Produkte > BSS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 298514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS806NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm | auf Bestellung 5964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS806NH6327XTSA1 | Infineon | SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 297000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS806NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 82mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 10835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS806NH6327XTSA1 Produktcode: 154371
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS806NH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS80B/CH | INFINEON | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS80B\CH | lnfineon | SOT-23 | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS80C | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 790 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS80C | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS80C | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS80C | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSS80C - BSS80 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS80CTC | auf Bestellung 62500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS816NW | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS816NW H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS816NW L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS816NW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327 Infineon | Infineon | N-MOSFET 20V 1.4A 160mΩ 500mW BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 TBSS816nw Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 14781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 456000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 1.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Case: SOT323 On-state resistance: 0.24Ω | auf Bestellung 4350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm | auf Bestellung 42669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 14781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 453000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3 | auf Bestellung 183944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 453000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 458816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm | auf Bestellung 42769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS816NWL6327XT | Infineon technologies | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS82B(Z) | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS82BTA | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS82BTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS82BTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS82BTC | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS82C | infineon | 03/04+ SOT23 | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83 | NXP Semiconductors | MOSFET N-channel switching transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83 | Analog Power Inc. | Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83 Produktcode: 105052
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS83 T/R | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE7 MOS-RFSS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83,215 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET 10V SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83,215 Produktcode: 75604
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS83,215 | NXP Semiconductors | MOSFETs N-CH MOSFET 10V 50MA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83,235 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET 10V SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V | auf Bestellung 5255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.04W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm | auf Bestellung 1719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | Infineon Technologies | Description: BSS83IXUSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 MSL: MSL 2 - 1 Jahr productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 1719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | Infineon Technologies | Description: BSS83IXUSA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V | auf Bestellung 1074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83P | INFINEON TECHNOLOGIES | 07+ | auf Bestellung 7433 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch SOT-23-3 | auf Bestellung 8868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83P JSMICRO | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 330mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PE6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83PL6327HTSA1; BSS83P TBSS83p JSM Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83P L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 330mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83PE6327 | INF | SOT23 09+PBF | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83PE6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83PH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -330mA Case: SOT23 On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Power: 0.36W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83PH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -330mA Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -330mA SOT-23-3 | auf Bestellung 658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -330mA Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 7708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 33531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83P H6327 TBSS83p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 225000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | auf Bestellung 160691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch SOT-23-3 | auf Bestellung 116742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 33531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 225000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | auf Bestellung 160691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS83PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84 | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS84 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS84 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS84 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | auf Bestellung 225000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS84 | YFW | Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS84 | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -0.15A, Single P-Channel Small-signal MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84 Produktcode: 187507
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| UMW | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В Drain-Strom Id, A: 0,13 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 73/0,9 Montage: SMD | auf Bestellung: 2220 St.
|
| ||||||||||||||||
| BSS84 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS84 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSS84 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | auf Bestellung 4249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
