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Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R040CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R045P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPB60R045P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R045P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

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IPB60R045P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R045P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm

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IPB60R045P7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPB60R045P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R045P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

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IPB60R045P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IPB60R045P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R045P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R045P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 201W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm

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IPB60R045P7ATMA1
Produktcode: 162243

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPB60R055CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 178W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm

auf Bestellung 1005 Stücke:

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17+	14.39 EUR
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IPB60R055CFD7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IPB60R055CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3

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50+	8.62 EUR
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500+	7.81 EUR

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IPB60R055CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R055CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R055CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 178W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 178W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm

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17+	14.39 EUR
20+	10.76 EUR
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IPB60R055CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R055CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3

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IPB60R055CFD7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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10+	9.29 EUR
100+	7.52 EUR
500+	7.41 EUR
1000+	6.51 EUR

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IPB60R055CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 410 Stücke:

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15+	12.11 EUR
22+	7.82 EUR
100+	5.38 EUR

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IPB60R060C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPB60R060C7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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100+	8.16 EUR
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IPB60R060C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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500+	6.33 EUR
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IPB60R060C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R060C7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R060C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 162W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm

auf Bestellung 717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	20.19 EUR
18+	13.21 EUR
100+	9.58 EUR
500+	7.26 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R060C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	12.99 EUR
18+	9.87 EUR
50+	8.43 EUR
100+	7.1 EUR
500+	6.85 EUR
1000+	6.09 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R060C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

auf Bestellung 1844 Stücke:

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100+	8.29 EUR
500+	8.23 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R060C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

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1000+	6.71 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R060C7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R060C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 162W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm

auf Bestellung 717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	20.19 EUR
18+	13.21 EUR
100+	9.58 EUR
500+	7.26 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPB60R060C7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IPB60R060C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	8.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R060C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	6.72 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R060C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	6.72 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R060P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPB60R060P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	9.62 EUR
26+	6.44 EUR
50+	6.03 EUR
100+	4.77 EUR
500+	4.21 EUR
1000+	3.8 EUR

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IPB60R060P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	6.93 EUR
15+	5.74 EUR
17+	5.21 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPB60R060P7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1296 Stücke:

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1+	11.83 EUR
10+	6.7 EUR
100+	6.09 EUR
500+	5.38 EUR
1000+	5.09 EUR

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IPB60R060P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R060P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

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IPB60R060P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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18+	9.62 EUR
26+	6.58 EUR
50+	6.27 EUR
100+	5.03 EUR
500+	4.57 EUR
1000+	4.22 EUR

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IPB60R060P7ATMA1
Produktcode: 208315

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IPB60R060P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

auf Bestellung 12420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.86 EUR
10+	8.63 EUR
50+	6.81 EUR
100+	6.22 EUR
500+	5.46 EUR

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IPB60R060P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R060P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	14.09 EUR
26+	8.98 EUR
50+	7.13 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPB60R060P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R060P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	4.88 EUR
3000+	4.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R070CFD7

Infineon HIGH POWER_NEW

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IPB60R070CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	5.27 EUR

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IPB60R070CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 32000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	6.1 EUR
500+	5.7 EUR
1000+	5.26 EUR
10000+	4.84 EUR

Mindestbestellmenge: 106 Stücke

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IPB60R070CFD7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 831 Stücke:

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1+	12.92 EUR
10+	7.85 EUR
100+	6.33 EUR
500+	6.12 EUR
1000+	5.32 EUR

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IPB60R070CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 960 Stücke:

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17+	10.66 EUR
26+	6.6 EUR
100+	5.27 EUR
500+	4.32 EUR

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IPB60R070CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R070CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm

auf Bestellung 1395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.52 EUR
23+	10.28 EUR
100+	7.63 EUR
500+	6.24 EUR
1000+	5.57 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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IPB60R070CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R070CFD7ATMA1

auf Bestellung 1712 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.61 EUR
10+	9.19 EUR
50+	7.28 EUR
100+	6.68 EUR
500+	6.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPB60R070CFD7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R070CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.66 EUR
26+	6.75 EUR
100+	5.47 EUR
500+	4.56 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IPB60R070CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R070CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm

auf Bestellung 1395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.52 EUR
23+	10.28 EUR
100+	7.63 EUR
500+	6.24 EUR
1000+	5.57 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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IPB60R080P7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 310 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.36 EUR
10+	6.91 EUR
100+	4.96 EUR
500+	4.46 EUR
1000+	4.19 EUR

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IPB60R080P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.78 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R080P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R080P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	12.5 EUR
31+	7.72 EUR
100+	5.12 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R080P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 148 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R080P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R080P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R080P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 29000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	5.26 EUR
14000+	4.76 EUR
21000+	4.36 EUR
28000+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R080P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.87 EUR
29+	5.87 EUR
100+	4.22 EUR
500+	3.61 EUR
1000+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R080P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.78 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R080P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.12 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R080P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.87 EUR
29+	6 EUR
100+	4.38 EUR
500+	3.81 EUR
1000+	3.63 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R080P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

auf Bestellung 171 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.56 EUR
10+	7.03 EUR
50+	5.52 EUR
100+	5.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R090CFD7

Infineon HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R090CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.56 EUR
10+	7.02 EUR
100+	5.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R090CFD7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.36 EUR
10+	6.91 EUR
100+	4.96 EUR
500+	4.77 EUR
1000+	4.21 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R090CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	4.49 EUR
500+	4.19 EUR
1000+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 144 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R090CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 124W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm

auf Bestellung 305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.24 EUR
29+	8.06 EUR
100+	5.46 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R090CFD7ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R090CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 124W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm

auf Bestellung 305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.46 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB60R099C6

MOSFETs N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.82 EUR
10+	8.16 EUR
100+	6.24 EUR
500+	5.87 EUR
1000+	5.55 EUR

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IPB60R099C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	5.25 EUR
34+	4.9 EUR
100+	4.71 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

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IPB60R099C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.72 EUR
3000+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R099C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 2208 Stücke:

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2+	12.95 EUR
10+	8.72 EUR
50+	6.9 EUR
100+	6.32 EUR
500+	5.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPB60R099C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R099C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 13000 Stücke:

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1000+	4.74 EUR
3000+	4.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R099C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	4.97 EUR

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IPB60R099C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB60R099C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	5.25 EUR
34+	4.71 EUR
100+	4.46 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

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IPB60R099C6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R099C7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm

auf Bestellung 613 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	15.74 EUR
25+	9.58 EUR
100+	6.51 EUR
500+	5.89 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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IPB60R099C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	9.07 EUR
27+	6.45 EUR
100+	4.64 EUR
500+	4.14 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPB60R099C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	9.07 EUR
27+	6.31 EUR
100+	4.47 EUR
500+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPB60R099C7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1291 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.9 EUR
10+	6.33 EUR
100+	5.78 EUR
500+	5.37 EUR
1000+	5.07 EUR

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IPB60R099C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)

auf Bestellung 801 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.1 EUR
10+	8.12 EUR
50+	6.41 EUR
100+	5.87 EUR
500+	5.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPB60R099C7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm

auf Bestellung 613 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	6.51 EUR
500+	5.89 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB60R099C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.2 EUR
500+	4.87 EUR
1000+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099C7ATMA1