 407 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.44 EUR
106+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60N10S412ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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IPD60N10S412ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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IPD60N10S412ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252

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IPD60N10S412ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60N10S412ATMA1

Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm

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IPD60N10S412ATMA1

MOSFETs N-CHANNEL 100+

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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
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106+	1.54 EUR

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