Produkte > IPP

Description: IPP65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190C7

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.82 EUR
27+	6.44 EUR
50+	6.06 EUR
100+	5.72 EUR
250+	5.46 EUR
500+	5.24 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190C7FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.37 EUR
10+	6.31 EUR
100+	4.27 EUR
500+	4.02 EUR
1000+	3.94 EUR
2500+	3.86 EUR
5000+	3.77 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 442 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190C7FKSA1

Description: INFINEON - IPP65R190C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.43 EUR
52+	4.55 EUR
100+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD

Infineon technologies

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 2933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.44 EUR
10+	6.26 EUR
25+	5.87 EUR
100+	5.07 EUR
250+	4.8 EUR
500+	4.33 EUR
1000+	3.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD

Infineon

MOSFET N-CH 700V 17.5A TO-220 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7AAKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7AAKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7AAKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

auf Bestellung 354 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8 EUR
10+	5.24 EUR
100+	3.92 EUR
500+	3.17 EUR
1000+	2.92 EUR
2500+	2.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7AAKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 512 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.76 EUR
500+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 237 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7AAKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7AAKSA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7AAKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 465 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.93 EUR
50+	4.68 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7AAKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.3 EUR
2000+	2.99 EUR
3000+	2.74 EUR
4000+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 458 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	6.22 EUR
54+	4.32 EUR
100+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7XKSA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.87 EUR
50+	4.75 EUR
100+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.89 EUR
10+	4.5 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFDAAKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFDAAKSA1

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	3.78 EUR
500+	3.53 EUR
1000+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 173 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFDXKSA1

Description: INFINEON - IPP65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	10.5 EUR
31+	7.57 EUR
100+	5.76 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFDXKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFDXKSA2

Description: INFINEON - IPP65R190CFDXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 489 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	7.89 EUR
100+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFDXKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

auf Bestellung 384 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.41 EUR
50+	3.76 EUR
100+	3.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFDXKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFDXKSA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 17.5A; 151W; TO220-3; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 171mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190CFDXKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6

MOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	3.52 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 716 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	3.52 EUR
500+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 555 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	3.52 EUR
500+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	3.52 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	3.52 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	3.03 EUR
10000+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

auf Bestellung 56890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

140+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 140 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	3.52 EUR
500+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6XKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R190E6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R225C7

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R225C7

MOSFETs 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R225C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R225C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

108+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 108 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R225C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

108+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 108 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R225C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R225C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R225C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.37 EUR
75+	2.31 EUR
100+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 74 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R225C7XKSA1

Description: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 379 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	5.62 EUR
47+	5.03 EUR
100+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R225C7XKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3

auf Bestellung 479 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.24 EUR
10+	4.06 EUR
25+	2.24 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.71 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R225C7XKSA1
Produktcode: 166076

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R280C6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R280C6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R280C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

233+	2.81 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 233 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

186+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R280E6

MOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220-3 CoolMOS E6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R280E6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R280E6XKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP65R280E6XKSA1 - IPP65R280 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R280E6XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R280E6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFD

MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 375-379 Tag (e)

1+	6.26 EUR
10+	5.63 EUR
100+	4.61 EUR
500+	3.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFDAAKSA1

MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFDAAKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFDXKSA1

Description: INFINEON - IPP65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	5.68 EUR
61+	3.86 EUR
100+	2.55 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFDXKSA1

MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 375-379 Tag (e)

1+	6.26 EUR
10+	5.63 EUR
100+	4.61 EUR
500+	3.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFDXKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFDXKSA2

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFDXKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.09 EUR
50+	2.52 EUR
100+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R310CFDXKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R380C6

MOSFET N-Ch 700V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R380C6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R380C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 245 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

208+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 208 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R380C6XKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R380C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R380E6

MOSFETs N-Ch 700V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R380E6

Description: IPP65R380E6 - 650V-700V COOLMOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R380E6XKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R380E6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R420CFD

MOSFETs N-Ch 650V 8.7A TO220-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 146 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.67 EUR
10+	2.53 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.45 EUR
3000+	1.38 EUR
6000+	1.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R420CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R420CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 333 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R420CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3

auf Bestellung 333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

333+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 333 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R420CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.94 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.34 EUR
10000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP65R420CFDXKSA2