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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPAN60R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.07 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
390+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
488+1.32 EUR
543+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 488 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+2.53 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.07 EUR
5000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
auf Bestellung 4265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
50+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+0.99 EUR
176+0.96 EUR
200+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R360PFD7SXKSA1Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
660+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 660 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
660+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 660 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R600P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
157+1.48 EUR
177+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.58 EUR
100+1.24 EUR
500+1.17 EUR
1000+1 EUR
2500+0.95 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
50+1.33 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R650CEXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R650CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
487+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 487 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R650CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.86 EUR
100+1.44 EUR
500+1.23 EUR
1000+1 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R650CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R800CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R800CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R800CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.34 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: 700V, N-CH MOSFET, TO220 FULLPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+3.01 EUR
100+2.48 EUR
200+1.43 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 1669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.27 EUR
1000+1 EUR
5000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.34 EUR
50+1.76 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
87+2.67 EUR
109+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.95 EUR
52+1.67 EUR
62+1.38 EUR
77+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.61 EUR
88+1.88 EUR
111+1.44 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.88 EUR
207+0.82 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R450P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R450P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN70R450P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 22.7
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R450P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R450P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R450P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.83 EUR
218+0.76 EUR
240+0.67 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesP7 Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesP7 Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R600P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN70R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 24.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
155+1.5 EUR
174+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.75Ω
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+0.73 EUR
132+0.64 EUR
141+0.61 EUR
148+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
146+1.59 EUR
209+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
735+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 735 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+2.37 EUR
100+1.84 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R750P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R900P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R900P7SInfineonIPAN70R900P7SXKSA1 Trans MOSFET N-CH 700V 6A TO-220FP Діоди та діодні збірки
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R900P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN70R900P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R900P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R900P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R900P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 17059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
889+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R900P7SXKSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 9Ohm; 600mA; 17W; -50°C ~ 150°C; Substitute: IPAN70R900P7SXKSA1; IPAN70R900P7S TIPAN70r900p7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R900P7SXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPAN70R900P7SXKSA1 - CONSUMER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
741+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 741 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R900P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN70R900P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.49 EUR
100+1.04 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7XKSA1InfineonMOSFET N-CH 800V 17A TO220 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+4.96 EUR
25+4.76 EUR
100+4.46 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.14 EUR
2500+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.68 EUR
48+4.86 EUR
100+3.58 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
auf Bestellung 16881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
198+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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IPAN80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPAN80R360P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
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IPAN80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
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IPAN80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
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IPAN80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPAN80R360P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
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IPAN80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPAN80R360P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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IPAN80R450P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAN80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 29
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IPAN80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
50+3.36 EUR
100+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPAN80R450P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
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1+5.84 EUR
10+5.26 EUR
100+4.24 EUR
500+3.45 EUR
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IPAP-1-1-51-10.0-L-01-TSensata Technologies/AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER 10A
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IPAP-1-1-51-10.0-L-01-TAIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr Hyd Mag
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IPAP-1-1-51-10.0-R-01Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER 10A
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IPAP-1-1-51-10.0-R-01AIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr Hyd Mag
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IPAP-1-1-51-10.0-R-01-TAIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr,HydMag
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IPAP-1-1-51-5.00-R-01AIRPAXCircuit Breakers Cir Brkr Hyd Mag
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IPAP-1-1-51-5.00-R-01Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER 5A
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