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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSS7728NH6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
auf Bestellung 10894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
341+0.68 EUR
663+0.32 EUR
926+0.23 EUR
1539+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NL6327Infineon technologies
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS78MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS79MOTOROLA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS79CMOT2002 3000pcs/reel;
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS79ConsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.8A SOT23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS79Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS79C_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS80Siemens
auf Bestellung 13800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bss800HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 800mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.800MXP; 179020.0,8; 0034.1515 Fuse: fast-acting; 800mA Bss800
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806N
Produktcode: 162287
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.77 EUR
100+0.49 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NE H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
auf Bestellung 11459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NE H6327InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327; BSS806NEH6327XTSA1 TBSS806ne
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.8 EUR
672+0.35 EUR
848+0.25 EUR
1075+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
30000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.083 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.8 EUR
672+0.35 EUR
848+0.25 EUR
1075+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.73 EUR
100+0.45 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1397+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 125199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327InfineonN-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
auf Bestellung 4943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 347100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.84 EUR
527+0.44 EUR
870+0.25 EUR
935+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
auf Bestellung 11855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.48 EUR
261+0.32 EUR
370+0.23 EUR
432+0.2 EUR
621+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 345000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
21000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 612000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.076 EUR
15000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1InfineonSOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 612000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
9000+0.08 EUR
15000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.84 EUR
527+0.44 EUR
870+0.25 EUR
935+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1
Produktcode: 154371
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1-MLMOSLEADERDescription: N 20V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
318+0.065 EUR
1000+0.064 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.058 EUR
15000+0.057 EUR
30000+0.055 EUR
75000+0.051 EUR
150000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS80B/CHINFINEON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS80B\CHlnfineonSOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS80Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS80Cinfineon03/04+ SOT23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS80CInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS80CInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 790 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS80CROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSS80C - BSS80 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS80CTC
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWInfineon TechnologiesMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NW H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
auf Bestellung 16677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.44 EUR
100+0.25 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NW L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NW L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
918+0.19 EUR
1044+0.17 EUR
2000+0.11 EUR
12000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 918 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 47588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
676+0.35 EUR
953+0.23 EUR
1588+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
auf Bestellung 83439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.068 EUR
15000+0.051 EUR
21000+0.049 EUR
30000+0.045 EUR
75000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 19904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
457+0.51 EUR
700+0.31 EUR
1058+0.2 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 63680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 20V 1.4A 160mΩ 500mW BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327 Infineon TBSS816nw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT323
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.4 EUR
296+0.29 EUR
430+0.2 EUR
509+0.17 EUR
738+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.1 EUR
30000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWL6327XTInfineon technologies
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS82B(Z)Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS82BTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS82BTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS82BTConsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS82BTCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS82Cinfineon03/04+ SOT23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PHILIPSSOT-143
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83
Produktcode: 105052
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83NXP Semiconductors MOSFET N-channel switching transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83 T/RNXP SemiconductorsMOSFETs TAPE7 MOS-RFSS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83,215
Produktcode: 75604
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83,215NXP SemiconductorsMOSFETs N-CH MOSFET 10V 50MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83,215NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 10V SOT143B
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 50mA
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 10 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-143B
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83,235NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 10V SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.49 EUR
565+0.3 EUR
571+0.29 EUR
899+0.18 EUR
909+0.17 EUR
1231+0.12 EUR
1399+0.098 EUR
3000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesDescription: BSS83IXUSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
899+0.19 EUR
1231+0.13 EUR
1399+0.12 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 899 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
auf Bestellung 8878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83IXUSA1Infineon TechnologiesDescription: BSS83IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
62+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
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BSS83PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 330mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PE6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83PL6327HTSA1; BSS83P JSMICRO TBSS83p JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSS83PINFINEON TECHNOLOGIES07+
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BSS83P H6327Infineon
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BSS83P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch SOT-23-3
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4+1.05 EUR
10+0.73 EUR
100+0.45 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSS83P H6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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200+0.25 EUR
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BSS83P H6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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BSS83P L6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 330mA SOT-23-3
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BSS83PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS83PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS83PE6327INFSOT23 09+PBF
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