Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPD50R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R1K4CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R1K4CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 2751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R1K4CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R1K4CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R1K4CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 8.8A DPAK-2 | auf Bestellung 1292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R1K4CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 574 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R280CE | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R280CE | Infineon | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD50R280CE | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R280CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R280CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 1820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R280CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R280CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 4893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R280CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R280CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V | auf Bestellung 4764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R280CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm | auf Bestellung 6464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R280CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 18.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R280CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R280CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm | auf Bestellung 6464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R280CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R280CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 13A DPAK-2 CoolMOS CE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R2K0CE | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2 | auf Bestellung 1557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R2K0CE | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2068 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 5006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD50R2K0CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 37 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V | auf Bestellung 24537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R2K0CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R2K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2 | auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R380CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 9.9A DPAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R380CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R380CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R380CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R380CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 2258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V | auf Bestellung 12679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R380CEAUMA1 | Infineon | MOSFET, TO-252-3 Транзистори | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R380CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R380CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R380CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.1A; 98W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Power dissipation: 98W Gate charge: 24.8nC Polarisation: unipolar Drain current: 14.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.38Ω | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R380CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 9.9A DPAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R380CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R399CP | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 83 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R399CP | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550 Dauer-Drainstrom Id: 9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 83 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 83 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R399CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R399CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R399CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R399CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 9A DPAK-2 | auf Bestellung 2175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R399CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R399CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R399CPBTMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R3K0CE | Infineon | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD50R3K0CE | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 1.7A DPAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R3K0CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 2422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V | auf Bestellung 29571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R3K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R3K0CEBTMA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R3K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R3K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R500CE | Infineon Technologies | Description: IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V | auf Bestellung 116541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R500CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 24A DPAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R500CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R500CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V | auf Bestellung 19685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R500CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R500CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Drain current: 4.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 57W Gate charge: 18.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R500CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 57W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R500CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 7.6A DPAK-2 CoolMOS CE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R500CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50R520CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 7.1A DPAK-2 CoolMOS CP | auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |