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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSS84-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.071 EUR
20000+0.065 EUR
30000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.071 EUR
20000+0.067 EUR
30000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7DIODESSOT23
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7Diodes IncorporatedMOSFETs -50V 250mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-01-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1011000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3206+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FDiodesBSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Транзистори
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; Idm: -1.2A; 0.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1.2A
auf Bestellung 5355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
715+0.12 EUR
1017+0.083 EUR
1217+0.07 EUR
1859+0.045 EUR
1924+0.044 EUR
3000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 50V 300mW
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
14+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS84-7-F - MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, FULL REEL
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FDiodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 25, Rds = 10 Ом @ 100 мA, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 639 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1011000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-F
Produktcode: 122664
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DiodesTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В
Drain-Strom Id, A: 0,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 45/
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.098 EUR
10+0.079 EUR
100+0.067 EUR
1000+0.055 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
82+0.26 EUR
132+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-FDIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-7-F; BSS84-13-F; BSS84-7-F TBSS84 DIODES
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2602 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-F-WDiodes Incorporated BSS Family SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
82+0.26 EUR
132+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-F169onsemiDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-F2-0000HFYangzhou Yangjie ElectronicBSS84-F2-0000HF BSS84 SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 60V 0.17A SOT-23-3L
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
43+0.5 EUR
100+0.26 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-F2-0000HFYYTransistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 60V 0.17A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-GonsemiMOSFETs FET -50V 10.0 MOHM
auf Bestellung 8983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-HonsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-HonsemiMOSFET FET -50V 10.0 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-HFComchip TechnologyMOSFETs MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-MLMOSLEADERDescription: 0.2W 50V 0.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.068 EUR
9000+0.065 EUR
15000+0.063 EUR
30000+0.058 EUR
75000+0.054 EUR
150000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-NL
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-PDNextGen ComponentsDescription: MOSFET P-CH -60V -0.17A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 30 V
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-R1-00001PanjitPanjit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-TDTDSEMICTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84-TD TDSEMIC TBSS84 TDS
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Ch -50V 20Vgs 225mW 10Ohm 10pF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS84-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
auf Bestellung 8100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.64 EUR
685+0.33 EUR
1118+0.19 EUR
1551+0.14 EUR
1789+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-TPMCC Corp.P-Channel 50 V 130mA (Tj) 225mW Surface Mount D-Pak Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 276000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7634+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 7634 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.081 EUR
6000+0.071 EUR
9000+0.068 EUR
15000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS84-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
auf Bestellung 8100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.64 EUR
685+0.33 EUR
1118+0.19 EUR
1551+0.14 EUR
1789+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; Idm: -0.52A; 0.225W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.52A
auf Bestellung 30129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.27 EUR
346+0.25 EUR
545+0.15 EUR
879+0.096 EUR
1078+0.079 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.051 EUR
9000+0.048 EUR
21000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 468000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9346+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 9346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 16823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
87+0.24 EUR
139+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSS84.215
Produktcode: 84529
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84/SPFAIRCHILD
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS8402DW
Produktcode: 214059
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 3@10V,0.13A 500MV 1 N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 25V, 30pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 130mA, 10V, 5Ohm @ 130mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 1.77nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.094 EUR
9000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWAnalog Power Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 0.7A SC70-6
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
15+1.48 EUR
100+0.94 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 3@10V,0.13A 500MV 1 N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 25V, 30pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 130mA, 10V, 5Ohm @ 130mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 1.77nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
68+0.31 EUR
108+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7DIODES
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FVishay SemiconductorТранзистор польовий N+P, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,25, Udss, В = 60, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 @ 250 мкА, Id2 = 115 мА,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 180 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60 / -50V 200mW
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDiodesMOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 (SOT-363) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
249+0.93 EUR
391+0.55 EUR
565+0.38 EUR
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-50V
Drain current: 0.115/-0.13A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10/13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 1426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.68 EUR
177+0.48 EUR
258+0.33 EUR
305+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDIODES/ZETEXTransistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDiodes INC.Транзистор польовий N+P, Udss, В = 60, 50, Id = 115 мА, 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, 45 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мА, 5 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-F
Produktcode: 177913
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
34+0.62 EUR
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
249+0.93 EUR
391+0.55 EUR
565+0.38 EUR
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-F KNP.DIODES/ZETEXTransistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT363 T&R 3K
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
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BSS8402DW-R1-00001PanjitArray
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BSS8402DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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BSS8402DW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N/P MOSFET
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BSS8402DW-TPMicro Computer ControlBSS8402DW-TP
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-50V
Drain current: 0.115/-0.13A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10/13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
auf Bestellung 5615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.39 EUR
353+0.24 EUR
397+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family SOT363 T&R 10K
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.14 EUR
100+0.73 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.35 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-13-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-13-52Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT363 T&R 10K
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 200mW; SC88,SOT363
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT363 T&R 3K
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DWQ-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84A-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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