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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4434DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4434DY-T1-E3
Produktcode: 164124
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SI4434DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.33 EUR
40+4.27 EUR
100+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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SI4434DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
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SI4434DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4434DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4434DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.5 EUR
10+4.94 EUR
100+3.49 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4434DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+4.44 EUR
25+4.21 EUR
100+3.61 EUR
250+3.42 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.67 EUR
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SI4434DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4434DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 3A; Idm: 30A; 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 162mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4434DY-T1-GE3VishaySI4434DY-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4434DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4435IOR
auf Bestellung 14888 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4435ADY
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4435B
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4435BDYVISHAY10+ QFP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4435BDYVishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SI4435BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SI4435BDY-T
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4435BDY-T1VISHAYSOP 03+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4435BDY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4435DDY-GE3
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SI4435BDY-T1-E
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4435BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4435DDY-GE3
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SI4435BDY-T1-E3VISHAYSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4435BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4435BDY-T1-E3-LVishay / SiliconixMOSFET 30V 8A 2.5W
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SI4435BDY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4435BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4435DDY-GE3
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SI4435BDY-TI-E3
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4435BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435CV
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDYVISQFP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+0.48 EUR
377+0.46 EUR
381+0.44 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 7913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
16+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
163+1.43 EUR
242+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.99 EUR
133+0.64 EUR
169+0.5 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 6395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.29 EUR
100+0.87 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+0.48 EUR
369+0.46 EUR
373+0.44 EUR
377+0.42 EUR
381+0.39 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
7500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+0.76 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
163+1.43 EUR
242+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 18226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorP-канальний ПТ, Id = 11,4 A, Ptot, Вт = 5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 700 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.46 EUR
7500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 52317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
16+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 172500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.46 EUR
7500+0.44 EUR
12500+0.39 EUR
17500+0.38 EUR
25000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.82 EUR
251+0.68 EUR
298+0.55 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.06 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 52317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
7500+0.5 EUR
12500+0.48 EUR
17500+0.46 EUR
25000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 172500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.48 EUR
7500+0.46 EUR
12500+0.42 EUR
17500+0.4 EUR
25000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.46 EUR
85+1 EUR
117+0.73 EUR
134+0.64 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.48 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE5
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DX-T1
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYONS/FAI(SO8,P-ch,Mosfet,30B,6A) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 7299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
120+1.94 EUR
180+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
671+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 671 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
auf Bestellung 23705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.87 EUR
69+1.25 EUR
90+0.95 EUR
100+0.88 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYonsemiMOSFETs 30V SinGLE P-Ch
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.89 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYVishay Siliconix(SO8,P-ch,Mosfet,30B,6A) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 7404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
120+1.94 EUR
180+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
25+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.8 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY
Produktcode: 45576
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
ZCODE: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-A
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-REVA-E3
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-T1SILINIX1999
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-T1-A-E3
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-T1-REVASILICONIX0018+
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-TE2N/A97
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-TI
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-TI-A-E3
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-TI-E3
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-TR
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY.ONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYPBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYPBFIOR
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYPBF
Produktcode: 74332
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
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