Produkte > SI7

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7463DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.02 EUR
10+4.76 EUR
100+3.45 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DPVISHAYSO-8
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.14 EUR
93+1.83 EUR
94+1.75 EUR
108+1.46 EUR
250+1.4 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
11+2.05 EUR
100+1.76 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3VishaySI7464DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2.32 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3VishaySI7464DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DPVISHAY10+ SMD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
auf Bestellung 29363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.54 EUR
134+1.26 EUR
135+1.21 EUR
160+0.99 EUR
250+0.94 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3Vishay
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 125033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+1.92 EUR
100+1.39 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
3000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.98 EUR
6000+0.9 EUR
9000+0.87 EUR
15000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.46 EUR
18000+1.31 EUR
27000+1.19 EUR
36000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 0.94W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.42 EUR
66+1.3 EUR
72+1.19 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3
Produktcode: 199543
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.31 EUR
135+1.29 EUR
160+1.06 EUR
250+1.04 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayMOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 29973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
3000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.89 EUR
6000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.89 EUR
6000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.95 EUR
189+0.9 EUR
191+0.86 EUR
194+0.81 EUR
250+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.94 EUR
191+0.9 EUR
194+0.88 EUR
250+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7469ADPVishayTrans MOSFET P-CH 80V 7.4A 8-Pin PowerPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7469ADPVishayMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0161 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 73.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK P CHAN 80V
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.81 EUR
100+2.24 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.81 EUR
6000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0161 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 73.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 73.5
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0161
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 7.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DPVISHAY09+
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 14528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3
Produktcode: 184248
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
auf Bestellung 51612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
10+4.24 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 14528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 69694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+4.25 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.39 EUR
3000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2 EUR
6000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 97870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+4.25 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.39 EUR
3000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
auf Bestellung 15160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
10+4.24 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 8625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3 Transistor
Produktcode: 197166
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI746DP-T1-E3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7476DPVISHAY09+
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7476DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7476DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7476DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7476DP-T1-E3VISHAY06NOPB
auf Bestellung 1562 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7476DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DPVISHAY09+
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7478DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3VishayТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
auf Bestellung 7578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.89 EUR
10+4.51 EUR
100+3.14 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7478DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 4356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+4.49 EUR
100+3.17 EUR
500+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.59 EUR
50+3.8 EUR
100+3.52 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.33 EUR
2000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.51 EUR
10+4.76 EUR
100+3.83 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.93 EUR
3000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 36  [ Nächste Seite >> ]