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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN069-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
auf Bestellung 5035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
17+1.24 EUR
50+0.9 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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PSMN069-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
137+1.7 EUR
187+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1500+0.68 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN069-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN069-100YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 5839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+1.14 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
1500+0.5 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
691+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 691 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.61 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN069-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.54 EUR
4500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN069-100YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 68A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN069-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200BNXP USA Inc.Description: 35A, 200V, 0.07OHM, N-CHANNEL
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PSMN070-200B
auf Bestellung 4100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN070-200B,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PSMN070 - 35A, 200V, 0.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200B,118-NEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200PPHITO220 99+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 3992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+3.65 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+3.65 EUR
500+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.25 EUR
80+2.08 EUR
82+1.95 EUR
83+1.86 EUR
108+1.37 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+3.65 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200P,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
auf Bestellung 8812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
267+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+3.65 EUR
500+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070-200P,127-NXPNXP USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN070200PPHILIHPS
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN071-100NSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 559 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN071-100NSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.8A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN071-100NSEXNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 82 mOhm standard level ASFET with enhanced SOA in DFN2020. Designedfor high power PoE, inrush management, eFuse and relay replacement
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.74 EUR
100+0.55 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN071-100NSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 559 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.3mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
30+0.71 EUR
100+0.43 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN071-100NSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.8A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 106500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.55 EUR
3000+0.48 EUR
7500+0.44 EUR
9000+0.42 EUR
10500+0.39 EUR
37500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.49 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.68 EUR
51000+0.61 EUR
76500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.7 EUR
21000+0.63 EUR
42000+0.58 EUR
63000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 115500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.68 EUR
28500+0.61 EUR
57000+0.56 EUR
85500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.61 EUR
4500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN075-100MSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
135+1.73 EUR
192+1.12 EUR
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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3000+0.43 EUR
4500+0.42 EUR
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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1294+0.5 EUR
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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1500+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.8 EUR
3000+0.71 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN075-100MSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.73 EUR
153+1.52 EUR
183+1.18 EUR
228+0.94 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN075-100MSEXNexperiaMOSFETs N-channel 25 V, 0.72 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 usingNextPowerS3 Technology
auf Bestellung 1138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+1.15 EUR
100+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
1500+0.5 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.57 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN075-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V
auf Bestellung 18992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
50+1.04 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.4 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 49500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.68 EUR
7500+0.61 EUR
15000+0.56 EUR
22500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN075-100MSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.7 EUR
9000+0.63 EUR
18000+0.58 EUR
27000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN085-150KNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SO
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
406+1.59 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 406 Stücke
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PSMN085-150K
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN085-150KNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SO
auf Bestellung 5398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
406+1.59 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 406 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN085-150K,518Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PSMN085-150K - 3.5A, 15
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
324+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN085-150K,518NXPDescription: NXP - PSMN085-150K,518 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1001+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1001 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN085-150K,518-NEXNexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.58 EUR
111+1.51 EUR
112+1.43 EUR
114+1.34 EUR
250+1.27 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.8 EUR
500+4.39 EUR
1000+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.58 EUR
10+4.31 EUR
100+3.01 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.58 EUR
111+1.54 EUR
112+1.49 EUR
114+1.43 EUR
250+1.38 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 300A
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.37 EUR
100+2.31 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.86 EUR
1500+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 158W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.84 EUR
31+7.52 EUR
100+4.8 EUR
500+4.13 EUR
1000+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 152848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLCNXPMOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Транзистори
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PSMN0R9-25YLCNXPN-MOSFET 100A 25V 272W 0.00099Ω PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC TPSMN0r9-25ylc
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PSMN0R9-25YLCNexperiaMOSFET
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PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLC,115
Produktcode: 124400
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PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
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200+2.89 EUR
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PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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10000+2.36 EUR
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PSMN0R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
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5+4.86 EUR
10+3.12 EUR
50+2.37 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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