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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFZ34STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34STRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-Channel 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34VSIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34VSPBFIR09+ TO264
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 50 Volt 50 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.45 EUR
56+4.2 EUR
100+3.3 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBF
Produktcode: 150975
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.83 EUR
10+4.46 EUR
50+3.44 EUR
100+3.11 EUR
500+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.82 EUR
97+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+2.87 EUR
100+2.64 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.05 EUR
2000+2.03 EUR
5000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+3.69 EUR
100+2.76 EUR
500+2.31 EUR
1000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRFZ44 VISHAY TIRFZ44
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N JSMICRO TIRFZ44n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44A
Produktcode: 123232
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44AFAIRCHILD
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EInternational RectifierN-MOSFET 48A 60V 110W IRFZ44E TIRFZ44e
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ELIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ELInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44EPBF
Produktcode: 66761
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESPBF
Produktcode: 47701
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 151594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+1.83 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.46 EUR
10000+1.27 EUR
100000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC
auf Bestellung 2804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.57 EUR
100+1.87 EUR
800+1.42 EUR
2400+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
82+2.83 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 37050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+1.83 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.46 EUR
10000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44LVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NNXP SemiconductorsMOSFETs TRENCH 31V-99V G1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N
Produktcode: 1322
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.83 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220
Packaging: Tube
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 85W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N-ML MOSLEADER TIRFZ44n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 49 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 17.5 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
382+1.71 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 382 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NLPBFInternational RectifierN-Channel, 55V, 49A, TO-262 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPNXP SemiconductorsMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 55V 49A SOT78
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFIRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.62 EUR
145+1.17 EUR
163+1 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInternational RectifierMOSFET N-Ch, 55V, 49A, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.39 EUR
140+1.2 EUR
151+1.07 EUR
186+0.83 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate charge: 42nC
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFIRFZ44NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 49 А, Ptot, Вт = 94, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 17,5 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1412 St.
  • 1412 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.03 EUR
148+1.15 EUR
159+1.06 EUR
191+0.86 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
875+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 875 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 10087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.67 EUR
50+1.24 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineonMOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.25 EUR
151+1.14 EUR
186+0.9 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 10425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
100+2.34 EUR
151+1.43 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.29 EUR
183+0.92 EUR
191+0.84 EUR
216+0.73 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSUMWD2PAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF
Produktcode: 222248
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UMWTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2928/50
Montage: SMD
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erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet 27.08.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ44NSIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSUMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44NS; IRFZ44NSTRL; IRFZ44NSTRR; SP001560684; SP001578598; SP001567882; IRFZ44NS UMW TIRFZ44ns UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFZ44NSVishay / SiliconixMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
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IRFZ44NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 17.5mOhms 16.7nC
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IRFZ44NSPBF
Produktcode: 37486
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFZ44NSTRLInternational RectifierIRFZ44NSTRL IRFZ44NSPBF D2PAK Транзистори
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