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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4435FDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+0.9 EUR
139+0.61 EUR
195+0.44 EUR
226+0.38 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 97500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
7500+0.29 EUR
12500+0.27 EUR
17500+0.26 EUR
25000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435TR
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436SISOP-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DYVISHAY09+
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 15946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.43 EUR
100+1.12 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.06 EUR
209+0.83 EUR
500+0.65 EUR
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.32 EUR
166+1.02 EUR
208+0.79 EUR
500+0.61 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.65 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.21 EUR
122+1.43 EUR
200+1.4 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.69 EUR
260+0.67 EUR
268+0.63 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.74 EUR
254+0.67 EUR
260+0.63 EUR
268+0.58 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FDISilicon LabsRF Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMSilicon Laboratories+20/-124 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.09 EUR
10+8.73 EUR
25+8.27 EUR
100+7.63 EUR
490+6.97 EUR
980+6.72 EUR
1470+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4438 EZRADIOPRO 425-525MHZ TRANSCEIVER - CHINA SI4438
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.43 EUR
126+1.36 EUR
128+1.29 EUR
130+1.21 EUR
132+1.15 EUR
250+1.08 EUR
500+1.02 EUR
1000+1 EUR
3000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-ZM1Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-ZM1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-AMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-AMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.96 EUR
73+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.47 EUR
10+9.07 EUR
25+8.58 EUR
80+8.02 EUR
230+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 5338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.96 EUR
10+9.84 EUR
25+8.92 EUR
100+8.32 EUR
250+6.75 EUR
2450+6.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.44 EUR
124+1.37 EUR
126+1.3 EUR
128+1.24 EUR
130+1.17 EUR
250+1.11 EUR
500+1.04 EUR
1000+1.02 EUR
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2B-GMSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2B-GMRSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C3A-GMSilicon LabsRF Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C3A-GMRSilicon LabsRF Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438DY
auf Bestellung 40000 Stücke:
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SI4438DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4126DY-T1-GE3
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SI4438DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4645 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4438DY-T1-E3module
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4438DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4645 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4438DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4126DY-T1-GE3
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SI4441EDY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI4441EDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI4441EY-T1-E3
auf Bestellung 94000 Stücke:
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SI4442
auf Bestellung 129 Stücke:
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SI4442DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 22A 3.5W
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SI4442DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4442DY-E3SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 7,5mOhm; 15A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; SI4442DY TSI4442dy
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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Si4442DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 6379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
10+4.91 EUR
100+3.97 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.45 EUR
83+2.06 EUR
84+1.96 EUR
85+1.87 EUR
100+1.64 EUR
250+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.45 EUR
83+2.11 EUR
84+2.03 EUR
85+1.98 EUR
100+1.77 EUR
250+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4442DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.84 EUR
5000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Si4442DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 22A 3.5W
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.33 EUR
10+5.7 EUR
100+4.65 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.62 EUR
2500+3.09 EUR
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SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 22A 3.5W 4.5mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4442DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4446DYVishay SemiconductorMOSFET N-канал, Rds 40mOm, Vdss В 40, Id 3.9, Ptot, Вт 1.1,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4446DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4446DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4447ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.36 EUR
213+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 35288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
auf Bestellung 15124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+1.18 EUR
107+0.8 EUR
175+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC Мікросхеми електроживлення
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.39 EUR
12500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
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SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4447DY-T1-E3
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4447DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 4930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
16+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
auf Bestellung 5340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.56 EUR
10+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI4447DY-T1-E3Vishay BC ComponentsMOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI4447DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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