Produkte > IPB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPB65R110CFD | Infineon | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 31.2A D2PAK-2 CoolMOS CFD2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 114W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R110CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V | auf Bestellung 1244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDA | Infineon | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDAATMA1 Produktcode: 220258
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPB65R110CFDAATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A Power dissipation: 277.8W Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 118nC Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2 | auf Bestellung 514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 474000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDAATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 277.8mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | auf Bestellung 1266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDAATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 277.8mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | auf Bestellung 1266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 282920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A Power dissipation: 277.8W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 31.2A D2PAK-2 CoolMOS CFD2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 291000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3 Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 1213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R110CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | auf Bestellung 979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R115CFD7AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R115CFD7AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 114W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | auf Bestellung 100796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R115CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | auf Bestellung 979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R125C7 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 75A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 75A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R125CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 98W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R125CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R145CFD7AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R150CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 72A D2PAK-2 | auf Bestellung 842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDA | Infineon | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 72A D2PAK-2 | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 1192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 381000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22.4A Power dissipation: 195.3W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 72A D2PAK-2 | auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 195.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 195.3W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 195.3W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R150CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R155CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R155CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R155CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1618 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R190C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R190C7 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 49A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 49A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R190C7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 72W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R190C7ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R190C7ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB65R190C7ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R190C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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